半导体场效应管详述

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已于 2022-08-15 18:00:27 修改

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文章标签：物联网人工智能硬件工程

于 2022-08-15 17:57:20 首次发布

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半导体场效应管详述

前言
一、什么是场效应管
二、场效应管工作原理
三、场效应管特性曲线分析
四、场效应管和三极管比较

前言

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场效应管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙，本文将会对场效应管进行详细叙述。

一、什么是场效应管

半导体三极管又称为双极型三极管，它有两种载流子（多子和少子)参与导电，由于少子浓度和温度密切相关，因此它热稳定性较差。本文将介绍另外一种三极管，它们只有一种载流子(多子)参与导电，被称为单极型三极管，又因为这种管子是利用电场效应来控制电流的半导体器件（被看成是电压控制器件），因此也称为场效应管（简称FET）。场效应管具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声低和抗辐射能力强等优点，便于大规模集成，因此在工程实践中得到广泛应用。根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管（简称JFET)和绝缘栅场效应管（简称IGFET)两类。目前主流的场效应管是绝缘栅场效应管。

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结型场效应晶体管（JFET）广泛用于电子电路中。结型场效应晶体管是一种可靠且有用的电子元件，可以很容易地用于从放大器到开关电路的各种电子电路中。

由于结型场效应管（JFET）工作依赖于由输入栅极电压产生的电场，因此称为场效应。实物图如下：

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结型场效应管（JFET）有 3 个端子，分别命名为 Source（源极）、Drain（漏极）、Gate （栅极）。

1.源极：是与通道的一端形成连接的终端。通常情况下，源极端子提供多数电荷载流子，会产生通过结型场效应管（JFET）的电流。
2.漏极：漏极端子位于源极端子的另一端，大多数电荷载流子从一端移动到另一端，并在晶体管的漏极端子收集。
3.栅极：此端子由基板上的两个重度扩散区域的组合连接形成，控制电流水平的电压在栅极端子处提供。通道：这是多数载流子从源极端子传递到漏极端子的区域。

二、场效应管工作原理

结型场效应管（JFET）的结构如下所示。由 N 型或 P 型材料制成的实心棒构成了设备的主体。栅材料沉积物之间的栅条部分的横截面比栅条的其余部分小，并形成连接源极和漏极的“通道”。

下图显示了一个 N 型材料的栅极和一个 P 型材料的栅极。因为沟道中的材料是N型，所以该器件称为 N 沟道结型场效应管（JFET）。在 P 沟道结型场效应管（JFET）中，沟道由 P 型材料制成，栅极由 N 型材料制成。

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N 和 P 沟道结型场效应管（JFET ）之间的唯一实际区别是栅极材料和沟道之间形成的 PN 结的偏置。也就是根据制造时使用的基本半导体材料进行分类，或者说，负责电流通过设备的多数载流子。

下图显示了 N 沟道结型场效应管（JFET ）的示意图，该图所示的几何结构简化了N 沟道结型场效应管（JFET ）原理的分析。

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N 沟道结型场效应管（JFET ）的两侧都有重度掺杂的受阻杂质 P 型区域，形成栅极 G，要注意两个 P 型区域和栅极端子之间的连接。

两个栅区之间的区域是沟道，是n型材料的结构。该窄半导体沟道提供了源极和漏极之间的导电路径。

大多数载流子通过源极 S 进入器件并通过漏极 D 离开，源极侧可以是任一通道的末端。

这种结构工作的基础是通过调节栅极 G 上的电压来改变 S 和 D 端之间的电阻。、

下图显示了 N 沟道结型场效应管电流方向和电压极性的约定。

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结型场效应管3钟特性的工作原理如下：

1.无偏置：
在栅极和源极之间没有施加电压的情况下，通道是电流流动的宽阔路径。源极端对应的栅极和漏极均未提供外部电位时。这时：V GS = V DS = 0，因此，在这种情况下，两个 PN 结将具有相同厚度的耗尽区。由于没有提供任何外部偏置，大多数电荷载流子（电子）从源极直接移动到漏极端子。

下图显示了结型场效应管（JFET）如何在零栅极偏置条件下工作。

在 JFET 上施加 5 伏电压，使电子电流从源极流向漏极，如箭头所示。栅极端子接地，这是一个零栅极偏置条件。在这种情况下，典型的条形代表大约 500 欧姆的电阻。与漏极引线和直流电源串联的毫安表指示电流量。漏极电源 ( V DD ) 为 5 伏，毫安表的漏极电流 ( ID ) 读数为 10 毫安。

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2.偏置：
如果在栅极和源极之间施加极性的电压，它会反向偏置 PN 结，源极和漏极连接之间的流动变得有限或受到调节。当在栅源端子之间提供小电压时。这表示：V GS ≠ 0。因此，在这种情况下，当在栅极到源极端子之间提供小的反向电位时，反向电压会增强（增加）pn 结的耗尽宽度。此外， N 通道具有电阻性质，因此，在通道中会注意到电压降。这是由于电流在端子漏极和源极之间流动。

由于电压降，两个结变得更加反向偏置，从而导致耗尽区更多地渗透到沟道中。

在下图中，向结型场效应管（JFET）的栅极施加了一个小的反向偏置电压。施加到 P 型栅极材料的 -1 V栅源电压 ( V GG ) 导致 P 型和 N 型材料之间的结变为反向偏置。反向偏置条件会导致在结型场效应管（JFET）的 PN 结周围形成“耗尽区”，因为这个区域的载流子数量减少了，所以反向偏压的作用是减少“通道”的有效横截面积。这种面积的减小增加了结型场效应管（JFET）的源漏电阻并减少了电流。

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