文档介绍:
会计学
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微机原理第五章存储器
存储器分类
一、按用途分类
1、内部存储器
通过CPU地址线可以寻址访问的存储器称为内部存储器,又称内存、主存储器。
内存用于存放当前正在使用的程序和数据。
内存储器
随机存取存储器RAM
只读存储器ROM
外存储器
磁存储器
半导体存储器
光存储器
存储器
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2、外存储器
外存储器无法通过CPU地址线寻址访问。以文件名方式,通过驱动器等专用设备将文件中的程序或数据输入到内存后供CPU处理。CPU处理过程中的中间结果存放在内存中。CPU处理结束后,将最终结果存入外存储器。
外存储器有软盘、硬盘、光盘、闪存(优盘)、磁带等。
外存储器与内存相比的特点是
1、存储容量大,不受CPU地址线的限制;
2、外存储器需专用的设备进行管理;
3、外存储器可长期保存文件(程序或数据);
4、外存储器的读写速度较慢。
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二、按内部存储器性质分类
ROM
ROM(掩膜不可编程)
PROM(可编程)
PROM
EPROM
EEPROM
RAM
TTL RAM
MOS RAM
SRAM
DRAM
速度快,存取时间为几n s ~几百 n s 级
半导体存储器的特点:
集成度高
双极型(TTL):速度快,功耗大,集成度低
单极型(MOS):价格便宜,功耗低,集成度高
半导体
内部存储器
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随机存取存储器RAM
CPU按地址对RAM进行读写操作。断电后,数据丢失。
(1) SRAM—— 静态RAM
SRAM 基本电路(1位)是由6门MOS管组成的双稳态电路。
SRAM 的集成度较低、功耗较大、存取速度非常快、价格贵。用于高速数据缓冲器 Cache。
(2) DRAM ——动态RAM
DRAM 基本电路(1位)是由一个晶体管和一个电容组成。由电容存储信号。电容电压在5ms内会消失,所以需额外的刷新电路。为确保存储器信息正确,每隔 一个刷新周期,按行刷新一次。即原C上是1,仍是1;原是0,仍是0。
DRAM 的集成度高,运行速度比SRAM慢2~5倍,价格便宜。用于计算机的标准内部存储器。
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片选CE
读允许OE
写允许WE
功 能
0
1
0
按地址写入
0
0
1
按地址读出
1
×
×
未选中,DB高阻
控制真值表
A0
A10
~
CE1
CE2
WE
OE
D0
D7
~
6116
地址线11条 容量2KB
A0
A12
~
CE1
CE2
WE
OE
D0
D7
~
6264
地址线13条 容量8KB
A0
A13
~
CE1
CE2
WE
OE
D0
D7
~
62128
地址线14条 容量16KB
SRAM芯片
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读取时间
存储器地址
数据输出
地址线
数据线
片选线
二、静态读写存储器的工作时序
1、存储器的读周期
读周期
RD为低电平
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