《计算机组成原理》复习总结第4章

第四章 存储器

Ⅰ.存储器的分类

1.按存储介质分类:存储介质主要有半导体器件,磁性材料和光盘等

  • 半导体存储器:存储元件由半导体器件组成的存储器,但信息易失。按材料不同可分为双极型半导体存储器和MOS半导体存储器,前者高速,后者高集成度,制造简单,成本低廉,功耗小,被广泛应用。
  • 磁表面存储器:在金属或塑料基体的表面上涂一层磁性材料作为记录介质,工作时磁层随载磁体高速运转,用磁头在磁层上进行读/写操作。按载磁体形状的不同,分为磁盘,磁带和磁鼓,非易失性。
  • 磁芯存储器:磁芯由硬磁材料做成的环状元件,在磁芯中穿有驱动线和读出线,便于读/写操作,磁芯属于磁性材料,不易失
  • 光盘存储器:应用激光在记录介质上进行读/写的存储器,非易失

2.按存取方式分类

  • 随机存储器(RAM):RAM是一种可读/写存储器
  • 只读存储器(ROM)
  • 串行访问存储器:对存储单元进行读/写操作时,需按其物理位置的先后顺序寻找地址

3.按在计算机系统中的作用不同,存储器主要分为主存储器,辅助存储器,缓冲存储器
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Ⅱ.存储器的层次结构
存储器有3个主要性能指标:速度,容量和每位价格。

存储系统层次结构主要体现在缓存-主存和主存-辅存这两个存储层次上
在这里插入图片描述
缓存-主存层次主要解决CPU和主存速度不匹配的问题

主存-辅存层次主要解决存储系统的容量问题

Ⅲ.主存储器
1.主存的技术指标:存储容量和存储速度

  • 存储容量:指主存能存放二进制代码的总位数,即存储容量=存储单元个数×存储字长
    它的容量也可以用字节总数来表示,即存储容量=存储单元个数×存储字长/8
  • 存储速度:由存取时间和存取周期来表示

2.半导体存储芯片:通过地址总线,数据总线和控制总线与外部连接

  • 地址线是单向输入的,其位数与芯片容量有关
  • 数据线是双向的,其位数与芯片可读出或写入的数据位数有关,数据线的位数与芯片容量有关
  • 地址线和数据线的位数共同反映存储芯片的容量。如地址线10根,数据线4根,则芯片容量为2^10×4=4K位。
  • 控制线又要有读/写控制线与片选线两种,前者决定芯片进行读/写操作,后者用来选择存储芯片

Ⅳ.随机存取存储器
按其存储信息的原理不同,分为静态RAM和动态RAM

两者比较:
①在同样大小的芯片中,动态RAM的集成度远高于静态RAM,如动态RAM的基本单元电路为一-个MOS管,静态RAM的基本单元电路可为4~6个MOS管。

②动态RAM行、列地址按先后顺序输送,减少了芯片引脚,封装尺寸也减少。

③动态RAM的功耗比静态RAM小。

④动态RAM的价格比静态RAM的价格便宜。。

Ⅴ.存储器与CPU的连接♥♥♥
1.存储容量的扩展:位扩展和字扩展

  • 位扩展:增加存储字长,如2片1K×4位的芯片可组成1K×8位的存储器(并联)
  • 字扩展:增加存储器字的数量,如2片1K×8位的芯片可组成2K×8位的存储器(串联)
  • 字,位扩展:既增加存储字的数量,又增加存储字长

提高访存速度的措施:

  • 寻找高速元件
  • 采用层次结构
  • 调整主存的结构

Ⅵ.高速缓冲存储器

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Ⅶ.辅助存储器
辅助存储器简称外存,如硬磁盘,软磁盘,磁带和光盘等,前三种属于磁表面存储器

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