封装系统驱动放哪里啊_封装对大功率VCSEL激光器窄脉冲发光特性的影响

本文内容转载自《光学学报》2020年第8期，版权归《光学学报》编辑部所有。

颜颖颖，陈志文，邱剑，刘克富，张建伟

复旦大学先进照明技术教育部工程研究中心，复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

摘要：垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，简称VCSEL)相比传统边发射激光器光束质量高，可靠性高，在激光雷达测距领域有广泛的应用前景。为了保证测距精度足够高，输出的激光脉宽范围通常在1 - 25 ns，峰值功率达到近百瓦，因此要求驱动电路能提供窄脉宽大电流，而此时回路杂散参数对电路性能影响显著，进而影响激光雷达系统性能。本文主要研究了直插式TO封装和裸芯片980 nm大功率VCSEL激光器在窄脉冲大电流条件下的发光特性，通过Pspice参数扫描分析，结合实验结果以及理论计算比较了两种封装激光器的杂散参数大小及其对激光器发光特性的影响。推导得出了脉冲条件下VCSEL的功率转换效率公式，并分析了杂散参数对VCSEL功率转换效率的影响。

关键词：垂直腔面发射激光器；激光雷达；短脉冲；高功率

1 引言

VCSEL相比于边发射激光器有多项优点：光束质量高，光束发散角小，出射的圆形光斑利于光纤耦合；可靠性高，VCSEL不受光学灾变损伤影响，波长相对温度漂移低(约0.065 nm/C，边发射激光器0.3 nm/C)；其中最重要的是光束垂直电极出射，可以直接进行芯片级二维集成VCSEL阵列，提高输出功率。国际上Trilumina公司单个910 nm波段VCSEL阵列在100 A电流驱动下输出激光功率约16 W。国内长春光机所单个910 nm波段VCSEL阵列在70 A电流驱动下功率达25.5 W，单个980 nm波段VCSEL在95 A电流驱动下输出功率达62 W。VCSEL阵列的优点使其在各个领域都有极高的应用价值，如光通信，3D成像，特别是LiDAR(激光雷达，Lightimaging Detection and Ranging)。

基于TOF(飞行时间测距法)的LiDAR系统测距原理是通过驱动产生窄脉冲大电流，驱动激光器产生光脉冲照射到被测物体，部分激光被反射后经探测器接收，通过计算激光从发射到接收的时间差，得到被测物体的距离。

为了保证系统的测距精度足够高，激光雷达输出激光脉宽范围在1 - 25ns，并且峰值电流最好能达到百安培量级，才能保证激光脉冲上升沿足够快，此时回路中的电感L0对脉冲电路的性能影响显著。对于上升沿只有几纳秒的脉冲电流，即使是几百pH的电感就足以对脉冲电流波形产生极大影响，脉宽越窄，L0的影响越显著。

在减小回路电感方面，TI公司将放电回路分为两条完全对称的回路，将L0减小为单路的一半。David等提出通过减小回路长度、磁通量自抵消将L0减小40%。Wens等提出将开关与其前置驱动集成在一起，达到2.2 ns脉冲电流上升沿。在电路中杂散电感得到最大程度优化的条件下，由于激光器不同封装类型引入电感大小不同，器件的封装将是需要重点关注的部分。

本文以TO封装VCSEL和裸芯片VCSEL为例，通过仿真及实验研究比较了不同封装VCSEL激光器在窄脉冲大电流条件下的发光特性。目前多数文献中研究的是VCSEL的直流或准直流特性，但对于大功率脉冲条件下VCSEL特性及其功率转换效率研究较少。本文通过直流功率转换效率公式进一步拓展，得到脉冲条件下VCSEL功率转换效率公式，并对比两种封装对于VCSEL脉冲条件下的功率转换效率影响。

2 激光器及其驱动电路简介

本文所使用的是长春光机所提供的高功率高效率VCSEL阵列，如图1所示该阵列含有间隔150 μm出光孔径150 μm的16个发光单元，有源区包含3个In0.2GaAs / GaAs0.92P应变量子阱，发射波长980 nm，有源区上下两侧是分布式布拉格反射镜，由Al0.9Ga0.1As/ Al0.12Ga0.88As材料以光学波长1/4的厚度反复堆叠组成，底层DBR包含28层反射镜，顶层DBR包含30层反射镜。在P型DBR与有源层间有一层选择性氧化的限制层，由30 nm的高铝材料Al0.98Ga0.02As构成，用于限制电流和光场。

图1 VCSEL阵列横截面示意图

图2 裸芯片VCSEL实物图

图3 TO封装VCSEL实物图。(a)侧面图；(b)俯视图

图4 TO封装VCSEL的结构。(a)示意图以及(b)等效电路图

裸芯片VCSEL如图2所示，VCSEL通过若干金线与焊盘直接建立电气连接。TO封装VCSEL如图3、4所示，基板被分为两部分，其中一部分通过焊料与裸芯片VCSEL底部电极直接贴合，另一部分通过金线与VCSEL顶部电极建立电气连接，基板的两部分再通过金线键合分别与两个引脚建立电气连接。对比二者，TO封装VCSEL中的金线、基板以及引脚会引入一定杂散参数。

驱动电路的简化图如图5所示，为了使输出激光在脉宽在25 ns范围内有较高的功率，放电电容C取10 nF。M1是开关，R1为1 kΩ限流电阻，Lx为回路杂散电感，Rx为回路杂散电阻。VCSEL等效电路模型可以分为，R0代表芯片电阻，C'代表结电容，Rs代表封装引入电阻，Ls代表封装引入电感。由于结电容为pF量级，主要影响VCSEL的反向特性，本文主要关注VCSEL正向发光特性，因此在仿真以及理论分析部分将结电容忽略。

PCB电路板简化图如图6所示，主要通过以下三种方法来减小回路电感：1.M1使用的是GaN System公司的GaN开关GS61008P，GaN开关速度快，采用芯片级封装；2.放电回路通过过孔垂直于电路板平面，顶层和底层的电流流向相反，磁通相互抵消；3.PCB厚度0.8 mm，减小放电回路长度。通过测量负载短路时回路电流的振荡周期计算，Lx数值约1.7 nH，Rx数值约0.08 Ω。

电路工作时，首先开关断开，电源通过限流电阻对电容进行充电；接着开关在较长一段时间内保持闭合，电容在此期间完全放电，可以近似为LRC振荡电路。该电路的特点是：1.回路中的杂散电感是电路组成不可或缺的一部分；2.光脉冲脉宽取决于电容值，因此脉冲驱动宽度可以大于光脉宽；3.可以通过提高电容初始充电电压，减小电容值，得到高功率窄脉宽的光脉冲。

图5 驱动电路简化示意图

图6 PCB电路板简化示意图。(a)俯视图；(b)仰视图；(c)侧视图

3 电路仿真及结果讨论

由于驱动电路可以近似为RLC二阶振荡电路，根据RLC放电回路结构，列出回路方程：

L和R是回路的总电感和总电阻，C是放电电容，u0是电容上的初始电压。一般脉冲电路参数满足R <

，处于欠阻尼振荡状态，振荡周期为

电流幅值为

VCSEL两端电压与电流关系

Z代表VCSEL阻抗绝对值，φ是电流电压的相位差，由上述式子可得，当封装引入的杂散电感和电阻越大，会使脉冲电流的脉宽增大，幅值减小，同时电流与电压间相位差增大。在不考虑探测器的精度下，LiDAR系统理论的测距精度

其中trise是激光脉冲的上升时间，是反射信号的信噪比，与激光功率成正比。为了提高激光雷达的测距精度，应使Ls、Rs尽量小，以下通过Pspice仿真验证杂散电感Ls以及杂散电阻Rs对放电回路的影响。

3.1 封装引入电感对放电回路的影响

图7为保持其余参数不变，Ls取值为0.5 nH、5 nH、10 nH时，VCSEL两端电压与电流仿真波形图。随着Ls取值增大，脉冲电流幅值减小，脉宽增大，反向电流值增大，VCSEL两端电压与电流相位差增大。

图7 Ls不同取值下VCSEL两端电流仿真波形图(C = 10 nF，V = 90 V)

3.2 封装引入电阻对放电回路的影响

图8为保持其余参数不变，Rs取值为0.3 Ω、0.5 Ω、0.8 Ω时，VCSEL两端电压与电流仿真波形图。随着Rs取值的增大，脉冲电流幅值减小，脉宽增大，反向电流值减小，对VCSEL两端电压与电流相位差影响较小。

图8 Rs不同取值下VCSEL两端电流仿真波形图(C = 10 nF，V = 90 V)

基于以上仿真结果，验证了回路中的杂散电感以及杂散电阻的增大会减小脉冲电流幅值，增大脉宽，进一步推测这些杂散参数将使发射的激光脉冲上升沿减缓，激光峰值功率减小。同时根据式(7)，这两项参数的变化会使激光雷达系统的测距精度减小。

4 不同封装的VCSEL阵列脉冲实验结果

以下通过实际电路实验对比TO封装以及裸芯片VCSEL的电光转换效果，比较两种封装引入回路的杂散参数大小，验证杂散参数对激光器发光特性的影响。电路中放电主电容10 nF，充电电压范围：30 V - 90 V，回路电流通过对电容两端电压求导得到。

图9分别实验所得在电压90 V时TO封装和裸芯片VCSEL两端电压和电流波形图，结合第三节理论以及仿真分析可知，TO封装的VCSEL引入寄生电感以及电阻值较大，不仅使得VCSEL两端电压和流过的电流有明显的相位差，同时，在相同电路参数情况下，TO封装的VCSEL相对裸芯片VCSEL回路中的电流幅值小(TO封装峰值电流45 A，裸芯片峰值电流53 A，增长17.8%)、脉宽长(TO封装脉宽25.5 ns，裸芯片脉宽19.8 ns，减少22.4%)。电感对电流的影响直接导致前者发出的光脉冲相对后者峰值功率小(TO封装18 W，裸芯片26.7 W，增长32.6%)、脉宽长，如图10所示。

图9 VCSEL两端电压与回路电流脉冲波形图。(C = 10 nF，V = 90 V)

(a)TO封装VCSEL；(b)裸芯片VCSEL

图10 TO封装VCSEL与裸芯片VCSEL光脉冲波形图(C = 10 nF，V = 90 V)

根据图9得到TO封装以及裸芯片VCSEL回路的振荡周期T分别为85 ns以及60 ns，TO封装VCSEL两端电压电流相位差约1/25π。根据图11曲线拟合得到裸芯片VCSELV-I曲线斜率为0.33 Ω，TO封装VCSEL V-I曲线斜率为1 Ω，即预估

ω由T带入式(6)得到。将以上参数代入式(2)、(5)进行初步估算，结合实际电路波形进行参数微调后，得到当电路Lx =1.775 nH，Rx = 0.15 Ω，Rs1 + R0 = 0.33 Ω，Ls1= 0.4 nH，Rs2 + R0 = 0.88 Ω，Ls2 = 11.36 nH时，仿真与实验波形的对比如图12。

图11 TO封装和裸芯片VCSEL峰值电流I与器件两端电压峰值V关系图

图12 不同封装VCSEL仿真与实验波形对比。(a)TO封装；(b)裸芯片

基于以上分析，本文研究所用VCSEL的TO封装相对裸芯片引入杂散参数中杂散电感占主要部分，约为11 nH，杂散电阻量次之，约为0.55 Ω。

除了对以上分析的回路脉冲电流幅值脉宽的影响，杂散参数还会影响VCSEL的功率转换效率。

图13 TO封装与裸芯片VCSEL光脉冲峰值功率与峰值电流的关系。(C = 10 nF，V = 30 V – 90 V)

根据文献[1]有如下公式，

其中Pout是输出光功率，ħv是光子能量，q是电子电荷量，ηe是外部差分量子效率，Ith是阈值电流，V是二极管两端电压，V0是导通电压，Rs是二极管的串联电阻，ηc是功率转换效率。由于在脉冲情况下，电流、电压、光功率是以脉冲形式出现，无法以某一固定值表示，因此将式(11)中分子分母同时对时间t进行积分，得到

Eout即能量计所测单个光脉冲包含的能量。

如图13所示，在相同峰值电流情况下，TO封装VCSEL的峰值功率相比裸芯片VCSEL平均要低5 W左右，原因是TO封装的VCSEL引入的寄生电阻消耗了部分能量。并且由于电流电压存在相位差，二者相乘所得的瞬时功率中有无功分量，使得在相同电路参数情况下，TO封装VCSEL比裸芯片VCSEL功率转换效率低，如图12所示。

图14 TO封装VCSEL与裸芯片VCSEL能量转换率与峰值电流的关系(C = 10 nF，V = 30 V – 90 V)

5 分析与讨论

TO封装是常用的封装方式，在直流及准直流等电流变化较慢的工作条件下使用较为广泛。通过前文分析可知，普通TO封装器件在电流变化迅速的电路中性能参数受限，因此在需要窄脉冲大电流的工作系统中，应注意减小封装引入的杂散参数。根据图3所示TO封装结构，可知杂散参数主要是由金线、基板以及引脚引入，可通过对这几点进行优化，达到减小杂散参数的目的：

1．对TO封装的改进。在不影响封装效果的前提下，保证电流回路尽量短，如用于键合的金线以及器件的引脚尽量短；其次，尽可能使用多条金线进行键合，通过并联减小杂散参数。

2.将放电回路部分集成一体，封装于一个管座中。由于工作在窄脉宽条件下，电容取值小，小型陶瓷电容即可满足器件选型。同时，由于新型GaN开关材料耐压高，其封装体积远小于传统硅基MOSFET。因此，可以将激光芯片裸片、开关器件(或不带封装的开关芯片)、电容集成一体，封装于一个管座中。此时，整个管座大小接近原TO封装VCSEL管座大小，放电回路中各器件间距更小，减少不必要的杂散参数引入。

3.采用倒装结构的VCSEL进行密封封装，倒装焊在PCB电路板上。改变VCSEL结构，使出光面电极与底部电极连接到同一个底座，在底座制作凸焊点代替金线键合提供电气连接，使VCSEL可以直接焊在PCB焊盘上。该种改进方式无需金线以及引脚，很大程度减小了器件的杂散参数。

6 结论

通过对比TO封装以及裸芯片VCSEL在窄脉冲大电流条件下的发光特性，研究了封装引入的杂散参数对VCSEL脉冲发光特性的影响，结合仿真以及实验结果分析得出：

(1)TO封装相比于裸芯片VCSEL会引入更大的杂散参数，包括杂散电感、杂散电阻等，其中杂散电感占主要部分。

(2)杂散参数会使放电脉冲电流幅值更低，脉宽更长，导致输出光脉冲峰值功率较低，脉宽较长，同时由于杂散电感的存在，使电流与电压之间存在相位差，降低了VCSEL光源的功率转换效率。

(3)在一些需要快上升沿、窄脉宽、大功率激光的应用场景中，比如LiDAR，需要注意回路中杂散参数的控制。通过改进激光光源的封装，减少杂散参数的引入，提高系统的功率转换效率。

参考文献：

[1] Bour D P, Rosen A. Optimum cavity length forhigh conversion efficiency quantum well diode lasers[J]. Journal of AppliedPhysics, 1989,66(7):2813-2818.