计算机组成原理重点白中英,计算机组成原理重点整理(白中英版).doc

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浮点存储:.若浮点数x的标准存储格式为(),求其浮点数的十进制数值。解:将进制数展开后,可得二制数格式为S阶码(位)尾数(位)指数e=阶码-=-==()包括隐藏位的尾数.M=.=.于是有x=(-)S×.M×e=+(.)×=+.=(.).将数(.)转换成标准的位浮点数的二进制存储格式。解:首先分别将整数和分数部分转换成二进制数:.=.然后移动小数点,使其在第,位之间.=.×e=于是得到:S=,E=+=,M=最后得到位浮点数的二进制存储格式为:=(AC).假设由S,E,M三个域组成的一个位二进制字所表示的非零规格化浮点数x,真值表示为(非IEEE标准):x=(-)s×(.M)×E-问:它所表示的规格化的最大正数、最小正数、最大负数、最小负数是多少?()最大正数x=[+(--)]×()最小正数x=.×-()最小负数x=-[+(--)]×()最大负数x=-.×-.用源码阵列乘法器、补码阵列乘法器分别计算xXy。()x=y=()x=-y=()原码阵列x=.,y=-.符号位:x⊕y=⊕=[x]原=,[y]原=*[x*y]原=, 带求补器的补码阵列[x]补=,[y]补=乘积符号位单独运算⊕=*尾数部分算前求补输出│X│=,│y│=X×Y=-.()原码阵列x=-.,y=-.符号位:x⊕y=⊕=[x]补=,[y]补=*[x*y]补=,,带求补器的补码阵列[x]补=,[y]补=乘积符号位单独运算⊕=尾数部分算前求补输出│X│=,│y│=*X×Y=..计算浮点数x+y、x-yx=-*(-.),y=-*.[x]浮=,-.[y]浮=,.Ex-Ey=+=[x]浮=,.()x+y.+..规格化处理:.阶码x+y=.*-x-y.+..规格化处理:.阶码x-y=-.*-.设过程段Si所需的时间为τi,缓冲寄存器的延时为τl,线性流水线的时钟周期定义为τ=max{τi}+τl=τm+τl 流水线处理的频率为f=/τ。一个具有k级过程段的流水线处理n个任务需要的时钟周期数为Tk=k+(n-),所需要的时间为:T=Tk×τ而同时,顺序完成的时间为:T=n×k×τk级线性流水线的加速比:*Ck=TL= n·k Tkk+(n-)内部存储器*闪存:高性能、低功耗、高可靠性以及移动性编程操作:实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“”状态,这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子,从而使存储元改写成“”状态。如果某存储元仍保持“”状态,则控制栅就不加正电压。如图(a)表示编程操作时存储元写、写的情况。实际上编程时只写,不写,因为存储元擦除后原始状态全为。要写,就是要在控制栅C上加正电压。一旦存储元被编程,存储的数据可保持年之久而无需外电源。读取操作:控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存,可认为浮空栅不带负电,控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原

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