一、单片机中常用的负电压是怎样产生的
负电压的产生电路图原理
在电子电路中我们常常需要使用负电压，比如说我们在使用运放的时候常常需要建立一个负电压。下面就简单的以正5V电压到负电压5V为例说一下它的电路。
通常需要使用负电压时一般会选择使用专用的负压产生芯片，但这些芯片都比较贵，比如ICL7600，LT1054等。差点忘了MC34063了，这个芯片使用的最多了，关于34063的负压产生电路这里不说了，在datasheet中有的。下面请看我们在单片机电子电路中常用的两种负电压产生电路。
现在的单片机有很多都带有了PWM输出，在使用单片机的时候PWM很多时候是没有用到的，用它辅助产生负压是不错的选择。
上面的电路是一个最简单的负压产生电路了。使用的原件是最少的了，只需要给它提供1kHz左右的方波就可以了，相当简单。这里需要注意这个电路的带负载能力是很弱的，同时在加上负载后电压的降落也比较大。
由于上面的原因产生了下面的这个电路：
负电压产生电路分析
电压的定义：电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功，电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。
说白了就是：某个点的电压就是相对于一个参考点的电势之间的差值。V某=E某-E参。一般把供电电源负极当作参考点。电源电压就是Vcc=E电源正-E电源负。
想产生负电压，就让它相对于电源负极的电势更低即可。要想更低，必须有另一个电源的介入，根本原理都是利用两个电源的串联。电源2正极串联在参考电源1的负极后，电源2负极就是负电压了。
一个负电压产生电路：利用电容充电等效出一个新电源，电容串联在GND后，等效为电源2，则产生负电压。
1、电容充电：当PWM为低电平时，Q2打开，Q1关闭，VCC通过Q2给C1充电，充电回路是VCC-Q2-C1-D2-GND，C1上左正右负。
2、电容C1充满电。
3、电容C1作为电源，C1高电势极串联在参考点。C1放电，从C2续流，产生负电压。
当PWM为低电平时，Q2关闭，Q1打开，C1开始放电，放电回路是C1-C2-D1，这实际上也是对C2进行充电的过程。C2充好电后，下正上负，如果VCC的电势为5点几伏，就可以输出-5V的电压了。
产生负电压（-5V）的方案。
7660和MAX232输出能力有限，做示波器带高速运放很吃力，所以也得用4片并联的方式扩流。第一版是7660两片并联的。
用普通的DC/DC芯片都可以产生负电压，且电压精确度同正电压一样，驱动能力也很强，可以达到300mA以上。
一般的开关电源芯片都能产生负电压，实在不行用开关电源输出的PWM去推电荷泵，也可以产生较大的电流，成本也很低，不知纹波要求多少，电荷泵用LC滤波之后纹波相当小的。7660是电荷泵，所以电流很小。
整个示波器的设计，数字电源的+5V和模拟电源的+５V是分开供电的，但是数字地和模拟地应该怎么处理呢？
数字地和模拟地是一定要连在一起的，不然电路没法工作。
数字部分的地返回电流不能流过模拟部分地，两个地应该在稳定的地参考点连在一起。
负电压的意义
- 人为规定
例如电话系统里是用-48V来供电的，这样可以避免电话线被电化学腐蚀。当然了，反着接电话也是可以工作的，无非是电压参考点变动而已。 - 通讯接口需要
例如RS232接口，就必须用到负电压。-3V～-15V表示1，+3～+15V表示0。这个是当初设计通讯接口时的协议，只能遵守咯。PS:MAX232之类的接口芯片自带电荷泵，可以自己产生负电压。 - 为（非轨到轨）运放提供电源轨
老式的运放是没有轨到轨输入/输出能力的，例如OP07，输入电压范围总是比电源电压范围分别小1V，输出分别小2V。这样如果VEE用0V，那么输入端电压必须超过1V，输出电压不会低于2V。这样的话可能会不满足某些电路的设计要求。为了能在接近0V的输入/输出条件下工作，就需要给运放提供负电压，例如-5V，这样才能使运放在0V附近正常工作。不过随着轨到轨运放的普及，这种情况也越来越少见了。 - 自毁电路
一般来说芯片内部的保护电路对于负电压是不设防的，所以只要有电流稍大，电压不用很高的负电压加到芯片上，就能成功摧毁芯片。
二、电机控制器中的MOS驱动
通用MCU或DSP的IO电压通常是5V\3.3V，IO的电流输出能力在20MA以下，不足以直接驱动功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP来设计电机驱动器时，通常需要搭配外部的MOSFET驱动器，我们称之为“预驱”。在设计汽车风机、水泵、油泵等电机驱动控制器时，使用车规MCU+车规预驱+车规N沟道功率MOSFET，可以适配不同功率、各种通信方式和各种驱动方式。
控制器中的功率MOS驱动
如上图直流无刷电机驱动电路，三相直流无刷电机（包括BLDC和PMSM）功率级驱动电路使用6个N沟道功率MOS构成三相全桥，分为三个连接到电源正极（VBus）的高边MOS和三个连接到电源负极的低边MOS。
控制器通过控制六个MOS的通断，完成换相，使电机按照预期转动。电机在运转过程中可能会遇到堵转而导致过流，因此MOS驱动电路需要具有保护功能，以防止烧坏控制器或电机。
对于单个NMOS来说，在开通时，需要提供瞬间大电流向MOS内的寄生电容充电，栅源电压（VGS）达到一定阈值后，MOS才能完全开通。在MOS开通后，还需要维持合适的栅源电压（VGS），才可以保持开通状态。
对于低边MOS，其源极（S）接到电源负极，栅源电压容易满足，驱动较简单。
对于高边MOS，其源极（S）接到电机相线，其电压是不确定的，如果需要开通，需要通过自举电路提供栅极电压，驱动较复杂。
上图是VGS与RDSON的关系图，一般情况下，MOS的导通内阻都如上图所示，随着VGS的增大而降低，但VGS大于10V之后，下降曲线变得平缓。为了达到最小的导通电阻(RDSON)，VGS的取值通常为10~15V。
三、运算放大器
高精度运算放大器可用于配置分流电阻电流传感器。使用高精度运算放大器，特别是ABLIC的零漂移放大器，可以在整个温度和工作电压范围内实现高精度电流传感器。但是您是否遇到过运算放大器振荡、未能达到检测精度的设计目标或无法降低外部噪声影响等设计问题?
介绍使用高精度运算放大器设计低侧或高侧分流电阻电流传感器的一个易于遵循的示例。
目录表
1.电流传感器的类型和特性以及为什么要使用分流电阻电流传感器
2.分流电阻电流传感器需要什么类型的运算放大器(信号放大器电路)?
3.高精度运算放大器的类型和零漂移放大器的优点
4.解决您的设计问题!
5.ABLIC的开发支持服务与客户的设计努力相吻合
6.ABLIC推荐的零漂移放大器
1. 电流传感器的类型和特性以及为什么要使用分流电阻电流传感器
●电流传感器的类型和特性
电流传感器用来测量流过电路的电流。
电流传感器有多种类型(分流电阻，磁性等)如下图所示，所需传感器的类型取决于其要用于的电流区域。
因此，了解不同的传感器类型并为应用使用正确的电流传感器至关重要。
●为什么使用分流电阻电流传感器?
分流电阻电流传感器的低成本和高精度电流检测使其成为上述三种电流传感器中最常用的一种。因此，它被广泛用于汽车和工业设备中的电池电流监测等应用，这些应用需要高精度检测到几十安培或更低，以及电磁阀操作液压执行器的电流控制应用。
2. 分流电阻电流传感器需要什么类型的运算放大器(信号放大器电路)?
分流电阻电流传感器由分流电阻和放大器(信号放大电路)组成，用于放大传感器中的压降。
由于几十安培流过分流电阻就足以引起功率损失和发热问题，因此使用了具有低电阻的分流电阻。由于在分流电阻中发生的电压降是微小的，这需要一个能够精确放大微小输入信号的放大器。该放大器采用高精度运算放大器。
使用1mΩ分流电阻检测10A电流，精度为±1%
3.高精度运算放大器的类型和零漂移放大器的优点
输入偏置电压随输入信号放大。因此，具有低输入偏置电压和低温度漂移的高精度运算放大器广泛用于电流传感器和其他需要高精度放大微小信号的应用。
●高精度运算放大器的种类
根据输入偏置电压的校正方式，高精度运算放大器分为两种。
1.零漂移的普通高精度运算放大器
这是一种不自动校正输入偏置电压的运算放大器。每个运算放大器在出厂前都经过修整，以尽量减少输入偏置电压。
2.零漂移放大器
这种类型的运算放大器可以自动校正输入偏置电压。这个运算放大器集成了一个电路，在工作期间自动最小化输入失调电压。
●零漂移放大器的优点
输入偏置电压如何校正的差异反映在输出电压特性上。零漂移放大器自动校正输入偏置电压，并将在任何时候最小化输入偏置电压，而不受环境温度或运放共模输入电压波动的影响。
ABLIC提供全系列的通用和汽车用零漂移运算放大器产品。
3.解决您的设计问题!
介绍了一种采用零漂移放大器构成的并联电阻电流传感器的设计实例
下面描述了一个使用S-19630A零漂移放大器配置的分流电阻电流传感器的详细设计示例。
S-19630A是一款零漂移运算放大器，工作范围宽(4.0至36V)，输入失调电压低，最大±50μV。±25nV/°C的低输入偏置电压漂移
使用S-19630A设计电流传感器可以做到以下几点。
●由于其低输入偏置电压和低输入偏置电压漂移特性，可以设计出非常高精度的电流传感器，其电流检测结果不受温度和电源电压波动的影响。
●其广泛的工作范围可以直接连接到5V, 12V或24V系统。
●输入轨对轨允许低侧和高侧电流检测。
1. 低侧电流检测设计实例
●电流传感器设计规范
●设计过程
●电流传感器设计结果
●线路图
2.高侧电流检测设计实例
●电流传感器设计规范
●设计过程
●电流传感器设计结果
●线路图
5. ABLIC的开发支持服务与客户的设计努力相吻合
ABLIC的运算放大器产品提供各种服务，以帮助客户克服电路开发的每个步骤中的问题或问题。我们的产品符合所有主要的汽车标准。
●协助建议电路和设置常量的支持服务
ABLIC提供电路设计咨询。为了减少原型的数量、开发时间和开发成本，并优化应用的性价比，我们提出了外设部件和集成电路的最佳组合。
●电路仿真服务
电路设计完成后，运算放大器在器件评估中开始振荡!你遇到过这样的问题吗?ABLIC执行电路仿真服务，以确认运算放大器将在没有振荡的情况下工作
●提供PSpice模型的服务
ABLIC的零漂移放大器产品提供PSpice模型，以减少客户必须开发的原型数量。您可以从下面列出的页面下载模型。我们还提供咨询服务，帮助客户使用PSpice模型分析仿真结果。如果您感兴趣，请随时打电话给我们的销售部。
●评估板服务
ABLIC提供评估板，帮助客户对设备进行评估。而且不仅仅是评估板，还有安装有运算放大器ic和其他外围部件的板。如果您感兴趣，请随时打电话给我们的销售部。
6.ABLIC推荐的零漂移放大器
ABLIC提供广泛的通用和汽车用运算放大器系列。这些运算放大器推荐用于高精度，高耐压和轨对轨电流检测应用。
它们已被我们的客户用于广泛的应用。强烈推荐使用ABLIC零漂移运算放大器。
●车载运算放大器
●一般用途运算放大器
四、电机控制器中的MOS驱动
通用MCU或DSP的IO电压通常是5V\3.3V，IO的电流输出能力在20MA以下，不足以直接驱动功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP来设计电机驱动器时，通常需要搭配外部的MOSFET驱动器，我们称之为“预驱”。在设计汽车风机、水泵、油泵等电机驱动控制器时，使用车规MCU+车规预驱+车规N沟道功率MOSFET，可以适配不同功率、各种通信方式和各种驱动方式。
控制器中的功率MOS驱动
如上图直流无刷电机驱动电路，三相直流无刷电机（包括BLDC和PMSM）功率级驱动电路使用6个N沟道功率MOS构成三相全桥，分为三个连接到电源正极（VBus）的高边MOS和三个连接到电源负极的低边MOS。
控制器通过控制六个MOS的通断，完成换相，使电机按照预期转动。电机在运转过程中可能会遇到堵转而导致过流，因此MOS驱动电路需要具有保护功能，以防止烧坏控制器或电机。
对于单个NMOS来说，在开通时，需要提供瞬间大电流向MOS内的寄生电容充电，栅源电压（VGS）达到一定阈值后，MOS才能完全开通。在MOS开通后，还需要维持合适的栅源电压（VGS），才可以保持开通状态。
对于低边MOS，其源极（S）接到电源负极，栅源电压容易满足，驱动较简单。
对于高边MOS，其源极（S）接到电机相线，其电压是不确定的，如果需要开通，需要通过自举电路提供栅极电压，驱动较复杂。
上图是VGS与RDSON的关系图，一般情况下，MOS的导通内阻都如上图所示，随着VGS的增大而降低，但VGS大于10V之后，下降曲线变得平缓。为了达到最小的导通电阻(RDSON)，VGS的取值通常为10~15V。
四、MOS管驱动电路有几种
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。
1 电源IC直接驱动
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。
①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。
2 推挽驱动
当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。
这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
3 加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
如上图，是我之前用的一个电路，量产至少上万台，推荐使用。
用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。
还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。
4 隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。
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