Mad Bull
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002 器件选型 电容

此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器,其温度特性介于 X7R 和 Y5V 之间,容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路,耦合等,低直流偏压的电路中。此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器,具有较高的介电常数,容量比Ⅰ类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL 电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。
原创
发布博客 2024.09.05 ·
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003 器件选型 电感

温度上升通常与电感消耗的能量大小相关,而能量又与电流的有效值相关,所以温升电流通常被标示为Irms。当流经电感上的电流逐渐增大时,磁芯会进入饱和状态,电感值会下降。最后,当磁芯完全饱和时,电感值会下降到相当于空心绕线的很小的感值。另外需要注意的是,有的厂家会把饱和电流定义为电感量下降10%或30%对应的电流值。按照封装可以分为直插和贴片,因为电感线圈内部有铁芯的话电感量是没有铁芯的几千至几万倍,所以一般的电感都是有铁芯的。在特定频率(SRF)下,电感的匝间电容将与电感L形成并联谐振,使电感变为调谐电路。
原创
发布博客 2024.09.05 ·
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汽车诊断协议简介

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原创
发布博客 2024.09.04 ·
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001 器件选型 电阻

c.温度系数,温度系数的单位是PPM(Parts Per Million),表示的是电阻阻值随着温度变化阻值而变化的比率,百万分之一,比如100K的电阻,温度系数是200ppm, 每升高1度电阻变化的计算方式为:100K * 200ppm= (100 x 1,000) * (100/1,000,000) =20Ω,消费类电阻一般不做特多温度要求,而军用以及汽车领域等使用场景有很大温度变化范围时,就需要使用低温度系数的电阻,以保证电路功能以及性能。设计电路时一定要注意电阻上的功率裕量,以提高产品的可靠性。
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发布博客 2024.08.27 ·
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SPI和I2C 接口差异

SPI更多运用与数据量比较大的时候,I2C多用于短数据,命令式的数据传输。
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发布博客 2024.06.06 ·
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R9 主板布局学习笔记

摆件笔记
原创
发布博客 2024.06.06 ·
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热插拔设备的设计主要考量点

什么是热插拔设备:热插拔 (Hot Swap) 即带电插拔,指的是在不关闭系统电源的情况下,将模块、板卡插入或拔出系统而不影响系统的正常工作,从而提高了系统的可靠性、快速维修性、冗余性和对灾难的及时恢复能力等。对于大功率模块化电源系统而言,热插拔技术可在维持整个电源系统电压的情况下,更换发生故障的电源模块,并保证模块化电源系统中其他电源模块正常运作。热插拔设计的关键点:1.主机和配件的接地非常关键,务必要保证主机的地和配件的地先于其他信号接触并稳定。2.电源的开启需要增加延时,增加延时开启电
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发布博客 2020.08.11 ·
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NMOS 搭建的电平转换电路分析

电路如下所示,此电路功能为双向电平转换。信号A B为I2C信号,高电平电压分别为1.8v 3.3v,信号A B分别有四种情况,列出如下所示。1.A输出为低电平,NMOS的Vgs=1.8v 则NMOS导通,B被拉低为低电平。2.A输出为高电平1.8v,NMOS的Vgs=0,则NMOS不导通,B被上拉电平拉为3.3V。3.B输出为低电平,A被NMOS管内部二极管拉低,然后NMOS的Vgs=1.8v-二极管压降。 则NMOS导通,A被拉低为低电平。4.B输出为高电平3.3V,A无输出,A被1.8V
原创
发布博客 2020.08.11 ·
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