如何使用Flash模拟EEPROM-CSDN博客

最新推荐文章于 2024-09-13 14:35:01 发布
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本文详细介绍了使用Flash存储模拟EEPROM的原因，包括成本节省、存储容量大、灵活性高以及数据保护等优点。通过实例AT32F413MCUs，阐述了模拟原理、数据结构设计和实际操作流程，以及一个Arduino示例。
摘要由CSDN通过智能技术生成

目录

1、FLASH与EEPROM简介

2、FLASH模拟EEPROM原理

2.1、EERPOM数据结构

2.2、EERPOM物理结构

在讲解这篇博文前，首先要明白为什么使用Flash存储来模拟EEPROM？

主要有以下几个原因：

  • 成本效益：许多微控制器(MCU)和系统芯片(SoC)内置有Flash存储，但没有专门的EEPROM。使用已有的Flash存储模拟EEPROM可以减少额外硬件成本。
  • 更大的存储容量：通常，Flash存储提供比EEPROM更大的存储容量。这使得在没有牺牲太多物理空间的情况下可以存储更多数据。
  • 灵活性和可扩展性：通过软件，可以灵活地设计和调整EEPROM模拟的大小和结构，以适应不同的应用需求。这种方法比使用固定大小的物理EEPROM更具可扩展性。
  • 数据持久性：尽管Flash存储的写入次数有限，但它仍然能够提供足够的耐用性来满足大多数应用的需要。通过适当的数据管理和穿戴均衡策略，可以最大限度地延长Flas
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Flash模拟EEPROM程序
01-08
程序适用于STM32、AT32等所有的MCU，根据MCU芯片手册Flash空间大小和地址修改宏定义就可以直接使用。 方案详情请参见：https://handsome-man.blog.csdn.net/article/details/135464888 项目代码可直接编译运行~
STM32F10X FLASH模拟eeprom心得（原创）
02-21
花了几天时间研究stm32用Flash模拟EEPROM的问题，终于彻底弄懂了这种机制，下面将我学习的思路简单整理一下，希望能帮助到需要的人。
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STM32的FLASH模拟EEPROM程序，亲测可用。内有详细注释和说明文档，很好的参考资料。
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基于STM32内部的flash实现eeprom仿真模拟代码
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在实际应用中，我们通常会利用Flash的部分区域来模拟EEPROM的存储空间，因为Flash的擦写寿命远高于EEPROM，但每次擦写操作都需要较大的时间开销。因此，关键在于设计一个有效的管理和访问机制，以确保数据的正确性和...
【飞思卡尔 MC9S12】内部D-Flash模拟EEPROM
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上一篇：【飞思卡尔 MC9S12】内部Flash读写 上一篇讲到内部Flash的读写，本篇讲述使用D-Flash模拟EEPROM。其实使用P-Flash也可以模拟，只不过D-Flash的Page更小（擦除复写占用更少时间），而且不会占用代码空间。 最近刚换工作，一直比较忙，更新会比较慢。若是需要源码可自行下载：https://download.csdn.net/download/u010875...
使用stm32f4的flash模拟eeprom
奖励你和我对线
05-06 1658
STM32,flash
STM32F4_FLASH模拟EEPROM
light_2025的博客
07-18 3304
在实际发布的产品中，STM32芯片的内部FLASH存储了控制程序，如果不做任何保护措施的话，可以使用下载器直接把内部FLASH的内容读取回来，得到bin或hex文件格式的代码拷贝，别有用心的厂家可能会利用该代码制造山寨产品、为此，STM32芯片提供了多种方式保护内部FLASH的程序不被非法读取，但是在默认状态下该保护功能是不开启的，若要开启该功能，需要改写内部FLASH选项字节（Option Bytes）中的配置。系统复位后，CPU时钟频率为内部16M RC振荡器，LATENCY默认是0，即一个等待周期。
MCU-内部flash模拟成EepRom（重新梳理）
xiandang8023的博客
09-13 297
通过fee写数据Data的过程中，数据会mapping一个虚拟地址，这个虚拟地址就是你的身份，在向flash写数据的过程中会写入很多相同虚拟地址的不同数据，在读取或切页的过程中，遍历数据只会认为最下面第一个的虚拟地址所持有的数据是有效数据，其他的都是老数据，可以丢弃。模拟成eeprom的两个eep_page写数据逻辑就是，先在eep_page0写数据，eep_page0写满后，将eep_page0的有效数据copy到eep_page1，之后擦eep_page0；
如何使用Flash模拟EEPROM
不脱发的程序猿
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本篇博文将以AT32F413（flash：256KB）这款MCU为例，详细介绍如何使用Flash模拟EEPROM。
stm32 flash模拟EEPROM（笔记）
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12-30 2133
主存储器用来存放我们在keil5中写的代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从图中可以看出flash的起始地址是 0X08000000，当 B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
芯课堂 | Flash 模拟 EEPROM
SYNWIT的博客
03-25 681
Flash 和 EEPROM 的主要区别在于可擦单元大小，EEPROM 可以字节擦写，而 Flash 只能块（扇区）擦除。这意味着如果在一个 Flash 扇区上存储多个参数时，扇区的擦除次数是该扇区上所有存储参数修改次数的总和，因此用作参数存储器时，Flash 相比 EEPROM 更容易写坏。
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）全称“电可擦除可编程只读存储器”。硬件信息请参考官方文档，本文将记录如何用Flash模拟EEPROM(SDK版)及调试过程。
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由于FLASH在写入数据前，需要将FLASH数据先擦除为0xFF，而FLASH擦除时通常为扇区擦除，例如AT32F403A的扇区大小为2K字节，这个特性决定了不能简单的将旧数据擦除然后写新数据，因为这样会导致存储在这个扇区内的其他数据也被擦除，并且也会导致FLASH频繁擦除而降低其使用寿命。这种数据存储方式，只适用于存储非关键数据，例如一些运行日志之类的信息，因为在将扇区数据读取到缓存，然后擦除扇区时，如果此时发生了掉电或者MCU复位的异常情况，将会导致这个扇区数据丢失。关键数据的存储还是要选择。
外部flash模拟成eeprom
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### 如何使用外部 Flash 模拟 EEPROM #### 外部 Flash 的特性 外部 Flash 设备通常具有较大的存储容量以及较快的数据传输速率。然而，这些设备并非设计用于频繁的小规模读写操作，这正是 EEPROM 所擅长的地方。为了使外部 Flash 能够像 EEPROM 那样工作，在硬件层面之外还需要软件的支持来管理数据的持久性和可靠性。 #### 方案概述 当利用外部 Flash 来模拟 EEPROM 功能时，主要目标是在不破坏原有数据的前提下支持随机访问模式下的单字节或多字节数组的操作。为此，可以采用如下策略： - **逻辑地址映射**：创建一个内部表用来跟踪实际物理位置到虚拟地址之间的转换关系。 - **磨损均衡算法**：由于 Flash 存储器存在擦除次数限制的问题，因此需要通过特定机制确保各个单元被均匀地使用以延长使用寿命[^1]。 - **错误检测与纠正码(ECC)**：考虑到可能发生的位翻转现象，加入 ECC 技术可以帮助发现并修复某些类型的错误。 #### 实现细节 以下是基于上述原则的具体实施方案之一： ##### 初始化过程 在系统启动初期执行初始化程序，负责加载现有的映射表格，并验证其有效性；如果不存在有效记录，则创建新的空白结构体作为起点。 ##### 数据写入流程 每当应用程序请求向指定偏移量处存入新值之前，先查询当前版本号对应的最新页索引，随后更新该页面中的相应条目。一旦某个区块达到饱和状态就需要触发垃圾回收动作——即复制所有未过期项至备用区域之后再清空旧址以便后续重用。 ##### 示例代码片段 下面给出一段简化版 C++ 伪代码表示如何处理基本功能: ```cpp class ExternalFlashEmulatedEEPROM { private: uint8_t* flashMemory; //指向外部闪存起始地址指针 struct PageEntry { /* ... */ }; //定义每一页元数据格式 std::vector<PageEntry> pages; public: void init(); bool readByte(uint32_t addr, uint8_t& value); bool writeByte(uint32_t addr, uint8_t newValue); }; ``` 此段代码展示了类 `ExternalFlashEmulatedEEPROM` 中包含了对外部 Flash 进行抽象的方法原型声明。具体实现部分则涉及到了更复杂的逻辑控制，比如查找合适的空闲空间、维护链表连接等。
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