3D堆叠BSI工艺才是dToF,iToF,CMOS的未来

本文探讨了3D堆叠BSI工艺在dToF、iToF和CMOS传感器中的重要性,强调其在提升产品性能方面的显著优势。与传统的FSI工艺相比,BSI工艺能提供更高的感光效率和更优的图像质量,尤其在低光照环境下。随着技术的发展,3D堆叠BSI工艺将成为行业的主流趋势,对于那些仍依赖FSI工艺的公司来说,转向BSI可能更为明智。
摘要由CSDN通过智能技术生成

大家可能会经常听到这些词汇,3D堆叠,FSI,BSI,SPAD,iToF,dToF,CMOS,Binning,FOV,FOI,CP,FP,Rolling Shutter, Global Shutter等,产品里包括了激光雷达,光感,SLAM,扫地机,消费电子,车规等,外行人不了解的往往懵。但是有一些关键词汇是能够直接定性定量的衡量一家公司的水准,比如以3D堆叠BSI工艺的大面阵SPAD产品dToF走向车规以及消费电子量产,这就牛逼了。

FSI全称前面照度技术(FRONT-SIDE ILLUMINATED),BSI全程背面照度技术(BACK-SIDE ILLUMINATED),这两种是工艺水平,跟你的产品是dToF,iTof,CMOS关系不大,但是能确定的是目前FSI和BSI的工艺已经是非常成熟了。背照式结构可避免金属走线、晶体管的影响,从而增加感光像素的进光量,同时,也能抑制光入射角度变化导致感光度下降的问题。即使面对夜景等昏暗场所ÿ

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