3904三极管是什么功能_光敏二极管与发光二极管有什么区别

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光敏二极管,就是我们通常所说的光电二极管,它是一种能够将光根据人们所要使用的方式,转换成电流或者电压信号的光探测器,简单来说它就是一种探测器。它的管芯通常使用一个具有光敏特征的PN结,PN结对光的变化非常敏感,具有单向导电性,而且当光强不同的时候会自动的改变电学特性,因此,可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管在使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。今天我们就来了解一下光敏二极管工作原理,看看它是怎么为人们提供便利的。

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光敏二极管简介

相信有很多的读者并不知道光敏二极管是什么物件。通常人们又将光敏二极管叫做光电二极管。它与半导体二极管在结构上是有很多类似的地方,它所使用的管芯是一个具有光敏特征的PN结,这种PN结具有单向导电性,因此它在工作的时候需加上反向电压,这样才更加的有用和安全。没有光照的时候,它有很小的饱和反向漏电流,也就是我们所说的暗电流。当受到光照的时候,里面的饱和反向漏增大,形成光电流,电流的强度随入射光强度的变化而变化。当光线照射到PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。一般利用光照强弱来改变电路中的电流。

光敏二极管特性

光敏二极管的特性有五个:光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似,都对电流有放大的作用,不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,它还要受光辐射的控制。一般情况下基极不引出,但有些的基极有引出,引出的基极有温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时,就会形成光电流,产生的光生电流由基极进入到发射极,进而在集电极回路中得到一个放大了的信号电流。用不同材料制作而成的光敏极管具有不同的光谱特性。

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光敏二极管工作原理

了解了光敏二极管是什么物件,我们来看看它的工作原理是什么吧。光敏二极管其实是一种将光信号变成电信号的半导体器件。PN结是它的核心部分,在结构上和普通二极管是不同的,为了方便接受更多的入射光照,人们通常将PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量做的小一些,一般来说PN结的结深很浅,通常小于1微米。它是在反向电压作用之下进行工作的。当没有光照的时候,反向电流就很小,就是我们所说的暗电流。当有光照的时候,携带能量的光子进入PN结后,会把能量传给束缚电子,使部分电子挣脱共价键,产生电子-空穴对,称为光生载流子。

光敏二极管工作原理

我们继续来看光敏二极管的工作原理。在电子电路采用的光敏器件中光敏二极管、光敏三极管得到了广泛的运用。具有一个PN结是光敏二极管和普通二极管一样的地方,在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口用来接收光线照射,从而实现光电转换,是它与普通二极管不同的地方。而光敏三极管不仅具有光电转换的功能,还具有放大功能,在电路图中文字符号一般为VT。因为光敏三极管输入信号为光信号,所以只有集电极和发射极两个引脚线。光敏三极管外壳也有一个透明窗口,用来接收光线照射,这一点和光敏二极管一样。

光敏二极管与发光二极管有什么区别

光敏二极管是利用硅PN结受光照后产生光电流的一种光电器件。光敏二极管的电路符号、外形见图1所示。其封装有金封和塑封两种(即圆柱形和扁方形)。有的光敏二极管为了提高其稳定性,还外加了一个屏蔽接地脚,外形似光敏三极管。光敏二极管工作于反向偏压,其光谱响应特性主要由半导体材料中所掺的杂质浓度所决定。同一型号的光敏二极管在一定的反偏电压、相同强度和不同波长的入射光照射下,产生的光电流并不相同,但有一最大值。不同型号的光敏二极管在同一反偏电压、同一强度的入射光照射下,所产生的光电流最大值也不相同,且光电流最大值所对应的入射光的波长也不相同。图2的曲线①、②分别是光敏二极管NDL3200、NDL5800C的光谱响应特性曲线。由图可看出,它们的光电流的最大值分别在可见光区和红外线区,其中二极管NDL3200的光谱响应值最大。

发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光。

它是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能;常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。

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电感电容测量仪电路图概述: 说明一下单片机用AT89S52和STC89C52均可,都已经测试过,图中R3,R8,R5觉得测试电容精度,尽量接近图中阻值(非标准阻值需串联或并连电位器慢慢调),R8,R5的阻值是实际调试出来的,主要是切换的时候是通过的8550他的导通内阻不好确定,我实验中发现8R比较合适,大家可以自己调试出更合适的阻值。电容通过2N7002放电,2N7002为小功率nmos(开始设计的时候用的是8050,结果放电放不尽,大电容的时候io驱动不起来,后改用2级,也不稳定,最后选用的nmos效果非常不错),一般的小功率nmos都行(一般在MP3。MP4等数码产品中能找到),欢迎拍砖! 测量范围: 电容:分3档1pF-500nF,500nF-500uF,500uF-1F,误差<5% 电感:1uH-10H,误差<5% 预计目标: 1、达到上述量程。---已完成 2、实现自动挡电容测量。(目前是手动切换)。---进行中 3、开机自动调零。(不然测基准电容会有偏差,导致电感测量不准,目前是手动按键调零,会影响电感的测量)。---进行中 4、自动单位换算。比如当前电容单位pF,按下按键后变nF,再次按下变uF...直到F后返回当前单位pF。电感从uH-mH-H。---已部分完成。 5、实现小电容的高精度测量,由于测量电容采用充电发,导致测小电容(<100pF)时会有5-10p的跳动,越小越不准,故拟定用LC谐振的办法测小电容预计跳动<1pF。---构思中 注:图中最后一张测220uH时误差较大,可能是基准电容没采用cbb的(找不到了用了个瓷片的),导致测基准电感就不准,待整理完后公布给大家测试,欢迎拍砖! 有什么好的构思和建议也欢迎提出。开机界面: 看下里面的组装结构吧: 背面连线: 实际测量实物截图: 总结: 实现自动挡电容测量。(目前是手动切换)。---进行中 开机自动调零。(不然测基准电容会有偏差,导致电感测量不准,目前是手动按键调零,会影响电感的测量)。---已完成 自动单位换算。比如当前电容单位pF,按下按键后变nF,再次按下变uF...直到F后返回当前单位pF。电感从uH-mH-H。---整理中预计周天能上传。 实现小电容的高精度测量,由于测量电容采用充电发,导致测小电容(<100pF)时会有5-10p的跳动,越小越不准,用LC谐振的办法测小电容跳动<0.1pF。---已完成 使用说明: 1、校0,在电容档和高精度小电容档长按该键可以就行校0,(先已加入开机自动校0,一般不需使用。 2、档位切换,在电容档,按下改键会切换档位,从1pf-500nf 、500nf-500uf、500uf-1F三档中进行循环切换。 3、电容档/高精度小电容档/电感档切换,在电容档长按此按键切换至小电容档或按下电感电容切换按键切换至电感档,在小电容档长按可切换回电容档或按下电感电容切换按键切换至电感档。 原文出处:https://www.yleee.com.cn/thread-4235-1-1.html

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