Xilinx缓存使用说明和测试

本文详细介绍了Xilinx FPGA中BRAM作为真双端口RAM的配置与测试,强调了数据读出的延迟特性。同时,讨论了FIFO在解决BRAM读出延迟问题中的作用,解释了FIFO的接口设置和状态监测功能。通过实例测试,展示了如何将流数据写入BRAM、从BRAM读取到FIFO,以及根据FIFO的状态控制数据读取与输出的过程。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Xilinx缓存使用说明和测试


本文主要介绍Xilinx FPGA芯片中BRAM和FIFO的使用方法和测试结果,主要针对流接口进行仿真。

1 BRAM说明

BRAM是Xilinx芯片中重要的存储资源,其可配置为单端口RAM/ROM或者双端口RAM/ROM,本文以最复杂的应用情况真双端口RAM为例进行说明和测试。配置为真双端口模式的BRAM有两个端口A和B,可以同时进行读写操作,端口说明如下表所示。在IP的配置界面可以设置数据的位宽和RAM的深度,还可配置使能端口(本文配置为Always Enabled)。此外,可以使用.coe文件对RAM进行初始化,如果修改了.coe文件的内容,需要重新在IP配置界面加载.coe文件,再重新启动仿真才能使仿真波形更新。数据从BRAM中读出是有延时的,一般为2个周期,即地址改变后,需要两个时钟周期才能读出数据,如下图所示,地址1存储的数据为22334455,在地址addrb变化两个周期后数据才从doutb端口读出。

接口 说明
clkx 时钟
wex 写使能
addrx 读写地址
dinx 写入数据
do
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