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一、MOS管防护电路解析

功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。

功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：

1）防止栅极 di/dt过高：

由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。

为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或者更低)。若不加R509电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

2）防止栅源极间过电压:

由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅源极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管不被击穿，MOS管栅源极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷，不让电荷积累，实测单独焊接该下拉电阻（R516）还是不足以快速释放g极电荷，会导致mos管误触发，可靠的放电电路还是需要依赖MOS管g极->D507->驱动芯片地回路来进行可靠的放电。

3）防护漏源极之间过电压 :

虽然漏源击穿电压VDS一般都很大，但如果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等保护措施，实测加上稳压管（D901）的效果要比加上RC电路的效果要好，推荐先用稳压管测试，但是此处绝对不能加tvs，加tvs会导致源极电压抬高，gs损坏。

当电流过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护MOS管。

4）电流采样保护电路

将经过mos管的电流通过采样电阻采样出来，然后将信号放大，将放大获得的信号和mcu给出的驱动信号经过或门控制驱动芯片的使能，在驱动电流过大时禁止驱动芯片输出，从而保护mos管回路。

二、从原理到选型设计EMC浪涌保护电路

电涌保护电路是一种被称为交流电网线电压峰值保护器的电路。但是，在交流电网线中没有特别限制。电涌保护器或电涌保护设备是一种提供电涌抑制或电压尖峰抑制的设备，因此敏感设备不会受到损坏。

电涌保护器可以处理高达几千伏特范围的电压尖峰(取决于电涌保护器的类型)。还有一些浪涌抑制器只能承受几百伏的电压，依此类推。尽管电涌保护器设计为可在短时间内承受高电压尖峰，但仍不能承受更长的持续时间。

什么是电涌?

通常，电涌是电平或幅度从正常值或标准值突然增加。在电力中，浪涌通常用于描述电压瞬变，电压浪涌或电压尖峰。电压浪涌，尖峰或瞬变不是永久性事件。它仅在短时间内发生，但如果没有对策，则足以破坏设备。

电压浪涌不仅存在于电力线中，而且还存在于具有电感特性的电路中。但是，电力线中的电压浪涌最具破坏性，因为它可能高达几千伏特范围。

下图显示了交流电源线上的电涌。   

交流线路瞬变电涌保护器通常安装在房屋，办公室和建筑物中，以防止损坏设备或装置。应该将其安装在所有设备或装置都可获取其源代码的部分。这样，所有设备将受到线路浪涌和尖峰的保护。这种方法称为通用电涌保护。如果所有设备或设备都具有本地电涌保护电路，则可能不需要通用电涌保护器。

电力线中使用的电涌保护电路的两个主要类别

1.主电涌保护器

初级电涌保护装置安装在房屋，办公室或建筑物的电线入口处。它将保护进入点之后连接线路的所有设备或电器。通常，初级电涌保护器功能非常强大。但是，它既庞大又庞大又昂贵。

2.二次电涌保护器

二级电涌保护器不如初级电涌保护器有效和强大。

但是，它便携且使用方便。通常，这种电涌保护器很容易插入电源插座。它仅对从安装了第二电涌保护器的电源插座获取电源的设备提供保护。

下图显示了建筑物中主要和次要电涌保护器的安装方式。    

二次电涌保护电路的常见类型

已知的次级电涌保护电路很少。一种是所谓的配电盘。配电盘很容易插入电源插座。除此之外，它还带有多个电源插座，多个设备和电器可以插入其中，并受电涌保护。配电盘的最重要功能是在出现电涌时能够终止电源。

另一种已知类型的次级电涌保护器是众所周知的UPS或不间断电源。一些复杂的UPS具有内置的电涌保护器，可提供与配电盘相同的安全保护功能。

电涌保护器如何工作?

有一种电涌保护器

一旦出现电涌，可以切断电源。这种类型的电涌保护器复杂，复杂，当然也很昂贵。这种类型的基本组件是电压传感器，控制器和锁存/解锁电路。电压传感器将监视线路电压，控制器将读取感测电压并决定何时向锁存/解锁电路发信号通知终止电压。锁存/解锁电路是可控制的电源接触器或电源开关，可以连接或断开线路电压。

还有一种电涌保护器，它不提供电压关断功能，而只是钳制电压瞬变并吸收能量。这种电涌保护器通常用作内置电涌保护器，例如在开关模式电源中。此类保护在数千伏以下的电压下均有效。如下图所示，最好在电路中描述这种电涌保护。

ACLINE 1和AC2上的电涌保护器1称为差模电涌抑制。而电涌保护器2和3均称为共模电涌抑制。差模浪涌抑制器可钳制ACLINE1和AC线2上的任何电压尖峰。之所以称为差模，是因为它安装在两条热线上。另一方面，共模是用于电涌保护器2和3的术语，因为两者都将相对于大地的单个热线上的电压瞬变钳位。在不太严格的电涌要求中，电涌保护器1已经足以通过标准。然而，对于更高的浪涌电压等非常严格的要求，增加了浪涌保护器2和3。

电压浪涌的原因

电压浪涌发生的原因有很多。这可能是由于雷电，电源系统切换(如电容器组)，带有开关设备的谐振电路，布线错误以及突然打开和关闭开关，电动机和其他高电感性电器和设备造成的。AC线电压浪涌在世界任何地方都存在。因此，建议保护设备和设备免受此破坏性事件的影响。

一些常见的浪涌介质

这些是电涌或电压尖峰可以进入使用它的设备或设备的常见路径。

电源线–这是电涌的第一介质，因为所有电气和电子设备都使用交流电源。AC线电涌在世界范围内很普遍。

射频线–包括天线。天线容易受到雷击。雷电能够在短时间内产生非常高的电压尖峰。当雷击天线时，它将穿透射频接收器。

汽车交流发电机–在汽车电子产品中，还定义了电压浪涌。这是因为交流发电机能够在负载突降期间产生高电压尖峰。

电感电路/负载–任何电感电路或负载总是会引入浪涌电压。通常，这种激增称为感应反冲。

IEC定义的浪涌标准

IEC61000-4-5定义了交流电源线浪涌的标准。下表提供了有关类别和电压电平的具体说明。

根据该标准，设备在等级4下应承受和通过的最大瞬态电压为4kV(尽管有等级5，但仍称为等级4)。

IEC61000-4-5定义的瞬态电压如下图所示。它具有1.2us的上升时间，而脉冲宽度为50us。 

IEC61000-4-5还定义了短路电流形状，如下图所示。它具有8us的上升沿和20us的脉冲宽度。

下表是每类对应的浪涌电流或短路电流水平。最差值是2000A。

IEC61000-4-5规定的短路电流是多少?

为了回答这个问题，我首先要说，所有连接到电源线的设备都必须具有电涌保护功能。电涌保护通过将瞬态电压钳制到一个更安全的水平而起作用。一旦电涌保护电路钳位，从电源到保护装置再到电源地的短路路径将出现。 

如何设计电涌保护电路

设计电涌保护装置并不难。实际上，某些电子设备的内置电涌保护只能是一个设备。这可以是MOV或金属氧化物压敏电阻或瞬态电压抑制器TVS。在下图中，电涌保护器1至3可以是MOV或TVS。

有时，交流线路之间的电涌保护设备足以通过IEC标准。在少数情况下，需要在线路和地之间跨接电涌保护电路。特别是在更高的浪涌电压要求(4kV及以上)时。

使用MOV作为电涌保护装置

基本性质

MOV代表金属氧化物压敏电阻;是电力线中常用的电涌保护器。

MOV是电压依赖性电阻器

MOV操作就像一个二极管，具有非线性和非欧姆电流和电压特性，但双向。

它的操作也可以与双向瞬态电压抑制器TVS进行比较。

当钳位电压没有达到时，它就开路

下面是MOV的电压-电流曲线。如您所见，它在象限1和3上具有几乎恒定的电压，这使其成为双向设备。ZnO和SiC分别代表氧化锌和碳化硅。这是MOV制成的两种常见材料。

型号选择

对于通用的90-264Vac线路，通常的MOV额定电压为300Vrms。300Vrms是MOV可以承受的RMS或连续施加的电压。这还不是钳位电压。例如，根据数据表，我们将使用leiditech的14D471KJ，其交流额定电压为300Vac，但在50A峰值电流下的钳位电压为775V。

接下来要验证的是，MOV的浪涌电流额定值能够处理上面表2中指定的水平(考虑最大水平)。根据下面所选的MOV数据表，在2000A和20us脉冲持续时间下，MOV能够处理超过15次的撞击但少于100次的撞击。设备图上用虚线估计了2000A。

尽管数据表中规定了钳位电压，但在2000A时可能不再有效。下图显示了使用所选MOV时在2000A处的相应钳位电压。黄线的交点是钳位电压。请注意，它已经超过1000V。确保设备中使用的所有设备都能承受此电压水平。否则，请考虑另一个钳位电压较低的MOV。 

MOV电力线电涌保护的理想位置

如下图所示，必须将MOV用作电涌保护装置，并紧靠保险丝安装。通过这种布线，一旦浪涌电流太大，MOV无法处理，则保险丝将断开并断开电路，并避免可能的灾难性故障。

汽车中的浪涌抑制

如上所述，浪涌不仅发生在交流电源线上。电压浪涌在汽车系统中也很常见。汽车系统仅使用铅酸电池，对于6个串联的电池，典型的完全充电电压约为12.9V，每个电池为2.15V。在计算中，通常使用最大14V的电池电压。此电平不是破坏性的，额定电压为30V的设备足以长期生存。但是，这种感觉仅在稳态下才是正确的，而在所谓的“甩负荷”期间则不正确。负载突降是一个术语，用于描述在发电机充电时突然断开电池连接的时间。对于12V系统，如果不考虑负载突降，可能会导致高达120V的尖峰电压，并且足以破坏设备。

为了抵消这种负载突降的情况，经常使用电涌保护电路，如TVS和压敏电阻。

在汽车中，甩负荷波形由ISO7637定义，如下图。峰值电压最大为125V。与IEC61000-4-5定义的标准相比，上升和脉冲宽度持续时间(T1和T)更长。

汽车电涌抑制器的理想位置

三、差分、单端信号的区别

 差分放大电路的应用很多，简单介绍差分信号、单端信号的概念及差分放大电路的作用，方便大家对差分放大电路相关知识有所了解。
什么是单端信号？什么是差分信号？
    单端传输是指用一根信号线和一根地线来传输信号，信号线上传输的信号就是单端信号。

    优点是简单方便，缺点是抗干扰能力差。

    差分传输是指在两根线上都传输信号，这两个信号的大小相等，极性相反，这两根线上传输的信号就是差分信号(差模信号)。

    优点是抗干扰能力强，缺点是电路比单端传输的复杂。

差分放大电路有什么作用？
    差分放大电路又称为差动放大电路，当该电路的两个输入端的电压有差别时，输出电压才有变动，因此称为差动。差分放大电路有差模和共模两种基本输入信号，那么什么是共模信号呢？

    当两输入端所接信号大小相等，极性相反时，称为差模输入信号；

    当两输入端所接信号大小相等、极性相同时，称为共模信号。

    实际应用中，温度的变化各种环境噪声的影响时共模噪声，也称为对地噪声，指的是两根线分别对地的噪声。
    差分放大电路时直接耦合放大电路的基本组成单元，对于共模信号起到很强的抑制作用，未对差模信号起到放大租用，并且电路的放大能力与输出方式有关。

四、单片机系统EMC测试和故障排除

对于从事单片机应用系统（软硬件）设计的工程技术人员来说，掌握一定的EMC测试技术是十分必要的。

关于EMC

EMC：Electromagnetic Compatibility，即电磁兼容性。指设备或系统在其电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁骚扰的能力。

它包括电磁干扰（EMI）和电磁敏感性（EMS）两部分。由于电器产品在使用时对其它电器有电磁干扰，或受到其它电器的电磁干扰，它不仅关系到产品工作的可靠性和安全性，还可能影响其它电器的正常工作，甚至导致安全危险，

EMC测试两大内容

1.对其向外界发送的电磁骚扰强度进行测试，以便确认是否符合有关标准规定的限制值要求；

2.对其在规定电磁骚扰强度的电磁环境条件下进行敏感度测试，以便确认是否符合有关标准规定的抗扰度要求。

单片机系统EMC测试

1.测试环境

为了保证测试结果的准确和可靠性，电磁兼容性测量对测试环境有较高的要求，测量场地有室外开阔场地、屏蔽室或电波暗室等。

2.测试设备

电磁兼容测量设备分为两类：一类是电磁干扰测量设备，设备接上适当的传感器，就可以进行电磁干扰的测量；另一类是在电磁敏感度测量，设备模拟不同干扰源，通过适当的耦合/去耦网络、传感器或天线，施加于各类被测设备，用作敏感度或干扰度测量。

3.测量方法

电磁兼容性测试依据标准的不同，有许多种测量方法，但归纳起来可分为4类；传导发射测试、辐射发射测试、传导敏感度（抗扰度）测试和辐射敏感度（抗扰度）测试。

4.测试诊断步骤

下图给出了一个设备或系统的电磁干扰发射与故障分析步骤。按照这个步骤进行，可以提高测试诊断的效率。

5.测试准备

①试验场地条件：EMC测试实验室为电波半暗室和屏蔽室。前者用于辐射发射和辐射敏感测试，后者用于传导发射和传导敏感度测试。

②环境电平要求：传导和辐射的电磁环境电平最好远低于标准规定的极限值，一般使环境电平至少低于极限值6dB。

③试验桌。

④测量设备和被测设备的隔离。

⑤敏感性判别准则：一般由被测方提供，并实话监视和判别，以测量和观察的方式确定性能降低的程度。

⑥被测设备的放置：为保证实验的重复性，对被测设备的放置方式通常有具体的规定。

6.测试种类

传导发射测试、辐射发送测试、传导抗扰度测试、辐射抗扰度测试。

7.常用测量仪

电磁干扰（EMI）和电磁敏感度（EMS）测试，需要用到许多电子仪器，如频谱分析仪、电磁场干扰测量仪、信号源、功能放大器、示波器等。由于EMC测试频率很宽（20Hz～40GHz）、幅度很大（μV级至kW级）、模式很多（FM、AM等）、姿态很多（平放、斜放等），因此正确地使用电子仪器非常重要。

测量电磁干扰的合适仪器是频谱分析仪。频谱分析仪是一种将电压幅度随频率变化的规律显示出来的仪器，它显示的波形称为频谱。频谱分析仪克服了示波器在测量电磁干扰中的缺点，能够精确测量各个频率上的干扰强度，用频谱分析仪可以直接显示出信号的各个频谱分量。

电磁兼容故障排除技术

1.传导型问题的解决

①通过串联一个高阻抗来减少EMI电流。

②通过并联一个低阻抗将EMI电流短路到地或引到其它回路导体。

③通过电流隔离装置切断EMI电流。

④通过其自身作用来抑制EMI电流。

2.电磁兼容的容性解决方案

一种常见的现象是不把滤波电容的一侧看成直接与一个分离的阻抗相连，而看成与传输线相连。典型的情况是，当一条输入输出线的长度达到或超过1/4波长时，该传输线变“长”。

实际可以用下式近似表示这种变化：l≥55/f

式中：l单元为m，f单位为MHz。这个公式考虑了平均传播速度，它是自由空间理论的0.75倍。

a. 电介质材料及容差

电磁干扰滤波使用的大部分电容是无极性电容。

b. 差模（线到线）滤波电容性电容。

c. 共模（线到地/机壳）滤波电容

共模（CM）去耦通常使用小电容（10～100nF）。小电容可以将不期望的高频电流在其进入敏感电路之前或在其离噪声电路较远时就将其短路到机壳上去。为了得到良好的高频衰减电路，减小或消除寄生电感是关键之所在。因此有必要使用超短导线，尤其希望使用无引线元器件。

3.感性、串联损耗电磁兼容解决方案

就电容而言，Zs和Z1如果不是纯电阻的话，在计算频率时，要使用它们的实际值。电容器串联在电源或信号电路时，必须满足：

①流过的工作电流不应该引起电感过热或过大的有过之而无不及降；

②流过的电流不能引起电感磁饱和，尤其是对高导磁材料是毫无疑问的。

解决方案有以下几种：

• 磁芯材料；
• 铁氧体和加载铁氧体的电缆；
• 电感、差模和共模；
• 接地扼流圈；
• 组合式电感电容元件。

4.辐射型问题的解决

在很多情况下，辐射电磁干扰问题可能在传导阶段产生并被排除，还有些解决方案是可以抑制干扰装置在辐射传输通道上，就像场屏蔽那样工作。根据屏蔽理论，这种屏蔽的效果主要取决于电磁干扰源的频率、与屏蔽装置之间的距离以及电磁干扰场的特性——电场、磁场或者平面波。

结语

在实际EMC测试应用中，除了通过标准资格实验室的鉴定测试以外，还有两种可行的方法也是被业界所认可的：TCF（Technical ConstrucTIon File）和Self CeriTIfication(自检证明)。

抗干扰能力测试是十分实用的测试项目。实现电磁兼容的最好办法是，将所有的数字及模拟电路均视为对高频信号响应的电路，用高频设计方法来处理电费屏蔽、PCB布线和共模滤波。采用整块地平面和电源面也很重要，对模拟电路也该如此，这样做有利于限制高频共模环环。大多数瞬态干扰均属高频，并产生很强的辐射能量。

五、STM32时钟配置的坑

一是，为什么我们要先开启STM32外设时钟；二是，关于STM32的 I/O 复用功能及什么时候开启AFIO时钟

 STM32为什么要先开启外设时钟？ 

相信很多朋友都曾遇到过这种坑，我最初学习STM32的时候同样也遇到过。下面，我就来说说为什么我们要先开启STM32外设模块时钟，再对其外设模块初始化配置？

1、系统架构

不同类型的STM32，它的系统架构各有不同，但原理都类似，由多条主控总线和多条被控总线组成

以STM32F4为例：

● 八条主控总线：

— Cortex™-M4F 内核 I 总线、 D 总线和 S 总线

— DMA1 存储器总线

— DMA2 存储器总线

— DMA2 外设总线

— 以太网 DMA 总线

— USB OTG HS DMA 总线

● 七条被控总线：

— 内部 Flash ICode 总线

— 内部 Flash DCode 总线

— 主要内部 SRAM1 (112 KB)

— 辅助内部 SRAM2 (16 KB)

— 辅助内部 SRAM3 (64 KB)（仅适用于 STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 器件）

— AHB1 外设（包括 AHB-APB 总线桥和 APB 外设）

— AHB2 外设

— FSMC

借助总线矩阵，可以实现主控总线到被控总线的访问，这样即使在多个高速外设同时运行期间，系统也可以实现并发访问和高效运行。

2、关于AHB和APB总线

AHB：Advanced High-performance Bus，即先进的高性能总线。

APB：Advanced Peripheral Bus，即先进的外围（外设）总线。

上面说了系统总线的架构引伸出来的就是AHB和APB总线，那为什么要讲述AHB和APB总线呢？

我们操作的外围设备一般都是位于AHB和APB总线上，而AHB可以引伸出AHB1、AHB2，甚至AHB3。同样APB也存在APB1、APB2等。

比如，USART1外设位于APB1总线上，GPIOA位于AHB1高速总线上。

请注意参考手册中“AHB/APB 总线桥”这一小节，有一条重要的内容：每次芯片复位后，所有外设时钟都被关闭（ SRAM 和 Flash 接口除外）。使用外设前，必须在 RCC_AHBxENR 或 RCC_APBxENR 寄存器中使能其时钟。

3、STM32时钟控制

STM32的时钟控制模块因MCU芯片不同，各有差异，但原理都类似，功能也相当丰富。主要的目的就是给相对独立的外设模块提供时钟，也是为了降低整个芯片的功能。

降低功耗是主要原因，还有一个原因，就是为了兼容不同速度的设备，有些高速，有些低速，如果都用高速时钟，势必造成浪费。

RCC给外设提供时钟是一个主要目的，那么为什么要提供时钟呢？ 原因在于外围设备的寄存器需要时钟才能工作。你可以把外设当做一个设备，而这个设备需要给它提供电源（时钟）才能工作。

你在STM32参考手册的“RCC”章节可能会看到这么一句话：当外设时钟没有启用时，软件不能读出外设寄存器的数值，返回的数值始终是0x0。

4、总结

看到这里，相信聪明的你已经明白了为什么我们要先开启STM32外设模块时钟，再配置其外设模块了。

简单来说，就是操作外设是通过外设总线来实现，只有外设总线有时钟了才能操作外设。

坑：

A.先使能外设时钟，再对其进行配置

B.时钟配置需对应总线

这种基于标准外设库的低级错误，相信肯定有不少人遇到过，希望提高警惕。

 AFIO复用时钟

有朋友问：“什么时候开启AFIO时钟”。写了上面章节，就顺便再讲述一下关于STM32的I/O复用功能及什么时候开启AFIO时钟。

1、什么是I/O 复用功能？

简单来说，就是把普通I/O用作其它的功能。如：将PA9引脚用作USART1的Tx引脚，那么我们就把这个Tx引脚称为PA9的复用功能。

打开数据手册，会发现类似如下的列表：

2、什么时候开启AFIO时钟？

为了优化芯片引脚封装的外设数目，可以把一些复用功能重新映射到其他引脚上。设置复用重映射和调试I/O配置寄存器实现引脚的重新映射。这时，复用功能不再映射到它们的原始分配上，而是映射到“重定义功能”上（见上图）。

这种将引脚重定义到其它引脚上的功能在几乎所有STM32芯片中都有这个功能，但是实现的方法可能有所不同，其中STM32F1就是通过事件控制的方式将特定功能引脚连接到对应PORT和PIN上。

简单来说，如果需要使用重定义功能，那么就需要开启AFIO时钟。

最后，如果觉得你的程序可能是因为时钟配置的问题，不妨上电第一步使能所有时钟试试。

 

原创作者: whaosoft 转载于: https://blog.51cto.com/whaosoft/11641400