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有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题要点

有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题这是我第一次用IR2104有一些疑问希望各位师傅能不吝赐教电机驱动电压为170V，频率40KHZ，电流3A的矩形波电路图如下所示自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？U1,U2前边是否要加隔离电路？谢谢啦！

170v要加光耦了，自举电容1uf低ESL低ESR即可。

是在U1,U2前加的吧

恩，前面加~

為什麼要加上D3,D4,D5和D6?有何作用?

為什麼要加上D3,D4,D5和D6? "dead time management.

为mos管放电提供‘低’的回路??最好再给mosfet的gs间加个10k的电阻

不过有位师傅说限流电阻为33欧姆所以D3,D4,D5，D6加不加无所谓是这样吗？

电路图参数已选定，大家帮看看是否合适

1N4004和10K其实也可以省~

能具体说一下吗？10K电阻不是确保：关机后栅极存储的电荷通过10K电阻迅速释放，以保证电荷的迅速释放的吗？还有1N4004呢？谢谢了！

10K不能省，1N4004还是省下来吧，也好几毛钱了NMOS附送的二极管比1N4004高级的多

我也认为10K不能省觉得 adcr 老稻说的比较又道理

都不能省。10K电阻是用来保护GS在关断时不被击穿，而1N4004是续流用的，不能省，这里建议1N4004换成MUR160以上的快速恢复二极管

我还想问下各位师傅自举电容C3,C4应该没有耐压要求吧

如果反并联续流管是不是应该注意正向压降问题。如果你并的压降比体二极管压