基于硅纳米晶体的发光器件

研究背景

硅长期以来被认为不适合光电子应用。由于其能带隙的间接性质，块状硅实际上是一种效率极低的光源。许多研究致力于开发能够作为发光体的基于Si的材料。量子限制在Si纳米结构中占据了主导地位，包括多孔Si、嵌入SiO2中的Si纳米晶体（nc）以及Si/SiO2超晶格，以及硅中稀土掺杂主导了基于硅的微光子学的科学场景。特别是，嵌入SiO2中的Si纳米晶体因其高稳定性和与Si技术的完全兼容性而受到广泛关注。这些Si纳米晶体具有比块状Si更大的能带隙，并且在可见光到近红外范围内表现出强烈的室温光致发光。

研究主旨

该论文讨论了基于硅纳米晶体的发光器件的进展，特别是在光电子领域的应用。通过控制硅浓度、退火温度、厚度和铒掺杂浓度等关键参数，可以实现从基于硅纳米晶体的器件中发出强烈稳定的电致发光信号。这种设备在可见或红外区域工作，在室温下运行，电压较低。研究还详细探讨了电致发光特性随电流密度和温度的变化，包括在电气泵浦下的激发截面计算。此外，论文还研究了Er掺杂硅纳米晶体的发光特性，展示了在1.54微米波长处高效的发光效果。

研究特点

长期以来，硅被认为不适合光电子应用。由于其能带隙的间接性质，块状硅实际上是一种低效的光源。许多努力致力于开发能够作为发光体的基于Si的材料。量子限制在Si纳米结构中占据主导地位，包括多孔Si、嵌入SiO2中的Si纳米晶体以及Si/SiO2超晶格，以及硅中稀土掺杂主导了基于硅的微光子学的科学场景。特别是，嵌入SiO2中的Si纳米晶体因其高稳定性和与Si技术的完全兼容性而受到广泛关注。

文章出处 基于硅纳米晶体的发光器件