IPB60R180P7 INFINEON 英飞凌

IPB60R180P7 是一款 N 沟道 MOSFET 晶体管，以下是它的详细参数：

器件类型：N 沟道 MOSFET

比较大漏极电压：650V

比较大漏极电流：60A

比较大功率：300W

门极电压（比较大值）：±20V

静态特性：开启电阻 RDS(on) = 0.18Ω（比较大值）

动态特性：输入电容 Ciss = 3000pF（典型值）

封装类型：TO-220 Fullpak

以上是 IPB60R180P7 的详细参数，希望能对您有所帮助。