【数电】理解MOS管的Vth（增强型）

其实就是，对NMOS来说，栅极底下是P型半导体，有空穴和B-离子，栅衬之间加电压，电子往栅极底下跑，与空穴复合，此时形成耗尽层（虽然因为B-离子的原因带负电，但无法自由移动）；当电压超过Vth，多余电子来到栅极底下，可自由移动，形成沟道。