NSG21864可替代IR21814
NSG21864 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片,具有两个独立传输通道,逻辑地与功率 地分离,可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干 扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电 路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入 电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL逻辑输出电平, 输出电流能力最大可达 4A,其浮地通道最高工作电压 可 达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。
产品特点:
自举工作的浮动通道
最高工作电压为 700V
兼容 3.3 V, 5V 和 15V 输入逻辑
dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec
Vs 负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压:10 V 到 20V
高、低侧欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 8.9V – 欠压锁定负向阈值 8.2V 芯片开通/关断传输延时 – Ton/Toff =130ns/130ns)
高低侧延时匹配
驱动电流能力: --拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)
产品应用
电机控制 Ÿ 空调/洗衣机 Ÿ 通用逆变器 Ÿ 微型逆变器驱动程序