什么是场效应管

一、分类

场效应管是单极性晶体管。
场效应管大类上分为结型场效应管和金属氧化物场效应管。结型场效应管工作电流很小，适合于模电信号放大。他分为N沟道和P沟道两种。N沟道跟P沟道的电流相反。
金属氧化物场效应管（MOSFET）可分为耗尽型和增强型，也分N沟道跟P沟道。以电流跟电压可分为小信号管和功率管（POWER）。

二、管脚定义

所有FET都有三个管脚，分别为栅极G（gate）对应双极性晶体管的基极b，漏极D（drain）对应双极性晶体管的集电极c，源极S（source）对应双极性晶体管的发射极e。

三、MOSFET

1、MOS管的伏安特性曲线

1) 开启电压U_UGTH

图中可以看到U_GSTH=1V，当MOS管的U_GS＜U_GSTH时，无论U_DS多大，电流i_D均为0（U_DS为正 ）；只在U_GS＞U_GSTH时，晶体管才能存在电流，即是所谓的开启。一般MOS管的开启电压为0.5V~3V之间。

2）转移特性曲线的数学表达式

3）可变电阻区和恒流区的分界线

随着U_GS的增加，分界点电压U_{DS_dv}也在增加，近似满足：U_{DS_dv}=U_GS - U_GSTH

2、MOS管的工作状态