器件与工艺模拟TCAD代码解析（sde)

TCAD仿真
sde部分代码解析：

(sdegeo:set-default-boolean "ABA")

选择缺省的重叠区替换策略，ABA 表示“新替换旧”

(sdegeo:create-rectangle (position -0.5 0 0) (position 0.5 2 0) "Silicon" "Reg.Si")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.5 0.2 0) (position 0.5 0.4 0) "Oxide" "Reg.SOI")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.1 0 0) (position 0.1 -0.1 0) "Oxide" "Reg.Gox")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.1 -0.1 0) (position 0.1 -0.5 0) "PolySi" "Reg.Poly")
(position -0.5 0.0 0.0) (position 0.5 1.0 0.0) "Silicon" "region_1" 

创建了一个从(-0.5, 0.0, 0.0)到(0.5, 1.0, 0.0)的硅(Silicon)区域，命名为"region_1"。
（起始位置，终止位置，区域所用位置，区域命名）

(sdegeo:create-polygon(list（xn yn 0）) "material_name" "region_name") 

不规则多边形区域，用 list 列出多边形各顶点坐标,顺序依次给出，形成一个闭合区间
创建了一个以（x1,y1）,（x2,y2）,（x3,y3）,（xn,yn）的_____区域，命名为"____"。

sdedr:define-refeval-window ——baseline.x 

定义窗口

sdedr:define-gaussian-profile ——Gauss.x  

高斯分布的掺杂曲线

sdedr:define-analytical-profile-placement —PlaceAP.x   Gauss.x   Baseline.x） 

将高斯分布的掺杂曲线放在上面

File{
 Grid = "@tdr|sde@"
 Plot = "@tdrdat@"
* Parameter = "@parameter@"
 Current = "@plot@"
 Output = "@log@"
}

Grid: 指定了输入的网格文件为 @tdr|sde@，这是调用本节点前由工具 sde 生成的 TDR 文件。
Plot: 指定了当前节点下的 2D 结果保存为 nxx_des.tdr，可以使用 svisual 或 tecplot 查看。
Current: 指定了 1D 输出保存为 nxx_des.plt，可以使用 Inspect 查看。
Output: 指定了日志文件为 @log@。

Electrode{
 { Name="source" Voltage=0.0 }
 { Name="drain" Voltage=0.0 }
 { Name="gate" Voltage=0.0 } 
 { Name="substrate" Voltage=0.0 }
}

定义了四个电极：源极 (source)、漏极 (drain)、栅极 (gate) 和衬底 (substrate)，初始电压均为 0.0V。

Physics{
 * DriftDiffusion 
 EffectiveIntrinsicDensity( OldSlotboom ) 
 Mobility(
 DopingDep
 HighFieldsaturation
 Enormal
 )
 Recombination(
 SRH( DopingDep )
 Avalanche
 )
}

DriftDiffusion: 使用漂移扩散方程。
EffectiveIntrinsicDensity: 使用旧的 Slotboom 方法计算有效本征载流子密度。
Mobility: 包含三个模型：
{DopingDep: 掺杂依赖性。
HighFieldsaturation: 高场饱和效应。
Enormal: 法向电场影响。}
Recombination: 包含两种重组机制：
SRH: Shockley-Read-Hall 重组，掺杂依赖性。
Avalanche: 击穿重组。

Math {
 Extrapolate
 Avalderivatives
 Iterations=20
 Notdamped =100
 RelErrControl
 ErRef(Electron)=1.e2
 ErRef(Hole)=1.e2
 BreakCriteria{ Current(Contact="drain" AbsVal=1e-5) } 
}

Extrapolate: 启用外推法。
Avalderivatives: 计算击穿导数。
Iterations: 设置最大迭代次数为 20。
Notdamped: 设置不阻尼的最大迭代次数为 100。
RelErrControl: 启用相对误差控制。
ErRef: 设置电子和空穴的参考相对误差分别为 110（2)，110（2）
BreakCriteria: 当漏极电流绝对值达到 1*10(-5) 时停止求解

Solve {
 *- Build-up of initial solution:
 Coupled(Iterations=100){ Poisson }
 Coupled{Poisson Electron Hole }
 Quasistationary(
 InitialStep=1e-4 Increment=1.4
 MinStep=1e-5 MaxStep=0.025
 Goal{ Name="drain" Voltage=100 }
 ){ Coupled{ Poisson Electron Hole } }
}

Initial Solution:
先进行 100 次迭代的耦合泊松方程求解。
然后进行一次泊松方程和电子/空穴输运方程的耦合求解。
Quasistationary:
初始步长为110(-4),增量为1.4
最小步长为110（-5），最大步长为0.025
目标是将漏极电压提升到 100V。
在每次步进中进行泊松方程和电子/空穴输运方程的耦合求解。

Solve {
 NewCurrentPrefix="init"
 Coupled(Iterations=100){ Poisson }
 Coupled{ Poisson Electron Hole }
 Quasistationary(
 InitialStep=1e-1 Increment=1.2
 Minstep=1e-5 MaxStep=0.1
 Goal{ Name="drain" Voltage= 0.1 }
 ){ Coupled{ Poisson Electron Hole eTemperature } }
 NewCurrentPrefix=""
 Quasistationary(
 DoZero
 InitialStep=5e-2 Increment=1.5
 Minstep=1e-5 MaxStep=0.05
 Goal{ Name="gate" Voltage= 1.5 }
 ){ Coupled{ Poisson Electron Hole eTemperature }
 CurrentPlot( Time=(Range=(0 1) Intervals=15 )
 )
 }
}

InitialStep=1e-1: 初始步长
Increment=1.2: 步长增量
Minstep=1e-5: 最小步长
MaxStep=0.1: 最大步长

Coupled{ Poisson Electron Hole eTemperature }: 

在每次步进中进行泊松方程、电子输运方程、空穴输运方程和电子温度的耦合求解。

CurrentPlot( Time=(Range=(0 1) Intervals=15 ) ):
Time=(Range=(0 1) Intervals=15 ): 

绘制时间范围从0到1的电流图，共分为15个区间。

网格化

region silicon

定义了一个名为 silicon 的区域，表示硅衬底。

init concentration=1.0e+15<cm-3> field=Phosphorus
AdvancedCalibration 

初始化: 设置初始载流子浓度 ，并指定磷作为掺杂剂。
高级校准: 使用 AdvancedCalibration 进行高级物理模型校准。

refinebox clear
refinebox min = 0 max = 50.0<nm> xrefine = {2.0<nm> 10.0<nm>}
refinebox min = 50.0<nm> max = 2.0<um> xrefine = {10.0<nm> 0.1<um> 0.2<um>}
refinebox min = 2.0<um> max = 10.0<um> xrefine = {0.2<um> 2.0<um>}
refinebox interface.materials = { PolySilicon Silicon }

清除细化框: 使用 refinebox clear 清除之前的细化设置。
细化设置:
在 0 到 50 nm 范围内，细化间隔为 2 nm 和 10 nm。
在 50 nm 到 2 um 范围内，细化间隔为 10 nm、0.1 um 和 0.2 um。
在 2 um 到 10 um 范围内，细化间隔为 0.2 um 和 2 um。
界面细化: 对多晶硅和硅之间的界面进行细化。

pdbSet Grid SnMesh min.normal.size 1.0e-3 
pdbSet Grid SnMesh normal.growth.ratio.2d 1.4 ;

最小网格大小: 设置最小网格大小为
增长比: 设置网格增长比为 1.4。

grid remesh

重新生成网格

掺杂

implant Boron dose=2.0e13<cm-2> energy=200<keV> tilt=0 rotation=0
implant Boron dose=1.0e13<cm-2> energy= 80<keV> tilt=0 rotation=0
implant Boron dose=2.0e12<cm-2> energy= 25<keV> tilt=0 rotation=0

掺杂：第一次: 浓度 ，能量 200 keV。第二次: 浓度 ，能量 80 keV。第三次: 浓度 ，能量 25 keV。

附录：部分名词翻译
TCAD：Technology of Computer Aided Design/半导体工艺及器件计算机 辅助设计技术
EDA：Electronic design automation/电子设计自动化
Unified Coordinate System：统一坐标系
Analytical Profile：解析配置文件
Doping Concentration：掺杂浓度
Gauss Doping Profile： 高斯掺杂分布
Grid Refinement：网格细化
Electric Field：电场
Electron Current Density：电子电流密度
Contact：接触
Electrode：电极
Classical Equations：经典方程
Physical Model Equations：物理模型方程
Transport Models ：输运模型
Generation-recombination Models：产生-复合模型
carrier mobility：载流子迁移率
SRH Recombination Models：肖克莱-里德-霍尔复合（通过单一复合中心的间接复合模型）
Band Gap Models：能带模型
Avalanche：雪崩
Incomplete Ionization：不完全电离
Boudary Conditions：边界条件
Calibration：标定
Drift-Diffusio：漂移-扩散模型
Thermodynamic：热力学模型
HydroDynamic：流体动力学模型
Mento Carlo：蒙特卡洛模型（多概率模拟）
self-heating：自加热
Ohmic Contact：欧姆接触
Schottky Contact ：肖特基接触
Concertration：浓度
NetActive：净活跃
Implant：注入
Diffuse：扩散
Oxidation：氧化
Epitaxy：外延
Etch：刻蚀
Deposit：沉积
anneal ：退火
Dose：剂量
Boron：硼
Phosphorus：磷
Arsenic：砷
Silicon：硅
Polysilicon：多晶硅
Aluminum：铝