传感技术复习笔记(3)——电阻应变计式传感器

1 应变效应

  • 导体或半导体材料在外界力(固体内部应力)的作用下产生机械变形时,其电阻值发生变化, 这种现象称为“应变效应”。

1.1 应变电阻的结构

在这里插入图片描述

  • 一根长l,截面积为A的金属电阻丝,在其未受力时,原始电阻值为: R = ρ l A R=\rho \frac{l}{A} R=ρAl
  • 当电阻丝(均质细棒)受到拉力 F 作用时,将伸长dl,横截面积相应减小dA,电阻率因材料晶格发生变形等因素影响而改变了dρ,从而引起电阻值相对变化量为:
    d R R = d ρ ρ − d l l + d A A \frac{dR}{R}=\frac{d\rho }{\rho }-\frac{dl}{l}+\frac{dA}{A} RdR=ρdρldl+AdA

1.2 灵敏系数 K

在这里插入图片描述
- 灵敏系数 K 受两个因素影响:
- 材料几何尺寸的变化, 即1+2μ;
- 材料的电阻率发生的变化, 即(dρ/ρ)/ε。
- 大量实验证明,在电阻丝拉伸极限内,电阻的相对变化与应变成正比,即K为常数。

2 金属和半导体

2.1 金属材料的应变电阻效应

  • 金属丝材的应变电阻效应以结构尺寸变化为主。
  • 金属材料的电阻相对变化与其线应变成正比。
  • 这就是金属材料的应变电阻效应。
  • 对金属或合金, 一般Km=1.8~4.8。

2.2 半导体材料的压阻效应

  • 压阻效应是指半导体材料,当某一轴向受外力作用时, 其电阻率ρ发生变化的现象。
  • 由于πE>>(1+2μ),因此半导体丝材的灵敏系数Ks≈πE。即半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。通常Ks=(50~80)Km。

2.3 金属-半导体应变片特性小结

2.3.1 灵敏度

  • 金属电阻丝: Km=1+2 m, m为金属材料的泊松系数, m =0.3~0.5
  • 半导体材料: Ks=(50~80)Km, 可测微小应变(600微应变),长度相对变化量为10-6mm/mm为1微应变

2.3.2 线性度

  • 金属电阻丝:非线性误差小,在较大测量范围内应变片灵敏系数基本不变
  • 半导体材料:非线性误差严重,测量范围小

2.3.3 动态特性

  • 金属电阻丝:响应速度在低频时较好,但随频率提高,响应速度有可能跟不上而导致失真
  • 半导体材料:因体积小,保证响应速度良好的频率范围较宽

3 电阻应变计的结构与类型

在这里插入图片描述

3.1 电阻应变计的结构

  1. 敏感栅:实现试件表面应变向电阻转换的敏感元件。通常由直径为0.015~0.05mm的金属丝绕成栅状,或用金属箔腐蚀成栅状。
  2. 基底:为保持敏感栅固定的形状、尺寸和位置,通常用粘结剂将其固结在纸质或胶质的基底上。基底必须很薄,一般为0.02~0.04mm。
  3. 引线:起着敏感栅与测量电路之间的过渡连接和引导作用。通常取直径约0.1~0.15mm的低阻镀锡铜线,并用钎焊与敏感栅端连接。
  4. 盖层:用纸、胶作成覆盖在敏感栅上的保护层;起着防潮、防蚀、防损等作用。
  5. 粘结剂:制造应变计时,用它分别把盖层和敏感栅固结于基底;使用应变计时,用它把应变计基底粘贴在试件表面的被测部位。因此它也起着传递应变的作用。
    常用的粘结剂分为有机和无机两大类。有机粘结剂用于低温、常温和中温。常用的有聚丙烯酸酯、酚醛树脂、有机硅树脂,聚酰亚胺等。无机粘结剂用于高温,常用的有磷酸盐、硅酸、硼酸盐等。

3.2 电阻应变计的类型

  1. 金属丝式应变片
    主要有丝绕式(回线式)和短接式二种。回线式最为常用,制作简单,性能稳定,成本低,易粘贴,但横向效应较大。
    短接式应变计的最大优点是横向效应系数很小(<0.1%),但由于它的焊点多,焊点处截面变化剧烈,因而疲劳寿命短。
    在这里插入图片描述
  2. 金属箔式应变片
    利用照相制版或光刻技术将厚约0.003~0.01mm的金属箔片制成所需图形的敏感栅,也称为应变花
    在这里插入图片描述
  3. 半导体应变片
    由单晶半导体经切型、切条、光刻腐蚀成形,然后粘贴在薄的绝缘基片,最后再加上保护层。 但重复性、温度及时间稳定性差。
    灵敏系数大,比丝栅式、箔片式大几十倍,因而输出的信号大;
    横向效应系数小;
    机械滞后小;
    本身的体积小,便于制作小型传感器
    在这里插入图片描述

4 静态特性(灵敏度)

  • Δ R / R = K ε x \Delta R/R=K\varepsilon _{x} ΔR/R=Kεx ε x \varepsilon _{x} εx应变计的轴向应变
  • 一般K<K0(应变片敏感栅整长应变丝的灵敏系数)
  • 灵敏系数 K 除受到敏感栅结构形状、成型工艺、粘结剂和基底性能的影响外,尤其受到栅端圆弧部分横向效应的影响。
  • K值通常采用从批量生产中抽样,在规定条件下通过实测确定,即应变片的标定;故 K 又称标定灵敏系数。

5 应变电桥

在这里插入图片描述

5.1 电桥平衡条件

R 1 R 3 = R 2 R 4 R_1 R_3 = R_2 R_4 R1R3=R2R4

  • 相邻两臂电阻的比值应相等,或相对两臂电阻的乘积相等。

5.2 单臂电桥的电压灵敏度

在这里插入图片描述

6 电阻应变计的温度效应及其补偿

6.1 温度效应

  • 由温度变化引起的应变片电阻变化的现象,称为应变片的温度效应。
  • 在温度的作用下,应变片电阻相对变化与其
    • 敏感栅材料的电阻温度系数αt
    • 敏感栅材料线膨胀系数βt
    • 试件和基底材料体膨胀系数βs 有关

6.2 热输出

  • 应变片在无测量应力作用时的温度效应用应变形式表示,称为应变片相对的热输出(温度作用的结果实际最终是以应变的形式表现出来)
  • 前部分αtΔt/K 为应变片的热阻效应所造成;
    后部分(βs-βt)Δt 为敏感栅与试件(和基底)热膨胀失配所引起。
    在这里插入图片描述
  • 在工作温度变化较大时,热输出给应变片的测量造成很大的误差,因此,这种热输出的干扰必须加以补偿和消除。

6.3 热输出补偿方法

6.3.1 温度自补偿法

  • 精心选配敏感栅材料与结构参数来实现热输出补偿 。
  1. 单丝自补偿应变计
    在研制和选用应变计时,若选择敏感栅的合金材料,其αt 、βt能与试件材料的βs相匹配,即满足 ε t = 0 \varepsilon _t =0 εt=0,达到温度自补偿的目的。
  2. 双丝自补偿应变计
    敏感栅由电阻温度系数一正一负的两种合金丝串接而成。当工作温度变化时,若Ra栅产生正的热输出εa与Rb栅产生负的热输出εb相等或相近,就可达到自补偿的目的
    在这里插入图片描述

6.3.2 桥路补偿法

  • 桥路补偿法是利用电桥桥臂两边上电压和、差原理来达到补偿的目的
  1. 双丝桥式法
    与双丝自补偿应变片雷同
    不同的是,敏感栅是由电阻温度系数同符号的两种合金丝串接而成;而且栅的两部分电阻 R1和 R2分别接入电桥的相邻两臂上。
    工作栅R1接入工作臂,补偿栅R2外接串接电阻RB(不敏感温度影响)接入补偿臂,另两臂接入平衡电阻R3和R4
    在这里插入图片描述
  2. 补偿块法——两个应变片
    在这里插入图片描述
  • 14
    点赞
  • 73
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论
微光CMOS图像传感器是一种能够在低光条件下拍摄清晰图像的传感器。它主要通过读出电路来获取图像信息。读出电路设计是保证传感器能够准确获取和转化光信号为电信号的关键。 首先,读出电路设计需要考虑信噪比。由于微光条件下信号较弱,噪声对于图像质量的影响会增大。因此,读出电路应该具备高增益和低噪声的特点,以最大程度提高信噪比。 其次,读出电路设计需要保证传感器能够高效地转化光信号为电信号。一种常见的设计思路是采用像素级自行读出电路,即在每个像素中集成一个小型的读出电路。这样可以减小读出电路与像素之间的距离,加快信号响应速度。 另外,读出电路设计需要考虑功耗问题。尽管微光CMOS图像传感器采用CMOS技术,具备较低功耗的优势,但在读出电路设计中仍然需要注意功耗控制。比如,可以采用低功耗的运算放大器和模数转换器,以降低整个读出电路的功耗。 最后,读出电路设计也应该兼顾图像的动态范围和分辨率。动态范围是指传感器能够捕捉到的亮度变化范围,而分辨率是指传感器能够捕捉到的细节程度。读出电路设计需要在提高动态范围和分辨率之间做出平衡,以满足不同应用场景的需求。 综上所述,微光CMOS图像传感器的读出电路设计需要考虑信噪比、转化效率、功耗、动态范围和分辨率等因素。通过优化设计,可以提高传感器的性能和图像质量,满足各种应用需求。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值