杰理-1拖8 错误状态

最新推荐文章于 2024-08-03 21:15:16 发布

海阔天空任鸟飞~

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文章标签：单片机 c语言

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杰理-1拖8 错误状态

错误提示说明

02-通信失败
run_loader

可能为样机芯片接入烧写器USB接口存在松动、接触不良；多次重新烧录都
提示该错误，可能为芯片型号不对，或为芯片存在不良等原因，需进一步分析

03-校验失败

需校验的程序与目标芯片程序或key文件不一致；
可能原因：
校验时样机与USB烧录接口接触不稳定；
FLASH数据与要校验的不一致；
反复烧写校验失败可能是FLASH问题，需进一步分析

04-KEY错误或不匹配

空片烧写，key烧写到目标芯片失败，key烧录不良；
二次烧录，芯片KEY与待烧的FW程序KEY不一致，或首次烧写不良导致二次烧录不匹配

04-ufw不支持空片烧写

ufw 文件只能用于已经烧过key的芯片进行重烧使用（不支持烧录空片）。
如果要烧录空片，要使用 fw 文件

06-版本不匹配_(目标芯片的版本)

待烧写的FW文件程序与芯片的版本不匹配（参考：版本不匹配错误），
需确认fw文件对应的SDK是否支持该版本的芯片，如有不清楚请联系杰理技术支持

06-SDK版本错误_VX_X_X

该报错暂时只有AD698N、AC638N型号存在，
主要是为了限制SDK需要与对应FLASH ID匹配，SDK ini中需要配置SDK版本，
格式例如：SDK_VERSION=其他字符串_V1.2.1，如果不填或者填错，
当烧写芯片刚好为受限FLASH ID时则会烧写报错

07-擦除失败

该报错一般出现在flash擦除环节，提示擦除失败，可能为芯片flash存在问题。也可能是接触不良，通信出错导致擦除失败；
如果重试，如果仍为擦除失败，须进一步分析

08-烧写失败

烧写程序时样机与USB烧录接口接触不稳定等原因导致烧写数据异常

09-ERR_IQ_TRIM

该报错是芯片蓝牙测试项不过，可能芯片蓝牙性能存在问题，如果重试多次，仍报错，须进一步分析

10-采样异常，请重试

出现该报错，可以尝试重新烧写，一般提示该错误跟板子外围电容充放电等影响ADC采样导致测试出现错误，该报错一般板子和芯片都是正常的

11-RX(实测的电流值)(uA)

测试芯片LNA电流，筛选芯片LNA内部晶体管受损芯片；筛选表现接收距离短，存在连接问题的芯片

12-样机电流异常

样机插入USB烧写接口后，导致USB端口电流过大；
可能原因是样机电路存在短路或芯片异常消耗电流过大，务必查到原因后再重烧，否则可能烧坏烧写器电流测试模块；
此类报错需要重启烧写器报错通道才能继续使用

14-DAC测试失败

进行DAC模块各项电压测试用于筛选DAC参数不达标的芯片

15-VDDIO:(实测电压)(mV)

芯片VDDIO引脚电压超过设定值3800mV，
一般考虑为芯片VDDIO引脚与样机或芯片内部电源短路；
如出现在与样机烧录VBAT供电脚短接的设计方案，
需要调低烧写器USB烧录端口电压3.3V左右行烧写

15-VDDIO错误

报错同15-VDDIO:(实测电压)(mV)一致

15-容量太小_XX_XXXXX

待烧写的程序fw文件数据比目标芯片flash的容量要大，无法进行烧写
读不到flash id，可能接触不良引起，可以多次尝试，多次尝试失败后当不良片处理

16-SFC错误

烧写时进行SFC模式下的程序数据校验，多次烧录不过芯片可视为不良片

17-频偏校准超时

没有开启测试盒进行测试，测试盒和烧写器“校频波频点配置”参数不一致，或者芯片频偏校不到指定范围

18-蓝牙地址已用完

设置蓝牙地址自增烧写时，所设置蓝牙地址段范围值已经全部使用完

蓝牙地址初始化失败

蓝牙地址设置有误；可能是一次性设置了过大的蓝牙地址范围（超过 u32 范围）

19-模式错误

样机芯片开始烧写，校验，查空时报此此错误，为拨码开关设置的模式非烧写。
校验，查空三种工作模式，或拨码开关接触不良导致烧写器检测出错。

20-LRC校准失败

对无晶振方案样机，芯片LRC时钟参数校准不到指定范围内，需进一步分析

25-芯片未校准

表示该芯片出厂未经过校准，
这类芯片可使用一拖二烧写器对芯片进行烧写再贴片（烧写过程进行芯片校准），
一拖八烧写器无芯片校准功能

21-RAM测试失败

目标芯片ram异常为需要筛选出来的芯片

22-MIC测试失败

目标样机MIC存在异常如无声音等

23-不支持该LVD档位XXXX
(XXXX:表示芯片版本ID)

表示待烧芯片不支持烧录该LVD档位值。
目前AC696X/AC636N型号，
A-E版本LVD可烧录的档位有：1.9V;2.0V;2.1V;2.2V;2.3V;2.4V;2.5V;2.6V，
F-G版本LVD可录的档位有：<1.5V;1.9V;2.0V;2.1V;2.2V;2.3V;2.4V;2.5V。
烧写器AC696X PC默认设置的档位为2.6V，当使用默认LVD2.6V烧录F-G版本芯片时，
烧写器将会提示：34-不支持该LVD档位XXXX(芯片版本：5F00-5F04为版，5F05-5F06为F-G版本)。

25-芯片未校准

芯片可能出厂一些电压没有校准，此时一般需要使用一拖二烧写器使用带校准的上层板子或转接板进行校准

26-ERR_FMLDO_OPEN

进入蓝牙相关FM电源测试时出现异常，进而导致USB通信出错

27-ERR_FMLDO_CLOSE

进入蓝牙相关FM电源测试时出现异常，进而导致USB通信出错

28-获取保留区出错

当配置flash不整片擦除时，烧写计算需要保留的区域出现错误，可反馈给杰理工程师进一步分析

29-擦除FLASH出错

当配置flash不整片擦除时，对flash特定区域擦除时出现错误，出现该报错须进一步分析

30-Res文件烧写失败

表示自定义资源文件烧写失败，可能在烧写该部分时出现读写异常，或者USB通信异常

31-SFC测试通信失败

可能为进行SFC测试时，读异常，导致USB通信超时，出现该报错，可能flash存在异常

32-算法授权文件烧写失败

用于算法授权的相关部分数据烧写失败

33-Res文件校验失败

表示自定义资源文件校验失败

34-LVD错误或不匹配

可能为芯片空片烧写时，LVD电压值写入芯片存储介质失败；
或二次烧录时选择要烧写的LVD电压值与已经烧写到目标芯片的LVD值不同。

35-写入频偏校准值失败

芯片烧写时开启频偏校准，校准的值写入到芯片失败，失败可以尝试重试

36-ERR_FLASH_CHECK

flash擦除检查失败，如果报该错，可能芯片flash存在异常，须进一步分析。

37-读ID失败

读取目标芯片flash id失败；
可能原因是USB通信异常，芯片可能异常，或者芯片无内置flash；fw程序一般不能烧到不含flash的芯片中，只能烧单独的key文件；
反复烧录还是同样的结果，则需进一步分析

38-ERR_LNA_OPEN

进入蓝牙LNA电流测试时出现异常，进而导致USB通信出错

39-ERR_LNA_CLOSE

进入蓝牙LNA电流测试时出现异常，进而导致USB通信出错

40-外挂FLASH烧写失败

样机外挂flash烧写失败，可能为外挂flash 烧写文件io配置与实际硬件连接不一致导致，或者外挂flash烧写时电源问题引起。
如果使用其它工具可以烧写，可以将问题反馈给工程师

41-外挂FLASH校验失败

外挂flash数据与烧写文件数据不一样

49-查空次数已用完

烧写器每次开机后，每个通道有限制查空可以使用次数为200次，查空成功次数满200后，则烧写器会会提示查空次数已用完。
该限制主要用于避免用户本需要烧写芯片，但未发现误拨为查空模式，导致芯片最后没有烧程序

57-授权次数已用完

经过授权限制烧写次数的FW文件，烧写次数已使用完，烧写器内的目标芯片程序fw文件作废
一拖八插着样机开机可能导致烧写次数没用完情况下报错

61-保护参数查找失败

isd_config.ini中配置FLASH_WRITE_PROTECT=YES，
那么烧写时将会把对应FLASH ID保护参数写入FLASH中，
如果烧写时提示保护参数查找失败表示：
当前烧写器中暂时没有该FLASH ID的保护参数存在，
可能需要更新烧写器支持该FLASH ID，
或者联系SDK负责人是否可以去掉FLASH_WRITE_PROTECT=YES配置，不加写保护

62-保护参数校验失败

可能为保护参数未能写入成功

63-保护参数测试失败

保护参数测试失败，保护参数无法正常使用。
或者联系SDK负责人是否可以去掉FLASH_WRITE_PROTECT=YES配置，不加写保护

63-保护参数测试超时

保护参数测试超时，保护参数无法正常使用。
或者联系SDK负责人是否可以去掉FLASH_WRITE_PROTECT=YES配置，不加写保护

63-保护参数测试冲突

保护参数与烧写配置冲突，
isd_config.ini中配置FLASH_WRITE_PROTECT=YES时，不勾选全擦flash以及不勾选擦拭VM都会与写保护参数冲突
或者联系SDK负责人是否可以去掉FLASH_WRITE_PROTECT=YES配置，不加写保护

65-长按复位选项不匹配

长按复位状态与需要烧写的状态不匹配

66-VM地址非法

需要保留或擦除的VM地址非法则报错，比如该地址大于flash容量，或者该地址与程序区域重合均会报错

67-ERR_CYPTO

一般串口烧写时会报该错误，可能为串口通信错误导致，一般可出现在接触不良的时候

68-短按复位选项不匹配

短按复位状态与需要烧写的状态不匹配

69-外挂FLASH容量太小

在烧写外挂flash时，外挂flash id读取失败，可以导致提示容量小，或者待烧写到外挂flash的文件资源超过了flash的容量而提示错误

70-LNA_BIAS失败

与蓝牙相关的电流测试项失败，反复重烧均提示该错误，可能需要进一步分析

71-二次烧写失败

附加的一些功能数据烧写失败

72-电池方案错误

选项需要烧写的方案类型与芯片中已有的类型不匹配报错

73-非Dies芯片

Dies芯片一般时定制类型的芯片，如果提示该错误，可能是选择定制芯片配置无法烧录到当前芯片

76-ic_test_timeout

芯片测试项测试超时，可以分别取消一些PC测试项勾选，以排查具体是哪个测试项导致的超时

81-CHIP_LVD(xx)< FLASH_LVD(xx)

表示芯片最低复位电压（对应烧写器【LVD电压】下拉选项）小于FLASH最低工作电压， xx表示电压值，单位为mv；
处理方法：
方法一：在考虑方案要求情况下，在烧写器部署界面将CHIP_LVD配置为大于等于
FLASH_LVD电压档位，重新部署fw文件进行烧录；
方法二：当部署界面CHIP_LVD没有大于FLASH_LVD的选项，则可以选项最高CHIP_LVD，或者去掉【Flash Lvd电压匹配】勾选项，重新部署烧写

91-FMLDO:%d(uA)

蓝牙相关联的FM等电压模块测试失败，重烧提示该错误须进一步分析

92-LOOPBACK失败

烧写时进行蓝牙性能相关的参数测试，参数不达标；
该芯片可能存在蓝牙连接相关，如连接距离短问题；
重烧多次报错，芯片需进一步分析；

93-USB不稳定，请重试

USB通信出现错误，请按照提示重试即可

94-DACVDD电压错误

芯片测试项报错，可以重试是否仍提示该错误，重试多次依然报错或者使用一拖二烧写器也提示该错误，可能芯片存在该项测试异常，须进一步分析

95-BTPLL测试通信出错，请重试

测试项报错，重试或者使用其它工具也报错，须进一步分析

96-BTPLL异常

测试项报错，重试或者使用其它工具也报错，须进一步分析