notes for 电子技术技术(模拟部分) 康华光

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可以学习一下电子设计的博客
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bjt 共射极放大电路 虽然这些电流电压的瞬时值是变化的，但它们的方向是始终不变的

无输入信号时，晶体管的电压、电流都是直流分量。有输入信号后，iB、iC、vCE都在原来静态值的基础上叠加了一个交流分量。虽然iB、iC、vCE的瞬时值是变化的，但它们的方向始终不变，即均是脉动直流量。

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要正确地理解正向压降的含义, 谈到电压,必须规定好正方向,离开了正方向谈电压毫无意义,分析bjt的公射极和共基极放大电路时,输入电压的变化,导致输出电压的变化时,要认清 输入电压和输出电压是什么,

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温度升高时，PN结的正向电流增大、正向压降降低，即正向电流具有正的温度系数，正向压降具有负的温度系数；
这主要是由于PN结的势垒高度降低所造成的结果。并且反向电流随着温度的升高也增大，这主要是由于两边少数载流子浓度增大的结果。

 

严格地说，在外加电压、温度和掺杂浓度都一定时，内建电场和内建电压V即确定，则势垒厚度和势垒高度qV也就一定。

在外加电压、温度一定时，若掺杂浓度提高，则势垒厚度减薄，同时内建电场和内建电压V都会增大，则势垒高度qV也升高。

在外加电压和掺杂浓度一定时，若温度升高，势垒厚度也会减薄，但内建电场和内建电压V都将减小，则势垒高度qV降低。

在掺杂浓度和温度变化时，说内建电压V不变是错误的，不过这种变化在一定条件下相对来说往往不大，故在讨论内建电场变化时可以说“内建电压基本不变”。

从另一种观点看, 温度身高导致 平衡少子 浓度增大, 而掺杂增大,则导致 非平衡多子 浓度增大,两者本质是不同的

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点接触二极管电容较小,反向耐压低,承受电流也较小

理论上击穿电压与结面积无关，但是实际上小面积的结，它的边缘的影响往往变成主要的了。

理论上击穿电压与结面积无关，但是实际上小面积的结，它的边缘的影响往往变成主要的了。而对于大面积的结，可以通过一些措施来消除边缘的影响。

结构相同，doping profile相同的device耐电压值相同，与面积无关
但面积越小，能承受的电流或者说energy越小，所以可以说越容易被击穿。

 
能承受的反向电压与面积是没有直接关系的，面积只会影响charge，电流或energy。
不过如果P与N的接触部分形状比较突兀（比如一点接触），由于edge effect，会使得PN电场大于理论的平面性接触，从而降低break down voltage，

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pn加正向偏压时，pn结不会消失

画一张energy band diagram，就可以看到，只要是从P变为N不管如何加bias，都会经过ni state，一定会有depletion region.
  
有一种假想的方法可以实现消除delpetion region，就是假设有一个P-N+ diode，同时P的width很窄，加上足够的bias之后是的P先实现depletion再实现inversion（与MOSinversion类似），使得P的minority electron多于hole concentration，就算得上是一个没有depletion region的器件，但此时也不是diode，只能算一个N+doping的resistor而已。

费米能级可以反映半导体的可移动的carrier数量，费米能级=Ei，说明此时基本上只有很少的可移动carrier，对于一个doping过得device，carrier没了自然就只剩下不能移动的空间电荷区了，就是depletion region.

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p型半导体主要是靠空穴导电  也就是 价带中的 所有电子的整体效应，导带中的电子很少  

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半导体中两种载流子的电性不是相反的吗？加起来不是零吗？

半导体的导电机制是电子和空穴导电（电子和空穴均称为载流子），其中电子是实际存在的，而空穴是一个物理模型，不是实际存在的。为什么要用空穴来描述导电呢？因为在价带顶，大部分能级是被电子占据的，只有少数能级没被电子占据，假如价带中有100个能级，其中99个被电子占据，剩下的1个没被电子占据（称之为空穴），如果用电子描述价带导电，那么要考虑99个电子，如果用空穴描述价带导电，只需要考虑1个空穴，简化了问题。 所以空穴其实代表是大量的电子，带正电的空穴是不存在的，就不存在电性相反抵消后为零的情况了。

“电流是两种载流子之和”的意思是不是用电子描述价带导电的电流加上用空穴描述价带导电的电流之和呢？

应该是用电子描述 导带 导电的电流 加上 用空穴描述 价带 导电的电流之和。对于导带，电子为少数载流子，所以用电子描述导电更方便；对于价带，空穴为少数载流子，所以用空穴描述导电更方便。

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半导体价带顶的问题

在价带顶 电子的有效质量为负
  
先不用空穴的概念，来解释电流方向问题  
  
假如加一个向右的电场
由于准经典运动的 牛顿定律 F=dp/dt＝hbar＊ dk／dt
  
价带的大量带负电的电子获得向左的力(F<0)   从而k的改变量 为负值
  
如果画出加了电场以后 的 E－k 关系 将是
  
  
                          ＊
                               －
                                   －
                                       －
         －                              －
     －                                     －
－                                            －                  
  
其中  
＊代表 价带顶   －代表电子是带负电  
  
多余一部分电子在k>0 区域 说明速度 是向左（因为有效质量为负, v=p/m*=hbar＊
k/m*） 电子负电 所以电流向右  
  
  
好像是没有问题  
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但现在如果引入空穴的概念  
假如加一个向右的电场
由于准经典运动的 牛顿定律 F=dp/dt＝hbar＊ dk／dt
  
价带的少量空穴获得向右的力(F>0)   从而k的改变量 为正值
如果画出加了电场以后 的 E－k 关系 将是
  
                          ＊
                    +          +
                                       +
                                          +        
  
多余一部分空穴在k>0 区域 说明速度 是向右 空穴正电 所以电流向右
  
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我现在的问题是 这两个图 看起来对不上  我本来以为 空穴是填补空位的 可是加电场以
后 图1的空位在左  可是图2空穴却在右 并不是像平衡态的时候 空穴对应空位的位置
  
  
为什么？ 要把空穴 的 k变成－k吗？
  
另外上面所有的分析里有没有错误的地方？ 实在需要弄懂价带顶的问题  多谢    
 搞明白了 看了好几本教材 只有Kittel对这个问题讲得比较清楚
  
价带顶miss掉一个波矢为k的电子 相应的空穴的波矢将为－k 而不是k
所以引入空穴概念以后 k轴要左右调换 没错 
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注：加电场之前的E-k关系为：
  
  
  
                        ＊
                                
  
           －                       －
        －                              －
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－                                            － 

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规定正电荷的流动方向为电流方向！电路一般都是电子（负电荷）的流动！所以电源外部就是电流从正极流向负极（即电子从负极流向正极）电源做正功。
电源内部电流从负极流向正极（即电子从正极流向负极）电源做负功，这个过程电源要消耗其他能量转化为电能！整个过程能量守恒，电子守恒！电荷守恒！
电源相当于水泵！