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原创 天线学习3
1 dbm分贝毫瓦Adbm=10lgP , P的单位是毫瓦如手机GSM最大功率2W,换成分贝毫瓦33dbmWCDMA最大功率为200MW 23dbm2Bdbm-Cdbm=Adb3db意味着功率翻倍10Lg B/A=10lg2=3db43dbm+3db=46dbm
2021-10-23 23:46:32 51
原创 移动通信2学习
目前移动通信采用蜂窝分布1扇区 2小区地下室和电梯内面无法通信,需要 使用“室内分布”手机一般通过接入网,再通过核心网,核心网有交换机功能,寻找对方用户。IMSI用户识别码,用于识别SIM卡IMEI 移动设备识别码TMSI临时用户识别码香家定理:C=B*LOG2(1+S/N)工作主要任务提高信噪比...
2021-10-23 23:36:07 48
原创 移动通信学习1
4G:移动 TD-LTE 分时发送和接收电信和联通:FDD-LTE 可同时接收和发送,理论速率更快LTE技术不技术打电话,因此使用CSFB技术,打电话时切到2G和3G.VOLTE技术;高清语音技术,可不用切23G,通过IMS外挂系统,可实现打电话功能。网速:100Mbps 100MB, B是字节=8bit...
2021-10-23 23:18:33 38
原创 架构层面看低功耗
1Architectural Clock Gating时钟不用时关闭,降低功耗。2Power Gating可动态关闭部分模块电源,以降低功耗。例如玩游戏时,用多个小核运行,当游戏轻载或人物挂了时,关闭部分CPU电源,以降低功耗。3State Retention4如果某些block被shutdown, 那么有时我们需要恢复供电时system state能迅速恢复, 存储state这个操作能避免彻底reset, 省时省power.5Multi-Voltage不同模块用不同的电压6Memory将
2021-10-10 12:03:30 162
原创 低功耗设计基础:DVS, AVS和DVFS都是如何降低功耗的?
https://zhuanlan.zhihu.com/p/270671041由于生产工艺的差异,导致有三种高中慢片,因此可对慢片提高电压、提高工作频率,而对快片可降低电压,以降低功耗。目前有2种方法解决此问题,AVFS和DVFS,目前常用DVFS,原因是采用几个固定的档位和频率,简单。...
2021-10-09 23:39:50 1859
原创 RISCV AI SOC实战(三,SOC的功耗管理)
https://zhuanlan.zhihu.com/p/161787237主要讲述了通过判断时钟和电源来优化功耗,可以试分析一下高通待机哪些电源和时钟在待机需要关闭。
2021-10-09 23:13:43 200
原创 低功耗设计基础:Multi-Vth
https://zhuanlan.zhihu.com/p/53892494静态漏电流主要部分为sub-threshold:Vth(Vt)越大,对应的Isub越小,反之Isub就越大。进一步地说,就是Vth越小,leakage power越大,Vth越大,leakage power越小。同时我们知道Vth还与器件的速度息息相关,那我们就可以总结出Vth与速度,leakage之间满足如下关系:例如高通芯片大小核采用更低的VTH域值CMOS管,而LP CPU(处理音频和SENSOR)采用更高的VTH.
2021-10-09 22:57:16 598
原创 低功耗设计基础:概念篇
https://zhuanlan.zhihu.com/p/47483274功耗优化分为3大方向:1减小芯片面积:优化芯片架构,缩减逻辑功能,升级生产工艺。2优化实现:降低芯片工作电压、降低芯片工作频率、采用低功耗IP以不同的速度运行。3关断芯片部分功能:关断部分时钟、关断未使用功能模块、芯片中不同区域采用不同电压。...
2021-10-09 22:37:23 181
原创 数字后端基础之:芯片的整体功耗是如何计算出来的?
引用:https://zhuanlan.zhihu.com/p/35327895功耗:静态+动态功耗泄漏电流(Leakage Current) = 漏极->N-Well + Gate->N-Well + 源极->漏极动态功耗(Dynamic Power):主要是由于芯片中的寄生RC电路的充放电引起的。换言之,当芯片中的电路出现任何信号翻转,都将会产生dynamic power,其中所占最大比例的就是clock信号的翻转。...
2021-10-09 22:14:55 863
空空如也
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