模拟usb重新插拔_EOS损坏之热插拔

在使用USB接口的产品中，如果热插拔设计存在问题的话，容易带来EOS破坏。

产品热插拔的时候，可能会带来瞬时的大电流，这种大电流，是一种震荡波，首先，可能直接破坏芯片或器件，而是激发芯片产生大电流的latchup效应，最后烧坏芯片或器件。

某产品试用时，插拔时频频出现损坏，经过比对电性分析，发现电性明显异常，进行EMMI测试，发现芯片表面异常亮点，在显微镜下，发现铝线烧损，判断是大部分返修单板均是由于EOS导致内部铝线融化，导致芯片失效。

进一步分析电路，发现电路设计应用不当问题，未采用保护电路，使带电插拔产生的电浪涌导致芯片产生latchup效应，越来越大的大电流最后烧坏芯片，模拟试验再现了同样的失效现象。

改进措施：在设计更改中，增强电路防插拔设计，增强保护管的电流泻放能力。在PCB版设计中，增加限流设计。

芯片开封实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。