G2061 TSSOP20 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片

本文详细描述了一款具有高电压耐受、快速响应和宽温度适应性的半导体器件,特别强调了其在电机控制、家电和电力转换领域的应用,以及符合RoHS标准的环保特性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

02产品特性

自举工作的浮地通道

最高工作电压为+250V

兼容 3.3 /5V 输入逻辑

dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns

Vs 负偏压能力达-9V

栅极驱动电压范围 8V 至 20V

高、低侧欠压锁定电路

– 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V

– 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V

– 低侧欠压锁定正向阈值 7V

– 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V

防直通死区逻辑

– 死区时间设定 200ns

芯片传输延时特性

– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/120ns

– 延迟匹配时间小于 50ns

宽温度范围-40~125°C

输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A

符合 RoSH 标准

03封装形式

TSSOP20

04应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

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