[运算放大器]佛朗哥笔记 - 信号发生器 - 多谐振荡器

多谐震荡器

基本的自震荡多谐震荡器

 

跳变阈值为：

 

周期：

 

结合化简得

 

 

CMOS门实现的自震荡多谐振荡器

 

电容充电放电，注意由于电容电压不能突变，在电容左为V_T右为0时将突变至V_T+V_DD和V_DD。公式数据如下：T_H：V_∞=0，V₀=V_T+V_DD和V₁=V_T。T_L：V_∞= V_DD，V₀=V_T-V_DD以及V₁=V_T。代入公式即可。

 

CMOS晶体振荡器

 

晶振的四个参数：

C₀：等效电路中与串联臂并接的电容(译注：也叫并电容，静电电容，其值一般仅与晶振的尺寸有关)。

L_m：(动态等效电感)代表晶振机械振动的惯性。

C_m：(动态等效电容)代表晶振的弹性。

R_m：(动态等效电阻)代表电路的损耗。

 

其中F_s的是当电抗Z=0时的串联谐频率。

 

F_a是当电抗Z趋于无穷大时的并联谐振频率。

 

在F_s到F_a的区域即通常所谓的“并联谐振区”，在这一区域晶振工作在并联谐振状态(译注：该区域就是晶振的正常工作区域，F_a-F_s就是晶振的带宽。带宽越窄，晶振品质因素越高，振荡频率越稳定)。在此区域晶振呈电感特性，从而带来了相当于180°的相移。其频率F_P表达式如下：

 

 

单稳态多谐振荡器

 

输入脉冲后电容开始充电，充电到V_T=V_DD/2后反相器输出回低电平，电路稳定，公式为：