在使用IR2104进行电机驱动时，关于自举电容C3、C4的选择及NMOS的配合成为讨论焦点。170V、40KHz、3A的矩形波应用中，建议自举电容采用1uF低ESL低ESR电容。对于D3-D6，它们涉及死区时间管理和MOS管放电路径。10K电阻用于保护栅极安全，1N4004作为续流二极管，某些情况下可以考虑使用MOS管内置二极管替代。此外，电路设计中可能需要添加隔离电路和光耦，以及恰当的限流电阻。
有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题
这是我第一次用IR2104有一些疑问 希望各位师傅能不吝赐教
电机驱动电压为170V，频率40KHZ，电流3A的矩形波 电路图如下所示
自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？ U1,U2前边是否要加隔离电路？ 谢谢啦！
170v要加光耦了，自举电容1uf低ESL低ESR即可。
是在U1,U2前加的吧
恩，前面加~
為什麼要加上D3,D4,D5和D6? 有何作用?
為什麼要加上D3,D4,D5和D6? \
dead time management.
为mos管放电提供?低?的回路 最好再给mosfet的gs间加个10k的电阻
不过有位师傅说限流电阻为33欧姆 所以D3,D4,D5，D6加不加无所谓 是这样吗？
电路图参数已选定，大家帮看看是否合适
1N4004和10K其实也可以省~
能具体说一下吗？
10K电阻不是确保：关机后栅极存储的电荷通过10K电阻迅速释放，以保证电荷的迅速释放的吗？ 还有1N4004呢？ 谢谢了！
10K不能省，1N4004还是省下来吧，也好几毛钱了 NMOS附送的二极管比1N4004高级的多
我也认为10K不能省
觉得 adcr 老稻说的比较又道理
都不能省。10K电阻是用来保护GS在关断时不被击穿，而1N4004是续流用的，不能省，这里建议1N4004换成MUR160以上的快速恢复二极管
我还想问下各位师傅
自举电容C3,C4应该没有耐压要求吧
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