【数电】理解MOS管的Vth（增强型）

最新推荐文章于 2025-02-25 22:53:24 发布
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分类专栏： 数电 文章标签： 信号处理
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本文详细解释了NMOS晶体管的工作机制，重点描述了栅极下P型半导体中的空穴与电子复合形成耗尽层的过程，以及当电压超过阈值Vth时，如何在栅极下方形成可自由移动的电子沟道。

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其实就是，对NMOS来说，栅极底下是P型半导体，有空穴和B-离子，栅衬之间加电压，电子往栅极底下跑，与空穴复合，此时形成耗尽层（虽然因为B-离子的原因带负电，但无法自由移动）；当电压超过Vth，多余电子来到栅极底下，可自由移动，形成沟道。

如何理解MOS管的截止区、放大区（饱和区）、可变电阻区
hcvinh的博客
03-27 853
进入放大区后，id(漏极电流)只受控Vgs，随着Vgs增大而变大，只要维持Vgs不变，则输出电流恒定（不考虑热漂移等影响）,因此可以制作压控恒流源，或者恒流LED驱动。此时电流与VGS的平方有线性关系。可变电阻：当改变Vgs时，R就会变化，Vgs越大，电阻越小。电阻：设定Vgs不变时，改变电源输入电压，id也随之线性改变，并且Vds/id=R，R不变。随着Vgs再继续增大，此时id不受Vgs的控制，即使Vgs再增大，id也不会增大。1、截止区：就是Vgs<Vgs（TH）, 场管呈现关闭状态，无电流通过。
mos管工作的三个区域
qq_45907558的博客
04-06 2667
当 Vgs < Vth 时，截止区。当 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 时，变阻区。当 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 时，饱和区(恒流区)。当MOS管 工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。MOS管 工作在饱和区（恒流区）与 BJT 的饱和区不同，称 MOS管此区为饱和区，主要表示 Vds 增加 Id 却几乎不再增加——也即电流饱和。
MOS晶的阈值电压VT
12-09
阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数，也是在制造工艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至 集成系统的性能具有决定性的影响。哪些因素将对MOS晶体管的阈值电压值产生影响呢? 阈值电压的数学表达式是： 式中±号对NMOS管取负号，而对PMOS管取正号。 式中 Qox 为栅氧化层中固定正电荷密度； Qss为栅氧化层中可动正电荷密度； Cox为单位面积栅氧化层电容，与栅氧化层厚度tOX成反比； QB为衬底掺杂杂质浓度（耗尽层中电荷 ），NMOS管采用P型硅为衬底，
mos管简介（1）
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qq_57809885的博客
02-25 739
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MOS管子参数计算
08-04
对于一个MOS电路来说，计算的话，有两个参数是比较重要的。一个是vth，一个是UnCox。不考虑其他效应。
MOS管介绍及其原理
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08-21 752
NMOS管，VGS大于一定的值导通，适用于源极接地的情况。PMOS管，VGS小于一定的值导通，适用于源极接VCC的情况。
MOS管
小菜菜13的博客
10-21 1万+
MOS管参数 1、最大额定参数 VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。 VGS 最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 ID - 连续漏电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)
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本文指在详对MOS管的应用、选型关键参数、工作过程的损耗做分析。一、MOS管的类型与应用MOS管属于电压驱动型器件，广泛应用于现代电子电路中，常作为电子开关、放大器等功能使用。箭头往里：NMOS箭头往外：PMOS箭头的方向代表了负电子的走向。1.1 应用例子控制信号G极为高电平时MOS管导通；低电平时，MOS管断开。控制信号G极为低电平时MOS管导通；高电平时，MOS管断开。注意Vgs(th)电压；
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以NMOS为例进行说明，PMOS管与NMOS管类似，只是正负极符号需要做些调整。
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前言： 整理芯片行业中一些常用的英文专业术语。（待完善） 一、专业术语 1.CP (Chip Probing芯片/晶圆/晶片+测试/检测): 2.CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积):利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD（金属氧化物～）和PECVD（等离子体增强～） 3.Datasheet (规格/说明书):总结产品、机器、部件（例如电子部件）、材料、子系统（例...
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MOS管是一个电压控制型器件，而三极管是一个电流控制型器件，下面简要介绍一下如何在工程应用上选型一个MOS管。1.封装封装指的是MOS管的外形，尺寸。封装的大小基本和可通过的电流成正比，选取的时候也要考虑板子的大小，所以合适即可。2.Vgsth对于NMOS管来说，给GS施加一定的电压，可将MOS管打开，这个电压的大小，在规格来说，就是Vgsth。很多MOS管的Vgsth都在3.3V以下，所以可以直接使用3.3V供电的单片机IO直接去控制，但是一定要将这个参数确认好。3.Rdson。
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