SSD工作原理和基础知识（二）---- NAND闪存

一个工作5年后勇闯SSD存储领域的测试

于 2024-09-02 23:28:56 发布

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分类专栏： SSD存储文章标签：硬件架构

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一、什么是NAND闪存

NAND 闪存是一种非易失性存储器，不需要常规电源即可工作和保留数据。它的主要目标是非常快速地从内存读取和写入数据，并最大限度地利用其存储容量来存储数据、大数据并降低成本。

二、NAND 闪存的基本结构和组成

NAND Flash的基本结构和组成可以分为多个层次，从最小的存储单元到整个芯片。以下是详细的分解：

结构

Cell：基本存储单元，通过浮动栅晶体管存储数据。
Page：多个Cell组成一个Page，是最小的编程和读取单位。
Block：多个Page组成一个Block，是最小的擦除单位。
Plane：多个Block组成一个Plane。
Die：多个Plane组成一个Die。
Chip：多个Die封装在一个Chip中。

二、NAND闪存的类型及其特点和应用场景

1. SLC (Single-Level Cell)

特点：每个存储单元只能存储1比特数据（0或1），因此读取和写入速度最快，误码率最低，寿命最长（通常可达100,000 P/E循环）。=======（关于读取和写入速度为什么最快，需要补充数据写入和读取的过程相关内容）
应用场景：由于其高速度和高耐久性，SLC通常用于企业级存储设备、高性能计算（HPC）系统、军事应用和其他需要高度可靠性的领域。

2. MLC (Multi-Level Cell)

特点：每个存储单元能存储2比特数据（00、01、10、11），相对于SLC，MLC具有更高的存储密度，但耐久性较低（通常约为3,000至10,000 P/E循环），读取和写入速度也稍慢。
应用场景：MLC常用于消费级SSD、数据中心等应用中，提供了一定的性能与成本的平衡。

3. TLC (Triple-Level Cell)

特点：每个存储单元能存储3比特数据（000、001、010、...、111），存储密度更高，但耐久性进一步降低（通常约为500至3,000 P/E循环），读取和写入速度更慢。
应用场景：TLC常用于消费级SSD、USB闪存驱动器等应用中，主要针对成本敏感的市场。

4. QLC (Quad-Level Cell)

特点：每个存储单元能存储4比特数据（0000、0001、...、1111），具有最高的存储密度，但耐久性最差（通常约为100至1,000 P/E循环），速度也是最慢的。
应用场景：QLC主要用于大容量但低成本的存储设备，如入门级SSD、冷数据存储等。

5. 3D NAND

Vertically stacked cells to increase data storage density without increasing the material cost. 3D NAND or V-NAND comes in MLC, TLC and QLC technology, except for SLC, providing an increase in performance, endurance & more