单结晶体管的导电特性_单结晶体管结构及应用

单结晶体管(UJT)是一种三端半导体器件,具有独特的负电阻和开关特性。它主要用于相位控制、张弛振荡器、门脉冲、定时电路和触发发生器,能切换和控制晶闸管、三端双向可控硅开关。单结晶体管由P型和N型半导体材料构成,其工作原理涉及到发射极PN结的正向偏置和负阻特性,可产生非正弦波形的弛豫振荡器。通过调整电路中的电阻和电容,可以改变UJT振荡器的频率,从而实现电路控制,例如在电机速度控制中的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

UJT是一种三端子半导体器件,具有负电阻和开关特性,可用作相位控制应用中的张弛振荡器

单结晶体管或者UJT,是另一种固态三端器件,可用于门脉冲,定时电路和触发发生器应用,以切换和控制晶闸管和三端双向可控硅开关,用于交流电源控制型应用。

与二极管类似,单结晶体管由单独的P型和N型半导体材料构成,在器件的主导电N型沟道内形成单个(因此称为Uni-Junction)PN结。/p>

虽然UnijunctionTransistor具有晶体管的名称,但其开关特性与传统的双极或场效应晶体管的开关特性非常不同,因为它不能用于放大信号而是用作ON-OFF开关晶体管。UJT具有单向导电性和负阻抗特性,在击穿过程中更像是可变分压器。

与N沟道FET类似,UJT由单个实心N型半导体材料组成,形成主电流通道,其两个外部连接标记为Base2(B2)和Base1(B1)。第三个连接,容易被标记为Emitter(E)位于通道上。发射极端子由从P型发射极指向N型基极的箭头表示。

通过将P型材料熔合到N中,形成单结晶体管的发射极整流pn结。型硅通道。然而,也可以使用带有N型发射极端子的P沟道UJT,但这些都很少使用。

发射极结沿着通道定位,因此它更靠近终端B2比B1。在UJT符号中使用箭头,其指向基部,指示发射器端子是正的并且硅棒是负材料。下面显示了UJT的符号,结构和等效电路。

Unijunction晶体管符号和结构

请注意,单结晶体管的符号与结型场效应晶体管或JFET的符号非常相似,只是它有一个代表发射极(E)输入的弯曲箭头。虽然它们的欧姆通道相似

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