半导体存储器

半导体存储器

半导体存储芯片的基本结构

1. 存储矩阵：由大量相同的为存储单元阵列构成
2. 译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读/写操作
3. 读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作
4. 读/写控制线：决定芯片的读/写操作
5. 片选线（$\overline{CS}$）：确定哪个存储芯片被选中。可用于容量扩充。
6. 地址线：是单向输入的，其位数与存储字的个数有关
7. 数据线($D_{OUT}$)：是双向的，其位数与读出或写入的数据位数有关。
8. 数据线数和地址线数共同反映存储芯片容量的大小。如地址线10根，数据线8根，则芯片容量$=2^{10}\ast 8=8$K位

半导体随机存取存储器

特点\类型	SRAM(静态)	DRAM(动态)
存储类型	触发器(双稳态)	电容(充放电)
破坏性读出	非	是
需要刷新	不要	需要
运送行列地址	同时送	分两次送
运行速度	快	慢
集成度	低	高
发热量	大	小
存储成本	高	低

两种存储器都是以电信号的形式存放0/1，断电就容易丢失信息，属于易失性存储器

SRAM

1. 在读取信息的时候，可以直接查看当前电路的状态；如果需要进行写操作的则需要改变触发启的状态
2. 刷新：不需要，因为其能够保持两种稳定的状态
3. 用作cache

DRAM

1. 在读取信息的时候，需要连接电容，检测当前的电流变化，在读完之后要进行信息的恢复；如果需要进行写操作的话，则需要给电容进行冲/放电
2. 刷新：需要，电容保持电荷的时间有限
3. 运送行列地址：地址线复用，线数减少一半
4. 常用作于主存，SDRAM：同步动态随机存储器

DRAM的刷新

1. 多长时间刷新一次？

    刷新周期：2ms
   

2. 每次刷新多少个存储单元？

以行为单位，每次刷新一行存储单元

为什么要使用行地址？
减少选通线的数量

将地址拆分为行地址和列地址，存储单元转变为$2^{n/2}\ast 2^{n/2}$的矩阵

3. 如何刷新？
   有硬件支持，不需要CPU的支持，在读出一行信息之后重新写入，占用一个读写周期

4. 什么时候刷新？

   1. 集中刷新
   2. 分散刷新
   3. 异步刷新
      

ROM——只读存储器

ROM：存储空间有限，可以存放一些关键性的信息

ROM的类型

1. 掩膜式只读存储器(MROM)
   出厂的时候写入，用户在使用的过程中无法修改
2. 一次可编程只读存储器(PROM)
   存储内容由用户进行写入，但是只能进行一次的写入，之后无法修改
3. 可擦除可编程只读存储器(EPROM)
   改写次数有限，写入时间很长
   1. 紫外线擦除
   2. 电擦除
4. 闪速存储器(Flash Memory)
   写入速度较快（U盘）
5. 固态硬盘(Solid State Drives)
   闪存+控制单元+FLASH芯片