晶体的负载电容到底怎么选择

晶体是我们数字电路的心脏，大家来看下晶体长啥样；

晶振的等效电路是这个，Co为静态电容，R是ESR串联等效阻抗，L和C分别是晶振等效电感和等效电容，C0>>C1

晶体接入数字芯片的电路如下

大家都看到了晶体的边上有两个电容，这两个电容我们称之为晶体负载电容。那么这两个负载电容怎么确定呢？

首先晶体的规格中有一个负载电容的参数Cl

Cl=Cg*CdCg+Cd+Cs

Cs为PCB的杂散电容+芯片IO电容，一般经验值为3-5pF，并且一般我们选Cg=Cd

比如我选的一颗晶体它的标称负载电容是16pF,Cs我选择3pF，那么我们外围电路负载电容Cg=Cd=26pF，就这么简单

并且，负载电容变大晶体震荡的频率变小，负载电容变小，晶体震荡频率变大。

下面我们来实际测量下

当我们Cg=Cd=Cl=16pF时，我们来看看晶体的震荡频率

当Cg=Cd=24pF时，我们来看看晶体的震荡频率

晶振的负载电容到底怎么选择