LC VCO 的设计

理想振荡器只有电感和电容,会一直振荡下去。但是实际的振荡器存在一定的寄生电阻并联在RC两端,会使振幅变小。因此需要RC旁边再并联一个负电阻以此来抵消寄生电阻的影响。一般会选择负阻提供的能量为寄生电阻能量的的2-3倍。如果负阻跟RC并联,那么负阻的阻值要<2-3倍寄生电阻阻值。如果负阻和RC串联,那么负阻的阻值要>2-3倍寄生电阻阻值。

下面讲如何通过仿真仿出RC网络寄生电阻和振荡频率的大小。

LC_VCO设计的核心是确定L和C的值。随着L值越大,其功耗也越大,相位噪声越好;C的值越大,相位噪声越小,功耗也越小。一般取f*L=5,先确定频率的值,然后根据频率确定L的值,再根据下式确定C的值。

f=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}

取L为1nH,C为440fF,通过上式计算理论值为7.59GHZ

ADE仿真后,result-direct plot-main form,如下图,点击Z11

仿真结果f=7.66GHZ与理论结果差不多,寄生电阻 为2.23KΩ

仿真电感值和Q值

Q=\frac{L\omega }{R}

Z=R+jX

R=real\left ( Z \right )

L=\frac{imag\left ( Z \right )}{2\pi f}

Q=\frac{imag\left ( Z \right )}{real\left ( Z \right )}

imag(Z)代表虚部,real(Z)代表实部。

仿真方法

上面右图imag为虚部,real为实部。计算公式如下图,xval函数为取横坐标

电感自谐振频率仿真

在电感上并联一个ac电流源仿ac仿真查看dB20

最常见的LC振荡器有两种:一种是带尾电流源的结构,一种是去掉尾电流源的结构。两种结构各有优缺点。带尾电流源的结构的LC振荡器,其功耗相对好控制,但其尾电流源的闪烁噪声,会通过差分对管的混频特性上变频变成相位噪声。解决的办法,通常是在尾电流源并联一个大电容,相当于提供一个低通滤波器的作用,电容大小的选取,要使低通滤波器的截止频率位于基波频率\omega _{0 }和2\omega _{0}之间。去掉尾电流源的结构,可以有效的克服尾电流源产生的相位噪声,但其缺点是降低了输出节点的阻抗。当差分信号相差大于一个V_{th}时,两个MOS管必然有一个进入线性区,使得差分信号有了一个到地的低阻抗通路存在,这样就会消耗电感电容振荡回路的Q值,从而恶化相位噪声。但在低压工艺下,我们一般选取没有尾电流的电路结构,因为信号的摆幅对相位噪声影响特别明显。

可变电容的仿真

port电压设置为x 

对输出曲线除以6.28

可以看到可变电容随电压的变化曲线

实践:设计一个振荡频率为10G的VCO

首先根据f*L=5,可以得到电感L的值大约为0.5nH。再根据f=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}可以计算出电容的值大约为507fF。

搭一个开关电容阵列,在开关打开的时候,电容并进来,开关关闭的时候,电容断开

搭建一个RC网络,固定电容+可变电容+寄生电容大约为500fF

仿真在不同corner下的频率,可以看到最低的电阻值为345欧姆左右,因此根据负阻的能量要大于2到3倍正阻的能量

\left | -\frac{2}{gmn+gmp} \right |\leq \frac{R}{3}

可以计算出gmn和gmp需要大于\frac{3}{R},即gmn和gmp需要大于8.7mS

选择供电电流源为3mA,根据nmos和pmos的跨导大小确定宽长比

跑瞬态仿真和dc仿真,通过dc仿真查看MOS管的跨导,瞬态仿真起振的方法有两种,这里先采用第一种设置最大步长的方式

可以振荡

观察振荡频率,约为9.95MHZ

第二种起振方式,给电路中某些节点赋初始值

可以看到也可以起振

查看振荡频率约为9.92GHZ

pss和pnoise仿真

可以看到可变电容变化时的VCO的频率变化,对其求导就是KVCO

 

下图为KVCO的变化

仿真pnoise

1M处pnoise约为-100dB

查看噪声

最主要噪声来源是开关电容里面的MOS开关,可以增大其尺寸以减小噪声贡献

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