
MOSFET雪崩特性
在反激变换器应用中,由于变压器漏感的原因,MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰,电压尖峰主要由输入电压+输出反射电压+漏感感应电压组成,这时需要考虑雪崩能量,必要时,需加一些防护措施(如加强RCD钳位电路、RC吸收电路等),保证MOSFET不被损坏。在电源输出短路及过载测试时,在原边电感中瞬间产生大电流比变化,极端情况下会电感饱和,当电感电流触发设定的阈值并且立即关断MOSFET,此时较大的di/dt,在寄生电容的作用下使得寄生三极管导通,可能导致雪崩损坏。的雪崩主要涉及在特定条件下(如高电压或大电流)
















