【电子元器件篇】——9.DC-DC

前言

电源类型

线性稳压器，所谓线性稳压器，也就是我们俗话说的 LDO，一般有这么两种特点：

• 传输元件工作在线性区，它没有开关的跳变；
• 仅限于降压转换，很少会看到升压的应用。

开关稳压器

• 传输器件开关(场效应管)，在每个周期完全接通和完全切断的状态；
• 里面至少包括一个电能储能的元件，如：电感器或者电容器；
• 多种拓扑（降压、升压、降压-升压等）

充电泵，一般在一些小电流的应用

• 传输器件开关(如：场效应管、三极管)，有些完全导通，而有些则工作在线性区；
• 在电能转换或者储能的过程中，仅限使用了电容器，如一些倍压电路。

答疑：有些情况为什么要使用开关稳压器？为什么不用 LDO 和充电泵？
我们知道，所有的能量都不会凭空消失，损耗的能量最终会以热的形式传递出去，这样，工程师在设计中就会产生很大的挑战，比如说，损耗最终以热的形式传递，那么电路中就需要增加更大的散热片，结果电源的体积就变大了，而且整机的效率也很低。如果在开关模式的开关电源，不仅可以提高效率，还可以降低了热管理的设计难度。
我们可以举一个例子来对比线性电源和开关电源的效率和体积：

从它们的效率来看，一个 12V 输入，3.3V/2A 输出的电源，如果用线性稳压器来实现的话，它输出效率只有 28%，而用开关电源来做的话，它的输出效率能达到 90%以上。所以线性电源在高输入电压，低输出电压的情况下的效率是非常的低，它只适用于一些输入和输出的压差比较低的场合。像这些情况下使用开关电源的优势是显而易见的。线性稳压器的损耗为 17.4W，开关稳压器的损耗只有 0.73W，这些损耗最终会以热量的形式传递出去，器件的工作温度=器件温升+环境温度，温升=热阻 × 损耗的情况下：假如器件的热阻 θ=35℃/W来计算，LDO 的温升=35℃ ×17.4W=609℃，开关稳压器温升=35℃ ×0.73W=25.55℃。可见，开关稳压器可以工作在 60~70℃的环境温度也是没问题的，而 LDO 在这种情况下，发热非常严重，必须得降低它的热阻，而热阻的大小就取决于散热面积，散热面积越大，热阻就越小，所以 LDO 需要很大的散热面积(如下图)，来减少它的热阻以获得较低的温升。

下图为线性电源和开关电源体积的比较

上图红色标注地方分别是一个 2.5W 的 LDO 和一个 6W 的开关电源，两者功率相差 2.4倍，但开关电源的面积仅是 LDO 的 1/4 不到，也就是说开关电源的损耗大大减少了，能够承受更高的热阻，减少散热的面积。
再次强调一遍，如果说输入与输出之间压差较低的情况下，可以使用 LDO，但压差较大的情况下，建议使用开关电源。当然，开关电源也有它的劣势，它的输出会有噪声、振铃、跳变，而 LDO 则不会。某些场合的负载对电源的电压是很敏感的话，可以在开关电源后面载加一级 LDO。例如我们要把 5V 转为 1.2V ， 如果直接有 LDO 的话，效率可能只有 20%，但我们可以把 5V 用开关电源变为 1.5V，再用 LDO 把 1.5V 转为 1.2V，这样，效率就会高，是一个比较优化的设计。

总结：开关电源 VS 线性稳压器
（1）开关电源
① 能够提升电压（升压）
② 以及使电压减低（降压）甚至反相
③ 具有较高的效率和功率密度
（2）线性稳压器
① 只能实现降压
② 输出电压相对更稳定

一、介绍

1.1 简介

开关电源：是一种高频化电能转换装置，其主要利用电力电子开关器件(如晶体管、MOS管、可控晶闸管等)，通过控制电路，使电子开关器件周期性地"接通"和"关断"，让电力电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，从而实现电压变换以及输出电压可调和自动稳压的功能。

开关电源的优势：①功耗低，效率高。②体积小，重量轻。③稳压范围宽。

开关电源的损耗来源：①开关管损耗。②电感电容损耗。③二级管损耗。

开关电源的损耗分析：开关电源的效率可以达到90%以上，如果精心优化与设计，甚至可以达到95%以上，这在以电池作为电力来源的场合非常重要，例如手机、小型无人机等。因此开关电源设计的优劣程度将直接影响设备的续航能力。

• 开关管损耗：这是开关电源的主要损耗，主要包括开关损耗、导通损耗。因此应该尽量选择导通电阻比较小的开关管作为开关电源的核心元器件。
• 电感电容损耗：电感损耗主要包括直流电阻损耗，电容损耗主要包括漏电流损耗。因此应该尽量选择直流电阻较小的电感和漏电流较小的电容元器件。
• 二极管损耗：主要包括导通损耗和开关损耗。因此应该尽量选择导通压降较小，反向恢复时间较短的二极管，例如肖特基二极管或快恢复二极管等。

1.2 分类

按照调制方式的不同可分为脉宽调制(PWM)和脉频调制(PFM)两种，目前脉宽调制(PWM)在开关电源中占据主导地位。

按照管子的连接方式可分为串联式开关电源、并联式开关电源和变压器式开关电源三大类。

按照输出电压的不同可分为降压式开关电源和升压式开关电源两种。

按照输入输出类型可分为：AC-AC、DC-AC、AC-DC、DC-DC四种，这里以DC-DC为主进行介绍。
按照是否有电气隔离可分为隔离型开关电源和非隔离型开关电源两种

二、原理

2.1 基本原理

开关电源是一种高效的电源转换方式，通过快速开关电源来控制输出电压。以下是对开关电源工作原理的概述和简化：

PWM控制：开关电源使用一个开关（通常是MOSFET或IGBT等），通过PWM信号控制其开关状态。当开关导通时，电源向负载提供能量；当开关断开时，电源停止向负载提供能量。PWM信号的占空比（即开关导通的时间与总时间的比例）决定了输出电压的平均值。

电感与电容：为了平滑输出电压，通常在开关电源的输出端加入电感和电容。电感可以存储和释放电流，而电容可以存储和释放电压。当开关断开时，电感释放能量，通过电容维持输出电压的稳定。

续流二极管：当开关断开时，续流二极管提供一个回路，使电感释放能量，维持输出电压的稳定。这有助于防止输出电压突然下降。另外如果不加它，由于电感电流不会突变，会产生一定大小的感生电压，从而会导致开关（mos管）击穿。

反馈与控制：开关电源通常具有反馈电路，用于检测输出电压并调整PWM信号的占空比，从而稳定输出电压。这种控制方式称为闭环控制。

总的来说，开关电源通过快速开关电源和加入电感、电容等储能元件，实现了高效、稳定的电源转换。这种电源转换方式广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、电视等。

2.1.2 实例：简化的降压开关电源

如图是一个简化的降压的开关电源,为了方便电路的分析,先不加入反馈控制部分。
状态一：当 S1 闭合时，输入的能量从电容 C1，通过S1→电感器 L1→电容器 C2→负载 RL供电,此时电感器L1同时也在储存能量,可以得到加在L1上的电压为: $Vin-Vo-L\ast di/dton$。
状态二：当 S2 关断时，能量不再是从输入端获得，而是通过续流回路，从电感器 L1 存储的能量→电容C2-负载RL→二极管D1,此时可得式子: $L\ast di/dtoff-Vo$,最后我们可以得出 Vo/Vin=D，而 Vo 永远是小于 Vin 的，因为占空比 D≤1。

各个器件的作用:
1、输入电容器(C1)用于使输入电压平稳；
2、输出电容器(C2)负责使输出电压平稳；
3、箝位二极管(D1)在开关开路时为电感器提供一条电流通路；
4、电感器(L1)用于存储即将传送至负载的能量。

2.2 拓扑结构

2.2.1 BUCK

工作模型：

开关电源是一个闭环的控制系统，我们可以把开关电源的电流比喻为水流，输入电容就是一个高的蓄水池、输出电容是一个小的蓄水池，把一小杯一小杯的水从大水池传送到小水池，通过控制传送的间隔时间和水杯的水量从而实现小水池固定的水量，当输出的水量低了，就增加杯子的水量，当输出的水量高了，就减少杯子的水量。

降压转换器基础（电流和电压波形）

当开关开通的时候，能量从输入向输出传递，电流是斜线上升的，好比模型里杯子的水往小水池传送；当小水池的水偏高了，开关就关断，这时电感、负载、二极管形成自然的续流回路，电流开始线性减少；当小水池的水低到一定程度后，重新开始开通开关；通过这样高频率的开通和关断，就形成一个稳定的输出电压。

拓扑结构

上图就是一个电路结构，我们可以通过两个电阻的分压采样输出的电压，再经过一个比较器和基准比较，如果输出小于基准，MOS 管就开通；如果输出大于基准，就关断 MOS管。
下图是用 LM22670 芯片做的电路示例，这就是一个典型的非同步降压转换器，因为他下管是用了一个快恢复或者肖特基二极管。为什么要用肖特基呢？因二极管的寄生参数和漏感会导致在 MOS 管在开通时产生一个高压的震荡，这个震荡最终会导致芯片的 SW 引脚高压损坏和开关损耗非常大，导致效率很低，所以一般会使用快恢复或者肖特基二极管。

2.2.2 BOOST

升压转换器（电流和电压波形）
上图就是升压转换器(Boost)的拓扑结构，我们前面讲过，电感L是一个储能元件，

当开关管导通的时候，输入的电压对电感充电，形成的回路是：输入Vi→电感L→开关管Q；
当开关管关断时，输入的能量和电感能量一起向输出提供能量，形成的回路是：输入 Vi→电感L→二极管D→电容C→负载RL,因此这时候输出的电压肯定就比输入的电压高,从而实现升压。

升压转换器拓扑和电路示例

上图所示升压转换器的控制回路是通过分压电阻的采样，然后经过误差比较器和基准源比较，最后输出 PWM。需要注意的是这种电路在芯片不工作的时候，它的输入到输出就已自然经形成了回路，从输入→电感→二极管→电容→负载，所以如果不是在同步的升压拓扑结构里面，在输入电路部分应该增加一个切换电路，否则在电池供电的时候，电池的电量就白白用完了。

2.2.3 Buck-Boost升降压式：

降压-升压转换器（电流和电压波形）：

状态一：开关管开通，二极管 D 反向截止，电感器储能，电流回路为：输入 Vin →开关管 Q→电感器 L；
状态二：开关管关断，二极管 D 正向导通续流，电流回路为：电感器 L→电容 C→负载 RL→二极管 D；

输出什么时候是升压，什么时候是降压呢？
我们可以根据公式Vo=Vin×D/(1-D) 中知道，当 D=0.5 时，Vo=Vin；当 D＜0.5 时，Vo＜Vin；当 D＞0.5 时，Vo＞Vin。而且我们可以看到，这种拓扑结构我们很容易得到了负向的电压，当某些场合不想用隔离变压器拉抽头的方式的时候我们可以用这种方式来实现负电压。

降压-升压转换器拓扑

上图是用 TPS5430DA 实现的一个负电压输出的电路，TPS5430DA 和 LM22670 的引脚相同，两者可以互换。

2.3 控制器与稳压器

控制器(Controler)和稳压器(Regularlator)，上图是一个控制器和稳压器的区分参考，集成开关管的 IC 我们一般称之为稳压器，需要外置开关管的 IC 我们称之为控制器，而图中的描述我们只能作为一个参考，现在很多的稳压器已经可以做到大于 3A，而且热阻低到 10℃/W 也有很多，但很多大功率的开关电源还是需要控制器，外置 MOS 管。

控制器与稳压器实例对比

三、DCDC参数介绍

同步与非同步

我们在选择电源之前，要面临一个问题，是选择同步还是非同步的DC-DC？

以BUCK电路为例，若电路中只有一个MOS管（功率管），而在续流回路中采用的是整流二极管（二极管具有单向导电性，不需要外加电路控制其通断），则该电路就是非同步的，因为它只有一个 mos管（或者说开关管）需要用电路控制，续流二极管不需要控制电路，也就不用去强调同步控制二极管（D1），即可以理解为非同步，非同步电路如左图。

若在电路中续流回路中使用的也是MOS管（Q2），即上下管都是MOS管，因为MOS管本身是需要外控制的元器件，整流过程中必须根据电源的开关时序同步控制Q1与Q2，所以该电路为同步。

同步是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
功率MOSFET 属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

以Buck为例：
Buck降压型DCDC的拓扑图如下，主要由开关管、电感、续流二极管、滤波电容等元器件构成；

通过控制开关管导通与关闭来实现电源的降压，为异步Buck，如下图左侧拓扑；
将二极管更换为开关管后，则是效率高发热量小的同步Buck，如下图右侧拓扑。

开关管打开，即G1打开时，
电流流动如下图，二极管D1（开关管G2未打开）截止，输入电源Vin给负载RL提供电流，也为电感L1和电容Cout提供电流储存能量；电感会抵消一部分电源电压，负载RL两端的电压比电源电压低。

开关管关闭，即G1未打开时，
电流流动如下图，二极管正向导通（开关管G2导通），输入电源Vin不能为负载RL供电，由电感L1、电容Cout向负载RL提供电流，短时间内电感电压下降，负载RL两端的电压也下降。

开关周期性打开、闭合的过程中，负载RL两端的电压也呈周期性变化，有效值稳定在所需的降低后的电压，如下图所示

电路中各器件的作用简单总结如下
输入电容器Cin：使输入电压平稳；
输出电容器Cout：使输出电压平稳；
箝位二极管D1/MOS管G2：在开关开路时为电感提供一条电流通路；
电感L1：存储即将传送至负载的能量。

从上面拓扑图可以看出，

同步Buck与异步Buck的差异在于二极管和MOSFET，

同步Buck中用导通电阻极低的专用功率MOSFET，替代了整流二极管以降低整流损耗，

使Buck转换效率大幅提高 ，由肖特基势垒电压造成的死区电压也不再存在。

为什么叫同步Buck?
功率 MOSFET 属于电压控制型器件，它导通时的伏安特性呈线性关系;
使用功率 MOSFET 的整流器时，MOS的栅极电压与被整流电压的相必须保持同步才能实现整流功能，因此成为同步BUCK。

TPS6281xM, Extended Temperature, 2.75-V to 6-V Adjustable-Frequency Step-Down
DC/DC Converter

(1)同步的优缺点

• MOSFET 具有较低的电压降
  在MOSFES的参数中有一个很重要的参数那就是MOSFES的导通电阻Rds on,一般情况 MOSFES 的导通电阻Rds on是非常小的，一般都为毫欧级别，所以MOSFES 在导通之后的压降非常比较低的。
• 效率较高
  在相同的条件下，一般的MOS管的导通电压降远远小于普通肖特基二极管的正向导通压降的，所以在电流不变的情况下，MOS管的损耗功率是远远比二极管小的，所以说使用MOS管的效率会比使用二极管的效率会高
• 需要额外的控制电路
  Mos管需要驱动电路的，所以说同步的需要为MOS管额外添加一个控制电路，使得上下两个 MOS管能够同步，而非同步的二极管是自然整流的，所以不需要额外添加驱动控制电路，所以所先对非同步，同步的电路也会比较复杂。
• 成本比较高
  由于一般相同mos 管的价格比二极管高，而且mos管还需要驱动电路，驱动ic，所以在成本上同步的比非同步的制造成本相对会贵一些，生产的流程工艺也会复杂一些。

TPS54331 具有 Eco-mode 的 3A、28V 输入、直流/直流降压转换器

(2)非同步的优缺点

• 在输出电流变化的情况下，二极管的电压降相当恒定
  当续流二极管正向导通时，输出电流变化，二极管的正向压降是恒定不变的，锗管的压降为0.2-0.3V,硅管的压降为0.7V。
• 效率低
  因为二极管的电压降恒定，所以当流过二极管的电流很大的时候，原本在二极管上很小的电压再乘以电流之后，输出的电压很低的时候，这时候的二极管的小电压降就占了很大的比重，它的消耗功率就很可观了，所以在大电流的时候效率就会减低了。
• 比较便宜
  大家都知道的二极管的价格肯定是比MOS的价格便宜的，这里说是可以是同等条件下的，大家都是用同一个衬底的情况下。如果说一个是普通衬底的mos管，而另外一个是碳化硅衬底的二极管，或者说一个是低压的mos管和一个高压的二极管，那么他们的价格就不一定是二极管的比mos 管的便宜了。
• 可采用较高的输出电压
  在输入电压比较高的时候使用是比较好的，因为在输出电压高时，二极管的正向导通压价所占的比重就很小，对效率的影响就比较低，而且它的电路结构比较简单，不需要外加控制电路，生产的工艺流程也会比较简单。

其中
同步整流器的功率损耗计算公式为：
这个公式用于计算在特定输出电流和占空比下，同步整流器由于MOSFET的导通电阻而产生的功率损耗。占空比D通常小于1，因此(1 - D)表示MOSFET截止的时间比例。由于MOSFET在截止期间不消耗功率，所以只考虑其导通期间的功率损耗。

在实际应用中，为了最小化功率损耗，通常会选择具有低RDS(on)值的MOSFET，并优化占空比D以适应特定的应用需求。此外，还需要考虑其他因素，如散热设计、成本、可靠性等，以确保整体电源转换效率达到最佳。

非同步整流器的功率损耗公式为：

在看完各自的优缺点之后，在制作时到底该如何选择同步于非同步呢？

• 效率
  如果要求效率比较高，而成本高一点无所谓的话，那么必定是要选择的同步的。上面也提到了，mos管损耗小，可以提高效率，但它也比较贵，成本也高。
• 成本
  同步也非同步之间，非同步的续流是二极管，它的的价格比mos管便宜，而且不需要额外的控制电路，电路简单的多，所以它无论是材料成本还是制作成本都要比同步的低，所以在要求效率不是很高的时候也可以选择非同步。
• 可靠性
  还有一个就是可靠性，非同步的可靠性肯定是比同步的更加可靠的，为什么呢，因为mos 管不可能是理想的开关，它也是有开通时间和关断时间的，所以如果上下两个管子的死区时间没有控制好，使上管的关断时间和下管的开通时间有重叠，造成有直通现象，那么mos管就会因电流过大而损坏。

隔离与非隔离

作为一个硬件工程师，了解即可。

效率与损耗

PFM

在轻负载时，PWM转换器能自动切换至一种“低功耗”模式以最大限度地减少电池电流消耗，该模式有时被称为“PFM”—但实际上是一个间歇式地接通和关断的固定频率（PWM）转换器。

从左边的波形和右边的波形对比中，我们可以清晰地观察到两者之间的区别。左边的波形展示了经典的PWM（脉冲宽度调制）模式，它的脉冲宽度随着负载变化而调整，以维持稳定的输出电压。

而右边的波形则是在轻载或间歇工作模式下呈现的PWM跳跃模式。在跳跃模式中，PWM的频率明显降低，这意味着开关的动作减少了，从而开关损耗也相应减少。这种模式的优点在于，当负载较轻时，通过减少开关次数，可以有效地降低功耗。

然而，从输出电压纹波的角度来看，跳跃模式会导致纹波增大。这是因为在此模式下，PWM的调整不再是每个周期都进行，而是当反馈信号达到窗口比较器的上限或下限时才会进行调整。这种调整方式使得输出电压的稳定性受到一定的影响，导致纹波增大。

控制模式

DCDC–控制方式（Control Mode）

DCDC的反馈(Feedback)控制方式有电压模式(Voltage Mode)、电流模式(Current Mode)、迟滞控制(Hysteretic Mode)、COT、Peak-Current等

电压模式是反馈环路只反馈输出电压，

将误差放大器和基准电压做比较后所差距的电压，再进一步与三角波做比较，决定PWM信号的脉冲宽度来控制输出电压。
电压模式的优点为纯电压的反馈环路控制简单、导通时间短、抗噪好；但相位补偿电路复杂。

电流模式是对电压模式控制的改良，

采用检测电感上电流的方式，而不是电压模式控制使用的三角波；

或者检测晶体管上电流取代电感电流、通过电流检测电阻进行检测。

反馈环路分电压环路和电流环路两者，控制比较复杂，但是相位补偿电路被大幅简化，

反馈环路的稳定性高、负载瞬态响应比电压模式快速；但容易发生次谐波振荡。

四、DCDC手册解读

TPS54331 芯片手册

• 同步与非同步
• 输入电压，输入电流，输出电压，输出电流
• 输入输出电容选择
• MOSFET选型
• 电感选型
• 功耗
• 纹波和噪声
• 上电时序

MOSFET选型

• V_DS（漏源电压）：
  这是MOSFET在关断状态下能够承受的最大电压。当MOSFET处于关断状态时，漏极和源极之间的电压不应超过这个值。在实际应用中，为了确保MOSFET的安全运行，通常会在这个最大值的基础上留出一些余量。
• R_DS（漏源电阻）：
  这是MOSFET在导通状态下从漏极到源极的电阻。RDS越小，MOSFET在导通时的损耗就越小，效率就越高。因此，在选择MOSFET时，RDS是一个非常重要的参数。
• I_D（漏极电流）：
  这是MOSFET能够处理的最大电流。在选择MOSFET时，必须确保它能够满足实际应用中所需的最大电流，并留出一定的余量以防止过流损坏。如果实际应用中需要输出3A的电流，那么选择的MOSFET的ID至少应该能够输出5A或更大的电流
• 栅极漏电流：
  这是MOSFET在关断状态下从漏极到栅极或源极的微小电流。这个电流会导致静态损耗，因此越小越好。
• V_GS（栅源电压）：
  这是控制MOSFET导通和关断的电压。在选择MOSFET时，需要考虑驱动电路能够提供的VGS范围，以确保MOSFET能够正常工作。
• 损耗：
  开关损耗主要来源于MOSFET在开关过程中的能量损失，而导通损耗则主要来源于MOSFET在导通状态下的电阻损耗。为了减小开关损耗，我们希望MOSFET的寄生电容和寄生电阻尽可能小。这是因为寄生电容和寄生电阻越小，MOSFET的开关速度就会越快，从而减小开关过程中的能量损失。

器件手册

特性应用及说明

引脚配置和功能

• BOOT
  在开关电源、电机驱动和其他一些电力电子应用中，经常需要使用高侧MOSFET（即MOSFET的源极连接到正电源或高电压侧）。为了有效地驱动高侧MOSFET，有时需要一个自举电容器（bootstrap capacitor）来提供栅极驱动所需的电压。
  自举电容器通常连接在BOOT引脚和PH引脚（或称为相位引脚，通常连接到MOSFET的漏极）之间。这个电容器的目的是在MOSFET关断时存储电荷，并在MOSFET需要导通时提供栅极驱动所需的电压。
  当MOSFET关断时，自举电容器通过BOOT引脚充电，其电压等于电源电压。当MOSFET需要导通时，栅极驱动器会使用这个存储在自举电容器上的电压来拉高MOSFET的栅极电压，从而使其导通。
  如果自举电容器上的电压低于最低要求，栅极驱动器可能无法提供足够的电压来使MOSFET完全导通，或者可能导致MOSFET的导通不稳定。在这种情况下，高侧MOSFET会被强制关断，直到自举电容器通过BOOT引脚再次充电并刷新其电压。
  自举电容器的选择需要考虑到MOSFET的栅极电荷要求、开关频率以及其他相关因素。如果电容器太小，它可能无法提供足够的电荷来快速刷新MOSFET的栅极；如果电容器太大，它可能会占据过多的空间并增加成本。
  总之，自举电容器在高侧MOSFET驱动中扮演着重要的角色，它确保了MOSFET能够在需要时稳定地导通和关断。如果电容器上的电压低于最低要求，MOSFET会被强制关断，直到电容器刷新并再次提供足够的电压。
• EN
  此引脚是使能引脚：
  使能引脚（Enable Pin）是一个特殊的引脚，它用于控制设备或模块的功能是否启用或禁用。
  要禁用，拉至 1.25V 以下：
  这意味着，如果你希望禁用这个设备或模块，你需要将这个使能引脚上的电压降低到1.25V以下。这通常是通过连接一个电阻或其他电子元件到这个引脚，并将其连接到一个低电压源（如0V）来实现的。
  悬空此引脚即可启用：
  “悬空”引脚意味着不连接任何东西到这个引脚。在这个情况下，如果使能引脚悬空（即没有连接到任何电压源），那么设备或模块将被启用。
  建议使用两个电阻器对输入欠压锁定进行编程：

规格

• 电压基准Voltage reference
  电压基准在电路设计中起着至关重要的作用，它直接影响输出电压的准确性和稳定性。标准电压基准虽然设定为0.8V，但实际上由于各种因素，如温度变化，这个值会有所浮动。这种浮动是不可避免的，而且对输出电压有着直接的影响。
  在设计电路时，我们通常会设定输出电压为3.3V。然而，在实际应用中，特别是在低温环境下，输出电压可能会降低到3.15V或3.20V。尽管在这种情况下，芯片可能仍然能够正常工作，但其性能可能会受到一定的影响。为了确保在各种环境条件下，特别是在高低温环境下，输出电压都能满足要求，我们通常会将设定值稍微提高一些，例如提高到3.33V。
  此外，为了避免一些工程师过于保守地将输出电压设定得过低（例如3.28V或更低），我们建议在设计时，将输出电压的设定值上偏一些，例如增加1%或1.5%的裕量。这样做可以确保在实际应用中，即使考虑到PCB上的压降和负载变化，输出电压也不会过低，从而保证芯片的稳定性和性能。
• 电流限制阈值CURRENT LIMIT
  一旦电流达到其典型值5.8安时，限流功能会启动并逐渐关断电路，确保电流不会超过这个阈值。而最小值3.5安时，也可能触发限流关断，但标准是在5.8安时关断。
  TI的器件在这方面表现优异，其标定的参数通常是准确的，没有虚标。这意味着即使在不降额的情况下，例如在CPU最大负载下，选择这些器件也能满足需求。相比之下，一些国产器件可能在这方面存在问题。有时，尽管它们标定的参数看似很高，例如3安，但在实际使用中，当电流接近这个值时，例如2.7或2.8安，就可能已经出现异常情况。因此，使用这些器件时，可能需要更大的降额系数来确保稳定性。

典型特性

• 1.导通电阻与结温的关系：
  导通电阻是指MOSFET在导通状态下，从源极到漏极的电阻。这个电阻会随着温度的升高而增加，因为MOSFET的内部材料电阻率会随着温度增加而增加。
  结温升高会导致导通电阻增大，这会影响电源转换效率，并可能增加功耗，进一步加剧结温上升。
• 2.关断静态电流与输入电压的关系：
  关断静态电流是指当设备关闭或处于休眠状态时，从输入到输出的漏电流。
  输入电压可能会影响关断静态电流，因为较高的输入电压可能导致IC内部漏电流增加。但是，对于大多数现代电源管理IC来说，这种影响通常是微不足道的。
• 3.开关频率与结温的关系：
  开关频率是指IC内部MOSFET的开关速度。
  温度越高，开关频率越高。
• 4.电压基准与结温的关系：
  电压基准是指IC内部用于参考或比较的固定电压。
  理论上，电压基准与结温关系不大，因为电压基准通常是通过内部带隙参考或其他稳定技术来实现的，这些技术受温度影响较小。

• 5.最短可控导通时间与结温的关系：
  最短可控导通时间是指IC能够控制MOSFET导通的最短时间。
  这个参数通常与结温没有直接关系，除非在极端条件下，比如非常高的开关频率，这可能会导致IC过热。
• 6.最小可控占空比与结温的关系：
  最小可控占空比是指IC能够控制的最小MOSFET导通时间占总周期时间的比例。
  占空比与结温的关系可能间接存在，因为如果占空比非常小，那么MOSFET的大部分时间都处于关断状态，这可能会减少IC的功耗和结温。
• 7.充电电流与结温的关系：
  充电电流是指用于给内部电容器（如自举电容器）充电的电流。
  随着温度越发增大，电容的充电电流越来越小，以CSS电容器为例，它通常用于控制开关时序。CSS电容器在外部电路中起到稳定电压和电流的作用，从而确保设备在不同温度下的稳定运行。然而，需要注意的是，CSS电容器的容量和充电电流会随着温度的变化而变化。
  在高温下，电容器的容量可能会减小，充电电流可能会增加。相反，在低温下，电容器的容量可能会增加，而充电电流可能会减小。这种变化可能导致时序控制的不稳定性，特别是在对时序要求非常严格的应用中。
  为了解决这个问题，设计师通常需要在设计过程中留出足够的余量，以应对不同温度下的参数变化。此外，还可以采用温度补偿技术，通过调整电路参数来补偿由于温度变化引起的性能变化。
• 8.电流限制阈值与输入电压的关系：
  电流限制阈值是指IC能够安全通过的最大电流。
  输入电压可能会影响电流限制阈值，因为较高的输入电压可能会增加IC内部电路的电流承载能力。然而，这种关系通常是固定的，由IC设计决定。

五、外围关键器件选型

使能和可调输入欠压锁定（VIN UVLO）

EN 引脚和 VIN UVLO（输入欠压锁定）的详细说明

• EN 引脚的功能
  内部上拉电流源：TPS54331 的 EN 引脚具有一个内部上拉电流源。当 EN 引脚悬空（即未连接任何外部电路）时，这个内部上拉电流源会提供一个默认的偏置条件，通常是将 EN 引脚拉高到某个电压水平。
  使能控制：通过控制 EN 引脚的电压，用户可以启用或禁用 TPS54331 器件。当 EN 引脚的电压满足特定的使能阈值时（通常是高于某个电压值），器件将被启用；当电压低于另一个阈值时，器件将被禁用。
• VIN UVLO（输入欠压锁定）
  功能描述：VIN UVLO（Under-Voltage Lock-Out，输入欠压锁定）是一个保护机制，当 VIN 引脚的电压降至一个内部设定的阈值以下时，该机制会关闭 TPS54331 器件，以防止因输入电压过低而导致的潜在损坏。
  调整 VIN UVLO：尽管 TPS54331 内部有 VIN UVLO 功能，但建议增加外部电路以实现更精确的电压阈值设置和迟滞（hysteresis）功能。迟滞是指电压阈值在上升和下降过程中的不同，它有助于防止因输入电压的小幅波动而导致的反复开关。
  外部电路设置：为了调整 VIN UVLO 并增加迟滞，需要使用外部电路，通常包括连接到 EN 引脚的电阻。这些电阻用于分压，从而设置 EN 引脚的电压，进而控制 TPS54331 的使能状态。

此外，电源设计中的复位逻辑也是一个需要关注的关键点。复位逻辑用于在设备出现故障或异常时，将系统恢复到初始状态，以确保设备的正常运行。在电源设计中，如果输入电压出现回勾（即电压突然下降后迅速回升）现象，可能会导致系统复位，从而影响设备的正常工作。
为了避免这种情况的发生，我们需要在电源设计中采取相应的措施。例如，可以通过在电源转换器的输出端加入滤波电路来平滑电压波动，减少回勾现象的发生。同时，也可以在系统设计中加入防抖动逻辑，以防止由于电压波动引起的误复位。

使用 SS 引脚的可编程慢启动

输入电容

推导公式

公式一： VIN = IO(MAx)*0.25/(CBULK*FSW) 因为括号计算出来小，就省略了，可以不省略。
解释：

VN：这通常代表输入电压的纹波（Ripple Voltage）。
IO(MAx)：这是输出电流的最大值（单位可能是毫安，mA）。
CBULK：这是输入电容的值（单位可能是微法，uF）。
FSW：这是开关频率（单位可能是千赫兹，kHz）。
公式意义：
这个公式用于估算输入电容CBULK上由于开关操作产生的电压纹波VN。
公式表明，为了减小纹波，需要增加电容值CBULK，或者降低输出电流IO(MAx)和开关频率FSW。
例子：
假设IO(MAx)为3A，CBULK为10uF，FSW为570kHz。
那么VN = 3A * 0.25 / 10uF / 570kHz ≈ 131mV。

公式二： VP(max) =IOut * dc* (1 - dc) *1000 /(fsw *CMIN)
解释：

VP(max)：这是文波峰峰值（Peak-to-Peak Ripple Voltage）。
IOut：这是输出电流（单位可能是安培，A）。
dc：这是占空比，通常是一个介于0和1之间的数。
fsw：这是开关频率（单位可能是赫兹，Hz）。
CMIN：这是输入电容的最小值（单位可能是微法，uF）。
公式意义：
这个公式用于估算文波峰峰值VP(max)，它是由于开关操作产生的。
公式表明，为了减小文波峰峰值，需要增加电容值CMIN，或者降低输出电流IOut、占空比dc和开关频率fsw。
例子：
假设IOut为3A，dc为0.5，fsw为570kHz，CMIN为10uF。
那么VP(max) = 3A * 0.5 * (1 - 0.5) * 1000 / 570KHz / 10uF ≈ 131mV。

公式三： CMIN = IOuT * dc * (1 - dc) *1000/fsw*VP(max)
解释：

这个公式实际上是公式二的变形，用于求解输入电容的最小值CMIN。
公式意义：
当你知道文波峰峰值VP(max)和其他参数时，你可以使用这个公式来估算所需的最小电容值CMIN。
例子：
使用上面的例子，我们已知VP(max)为50mV，其他参数也已知。
那么CMIN = 131mV / (3A * 0.5 * (1 - 0.5) * 1000 / 570MHz) = 10uF。

这三个公式都与开关电源设计相关，其中输入电容的选择对于减小纹波和确保电源稳定性至关重要。

问题：
电源设计的纹波是自己给设计参数吗？
不是。
电源设计的纹波需要根据具体的电源类型和应用场景来确定。例如，对于开关电源，纹波电压的大小通常受到开关频率、输出滤波电容、电感等参数的影响。在设计过程中，需要根据具体的应用需求和规范来确定这些参数，以达到所需的纹波电压要求。
此外，纹波电压的大小还需要考虑电源的稳定性、可靠性、效率等因素。因此，电源设计的纹波不是简单地自己给设计参数，而是需要根据具体的应用需求和规范进行综合考虑和计算。

一般开关电源的纹波大小是多少？
一般开关电源纹波大小在100mV左右，最好控制在50mV以下。
纹波能达到的指标取决于电源本身的设计，同时需要考虑电源系统带负载的实际需求。电源每路输出负载的纹波值与该路的电流值有关系，电源在轻载下纹波不会超标。在实际使用中，大部分要求高的数字芯片为5%的纹波要求，小信号的模拟电路，对电源纹波要求非常高，一般要求在50mV甚至更低，此时可能需要考虑采用线性电源。

关于输入电容的选择，我们需要特别注意几个关键因素。首先是容量和误差，理论计算值在实际应用中可能因温度等因素而有所变化，因此选择合适的电容值至关重要。其次，额定工作电压和降额使用也是不可忽视的因素，必须确保电容在正常工作范围内。此外，温度系数、频率特性和ESR等参数也会影响电容的性能，需要综合考虑（主要的就是它。容量和耐压以及它的就是相当于它的精度，随着温度变化的这样的一个温度系数，因为esr也比较重要，你esr过大，它产生的损耗就比较大）。

在选择电容时，我们还需要注意其封装尺寸和PCB空间限制。过大的电容封装可能会占用过多空间，影响其他元件的布局。因此，在满足电源设计需求的前提下，应尽量选择合适尺寸的电容。

关于电容的容量选择，通常建议采用理论计算值的1.5倍至2倍作为实际选择的依据。例如，你计算是22位法，那你可以放它的2倍，但是不用太大哈，比如我放个47。其实就是有一点偏大的哈，我放两个十其实也差不多了，也就OK了。当然，具体选择还需根据实际应用场景和规范进行综合考虑。

最后，需要注意的是，过大的电容容量并不总是有利的。虽然增加容量可以提高电源的稳定性，但也会增加成本和体积。因此，在选择电容时，我们需要找到一个平衡点，以满足电源设计的整体要求。

总之，输入电容的选择是一个需要综合考虑多个因素的过程。通过合理选择合适的电容值、耐压值和封装尺寸，我们可以确保电源的稳定性和可靠性，同时优化整体设计成本和体积。

输出电压

输出电压通过外部采样电阻结合器件的反馈参考电压V_REFb确定，一般要求选用1%精度的外部电阻，有些工程师习惯将输出电压设置的稍高一点点，比如3.3V输出的设计增大到3.35V以保证负载端电压不低于3.3V。


现在，假设我们知道所需的输出电压v_out，例如我们想要设计一个将12V转换为3.3V的电源。已知v_ref为0.8V，我们可以通过调整R5和R6的比例来实现所需的输出电压。具体来说，R5与R6的比值应该等于v_out除以v_ref再减去1。在我们的例子中，这个比值约等于3.3V除以0.8V再减去1，得到的结果是3.125。

那么，如何选择实际的电阻值呢？通常，我们会在可用的电阻值中寻找与这个比值（3.125）接近的。例如，如果我们选择R6为1kΩ，那么R5就应该是3.125kΩ。如果R6选择为1.5kΩ，那么R5就应该是4.7kΩ。在实际操作中，我们会在我们的电阻库中选择合适的电阻值，比如选择10kΩ的R6，那么R5就应该是30kΩ左右。我们可以选择一个稍微大一点的电阻值，比如36kΩ，以满足需求。

在选择反馈电阻时，我们需要考虑一些限制条件。首先，由于DC-DC芯片内部误差放大器存在漏电流，这个漏电流会影响反馈点的电压稳定性。为了避免漏电流积累导致的问题，我们需要确保反馈电阻的阻值足够小，以便及时泄放漏电流。根据芯片规格书，漏电流的最大值通常为10微安。因此，我们可以计算出反馈电阻的最大值，即R6应小于等于80kΩ（Vref/I —>0.8V/10uA）。

在选择反馈电阻时，我们还需要考虑功耗和精度。电阻值过小可能导致功耗增加，而电阻值过大则可能影响输出电压的精度。精度则影响输出电压的稳定性和准确性，因此通常选择1%的精度。

过压保护

电感

在DC-DC降压电路中，电感是一个至关重要的元件，其选型值是通过特定公式计算得出的。这个公式中涉及到的系数kind，通常取值在0.1到0.4之间。电感值的选取与输出电流的纹波密切相关，感知（电感值）越高，纹波电流越小。然而，纹波电流的大小同时也决定了磁芯的损耗，纹波电流越小，磁损也就越小。

因此，从减小磁损的角度来看，电感值似乎应该越大越好。但实际上，由于电感的饱和电流和温升电流与其封装大小有关，我们不能无限制地增大电感值。感知（电感值）越大，在通风条件下，电感的饱和电流和温升电流就会越小。在选择电感时，我们需要考虑到实际应用中的电流和电压要求，以及PCB布局和布线的限制，因此并不能选择过大的电感封装。

那么，如何选择合适的电感值呢？首先，它必须满足公式计算出的最小值，这个值是基于电路参数和电感特性计算得出的。现在，我们以一个具体的例子来说明如何计算电感值。假设我们有一个DC-DC电路，输入电压为12V，输出电压为3.3V，输出电流为3A。我们可以通过公式计算出所需电感值的最小值。

在计算过程中，我们需要注意单位换算和公式中的常数取值。例如，公式中的系数kind我们通常取0.3，而频率570k需要乘以10^3转换为赫兹。计算出的电感值单位为微法（uF），需要注意与法拉（F）之间的换算关系。

最后，我们得到的电感值是一个参考值，实际选择时需要考虑到电感的标称值和可用性。在标称值中，我们需要选择一个大于或等于计算值的电感。例如，如果计算出的电感值为4.66uF，我们可以选择最接近的标称值4.7uF作为实际使用的电感值。

注意：

• 不同输出电压的要求感量不同；
• 注意温升和饱和电流要满足余量要求，一般最大电流的1.3倍以上；
• 通常选择合适的电感值L，使ΔIL占输出电流的30% to 50%。

除了电感值之外，我们还需要关注电感的额定电流和饱和电流等参数。额定电流是电感能够持续承受的最大电流值，而饱和电流是电感在特定条件下能够处理的最大电流值。在选择电感时，我们需要确保电感的额定电流大于或等于电路中的最大电流值，以避免电感饱和或损坏。还有ESR，选比较小的。

输出电容

了解开关电源的控制环截止频率和开关频率有什么关系？

续流二极管

环路设计/补偿器件【Amazing】

在对DCDC外围关键器件选型时，还应关注其组成的环路稳定性，
环路设计对DCDC的性能至关重要，需要关注其剪切频率、相位裕量、增益裕量等指标。

看不懂 53

五、Layout

如下图为JW5026、ETA1477规格书中的PCB Layout

BST的电容走线尽量短粗；

输入电容尽可能靠近芯片对应管脚放置可铺铜，减少寄生电感的影响；电容地端适当增加过孔，减少阻抗；

电感靠近SW引脚，远离反馈线，电感相邻层下方不能走线；输出电容靠近电感放置可铺铜，地端增加地过孔；

功率回路尽可能短，走线尽可能粗，，减小环路面积；SW是噪声源，保证电流的同时保持尽量小的面积，远离敏感的易受干扰的位置；

FB电阻到FB管脚走线尽可能短，靠近芯片管脚放置，减少噪声的耦合；FB下分压电阻通常接信号地AGND；FB远离噪声源，SW点，电感，二极管（非同步buck）；FB走线最好包地；

芯片底部接地尽可能大、增加过孔散热。

DCDC设计案例分析

六 扩展

开关电源的噪声是如何产生的？

首先，使用同步整流型降压DC/DC转换器的等效电路来了解一下开关电流的路径。

SW1为高边开关，SW2为低边开关。SW1导通（SW2为OFF）时，电流路径是从输入电容器到SW1、再经由电感L到输出电容器。SW2导通（SW1为OFF）时，电流路径是从SW2经由L再到输出电容器。下图表示这些电流路径的差分，每当开关ON/OFF时，红色线路的电流都会急剧变化。该环路的电流变化非常剧烈，所以会因PCB板布线电感而在环路内会产生高频振铃。

图中表示构成电源电路的外置部件、实装多层电路板的寄生分量及振铃的关系。

红色部分标出的是上图所表示的电流在急剧变化的环路中的寄生分量。布线中存在布线电感，通常每1mm有1nH左右的电感。另外，电容器中存在等效串联电感ESL，MOSFET的各引脚间存在寄生电容。因此，如红框内的图例所示，开关节点将产生100MHz～300MHz的振铃。所产生的电流及电压，可通过两个公式求得。

此振铃会作为高频开关噪声带来各种影响。虽然有采取相应的措施，但由于无法从电源IC处去除安装电路板的寄生分量，因此只能通过PCB板布局设计及采用去藕电容来解决。

转自：开关电源的噪声是如何产生的？

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参考文章：
开关电源(DC/DC)原理分析
一文搞懂DCDC基础知识
开关电源基础知识