电池保护板原理---非原创

关键词：电池保护芯片、两个NMOS 以D极连在一起的串联方式，为我们创造出来一种通路方向随意可控的电路  很值得应用

贴个图，发现了一个把电池保护板工作过程的叙述很清楚芯片

 

分析：

■正常状态

在正常状态下，DW01B 由电池供电，其VDD 端电压在过电压充电保护阈值VOC 和过电压放电

保护阈值VOD 之间，VM 端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，

CO 端和DO 端都输出高电平，外接充电控制N-MOS 管Q1 和放电控制N-MOS 管Q2 均导通。时，

既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。

■过电压充电保护状态

保护条件

正常状态下，对电池进行充电，如果使VDD 端电压升高超过过电压充电保护阈值VOC，且持续时

间超过过电压充电保护延迟时间tOC，则DW01B 将使充电控制端CO 由高电平转为VM 端电平（低电

平），从而使外接充电控制N-MOS 管Q1 关闭，充电回路被“切断”，即DW01B 进入过电压充电保

护状态。

恢复条件

有以下两种条件可以使DW01B 从过电压充电保护状态恢复到正常状态：1）电池由于“自放电”

使VDD端电压低于过电压充电恢复阈值VOCR；2）通过负载使电池放电（注意，此时虽然Q1 关闭，

但由于其体内二极管的存在，使放电回路仍然存在），当VDD 端电压低于过电压充电保护阈值VOC，

且VM 端电压高于过电流放电保护阈值VEDI（在Q1 导通以前，VM 端电压将比VSS 端高一个二极管

的导通压降）。

DW01B 恢复到正常状态以后，充电控制端CO将输出高电平，使外接充电控制N-MOS 管Q1 回

到导通状态。

DW01B 进入过电压充电保护状态后，如果外部一直接有充电器，致使VM 电压小于充电器检测

电压（VCHG），那么即使当其VDD 降至VOCR 以下，DW01B也不会恢复到正常状态。此时必须去

掉充电器，DW01B才会回到正常状态。

■过电压放电保护/低功耗状态

保护条件

正常状态下，如果电池放电使VDD 端电压降低至过电压放电保护阈值VOD，且持续时间超过过电

压放电保护延迟时间tOD，则DW01B 将使放电控制端DO 由高电平转为VSS 端电平（低电平），从

而使外接放电控制N-MOS 管Q2 关闭，放电回路被“切断”，即DW01B进入过电压放电保护状态。

同时，VM 端电压将通过内部电阻RVMD 被上拉到VDD；

在过电压放电保护状态下，VM 端（亦即VDD 端）电压总是高于电池短路保护阈值VSHORT，满

足此条件后，电路会进入“省电”的低功耗模式。此时，VDD 端的电流将低于0.7μA。

恢复条件

对于处在低功耗模式下电路，如果对电池进行充电（同样，由于Q2 体内二极管的存在，此时的充

电回路也是存在的），使DW01B 电路的VM 端电压低于电池短路保护阈值VSHORT，则它将恢复到

过电压放电保护状态，此时，放电控制端DO 仍为低电平，Q2 还是关闭的。如果此时停止充电，由于

VM 端仍被RVMD 上拉到VDD，大于电池短路保护阈值VSHORT，因此DW01B又将回到低功耗模式；

只有继续对电池充电，当VDD 端电压大于过电压放电保护阈值VOD 时，DW01B 才可从过电压放电

保护状态恢复到正常状态。

如果不使用充电器，由于电池去掉负载后的“自升压”，可能会使VDD 端电压超过过电压放电恢

复阈值VODR，此时DW01B也将从过电压放电保护状态恢复到正常状态；

DW01B 恢复到正常状态以后，放电控制端DO将输出高电平，使外接充电控制N-MOS 管Q2 回

到导通状态。

■过电流放电/电池短路保护状态

保护条件

正常状态下，通过负载对电池放电，DW01B 电路的VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如

果放电电流增加使VM 端电压超过过电流放电保护阈值VEDI，且持续时间超过过电流放电保护延迟时

间tEDI，则DW01B进入过电流放电保护状态；如果放电电流进一步增加使VM 端电压超过电池短路保

护阈值VSHORT，且持续时间超过短路延迟时间tSHORT，则DW01B 进入电池短路保护状态。

DW01B 处于过电流放电/电池短路保护状态时，DO 端将由高电平转为VSS 端电平，从而使外接

放电控制N-MOS 管Q2 关闭，放电回路被“切断”；同时，VM端将通过内部电阻RVMS 连接到VSS，

放电负载取消后，VM 端电平即变为VSS 端电平。

恢复条件

在过电流放电/电池短路保护状态下，当VM 端电压由高降低至低于过电流放电保护阈值VEDI，且

持续时间超过过电流放电恢复延迟时间tEDIR，则DW01B 可恢复到正常状态。因此，在过电流放电/

电池短路保护状态下，当所有的放电负载取消后，DW01B 即可“自恢复”。

DW01B 恢复到正常状态以后，放电控制端DO将输出高电平，使外接充电控制N-MOS 管Q2 回到

导通状态。

充电器检测

DW01B 处于过电压放电保护状态下，如果外部接有充电器，致使VM 端电压低于充电器检测电压

（VCHG），则只要DW01B 的VDD 电压大于VOD，DW01B 即可恢复到正常状态；如果充电器电压

不能使VM 端电压低于VCHG，则VDD 电压必须大于VODR，DW01B才能恢复到正常状态。这就是通

常所说的充电器检测功能。