IRF100B201 INFINEON 英飞凌

IRF100B201是一款N沟道MOSFET晶体管，主要用于高频开关电路和功率放大器等应用。其详细参数如下：
Vds（最大漏极-源极电压）：100V
Id（最大漏极电流）：5.8A
Vgs（最大栅极-源极电压）：±20V
Rds(on)（漏极-源极电阻）：0.2Ω
Qg（栅极电荷）：25nC
Qgs（栅极-源极电荷）：5.5nC
Qgd（栅极-漏极电荷）：12nC
Ciss（输入电容）：700pF
Crss（反向传输电容）：70pF
Coss（输出电容）：200pF
以上是IRF100B201的主要参数，这些参数可以帮助工程师选择合适的电路和设计电路的参数。