开关电源实战(四)BuckBoost升降压JW3651

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BuckBoost电路原理

这是同步控制,之前做的电路里是用肖特基二极管来控制开关的,那个是异步

利用同步就可以把buck和boost拼接在一起,通过控制这四个MOS管的开断就能分别实现升压和降压
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JW3651芯片详解

内部集成了四个低Rds(on)的MOSFET,开启时的D到S的电阻,最大限度地减少了物理尺寸。
恒流控制用于保护器件在故障条件下不会过冲。内置环路补偿简化了电路和设计。具有欠压锁定、短路保护和热保护功能。

输入电压3.0-21V
输出电压:0.9V-20V
工作频率450MHz

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反馈点电压是0.9V,所以根据分压选择合适的电阻
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电流检测电阻RCS放在输入端或输出端,高进RISET ,如果不需要输入输出电流限制,CSN短接到VCC,CSP短接到GND
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次级输出电流限制引脚OLIM
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如果输出电流等于IO_LIM,则输出电流环路开始工作,它会降低输出电压以限制输出功率。当OLIM不使用时,应将其短接到GND。
超流会掉电
当输出对地短路时,JW 3651作为降压转换器工作,输出电流持续检测并限制在IO_LIM。当输出短路被消除时,稳压器再次进入正常工作状态。

EN引脚电压低于1.6V。整个稳压器关闭。

封装:
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静电防护范围:
ESD Susceptibility (Human Body Model) ±2kV

VCC引脚是一个输出5V,其实也是内部降压,用于给内部的MOS管和电路供电
EN使能引脚,逻辑高:上升最大2.5V,逻辑低:下降最小1.6V

给出了导通电阻
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反馈点的电压为0.9V,范围在0.885-0.915V之间

有输入电流限制保护:

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温度超过150度会停止工作,低于130度会重新恢复

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BST引脚接的这几个自举电容,原理上应该先想办法给电容充电,这样MOS管导通后,MOS管S脚电位抬高后,电容可以仍然给MOS管的G脚开启电压

原理是相同的,这在后面自己设计一个BuckBoost控制系统有借鉴作用:
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PCB布线

  1. 将输入去耦电容放置在尽可能靠近JW 3651(VIN引脚和PGND)的地方,以消除输入引脚处的噪声。输入电容和GND形成的环路面积必须最小化
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  2. 将电流检测电阻RCS尽可能靠近电流设置电阻RISET,以获得更好的电流精度,这个走线就是开尔文走线,由于采样电阻的阻值很小,焊料的电阻不能被忽略。开尔文走线可以提高测量精度。
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  3. 将反馈走线尽可能远离电感和噪声电源走线。

  4. PCB上的接地层应尽可能大,以便更好地散热

手册参考设计案例

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热阻的介绍

热阻,英文Thermal Resistance,指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。

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其中Θja*Pd为温升,也可以称之为发热量

在热阻一定的情况下,功耗Pd越小,温度越低。
在功耗一定的情况下,热阻越小越好,热阻越小代表散热越好。

热量传递有三种形式,热传导,热对流和热辐射,芯片在Package内的热量传递主要是以热传导为主。
热阻θ的定义是两点之间的温度差除以对应流经这两点的功率,是一个有实际意义的物理量
热阻θJA, θJC是用来评估不同芯片的thermal performance,不同芯片热阻的是通过统一的JESD51标准测得,方便一些系统级的工程师,在做系统级设计时,进行芯片之间的横向比较;
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θja是结到周围环境的热阻,单位是°C/W。θJA取决于IC封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性,通常辐射的影响可以忽略。θja专指自然条件下的数值。

θjb是指从结到电路板的热阻,它对结到电路板的热通路进行了量化。通常θJB的测量位置在电路板上靠近封装处。θjb包括来自两个方面的热阻:从IC的结到封装底部参考点的热阻,以及贯穿封装底部的电路板的热阻。

θjc是结到管壳的热阻,管壳可以看作是封装外表面的一个特定点。θjc取决于封装材料(引线框架、模塑材料、管芯粘接材料)和特定的封装设计(管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率)。

θJC=(TJ-TC )/ P
TJ =结点温度,℃
TC = 壳温,℃
P =器件功耗,W

TJ = TC +(θJC* P)
所以测得的芯片外壳的热量并不是实际热量,还要加上热阻

定义:θJA=(TJ-TA)/ P
θJA=结点到环境的热阻,℃ / W
TJ =结点温度,℃
TA =环境空气温度,℃
P =器件功耗,W

所以环境温度下可以估算结点的温度,这个非常重要,可以直接估算芯片工作时的温度

但并不能完全代表,是Θja是一个多变量函数,不能反应芯片焊接在PCB板上的真实情况,和PCB的设计、Chip/Pad的大小有强相关性,随着这些因素的改变,Θja值也会改变,芯片厂家在测试Θja时和我们实际使用情况有较大差别,所以用来计算结温,误差会很大。

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热设计和EMC问题一样,最好在前期就解决掉,不然后期整改很麻烦。设计前期考虑结构、PCB堆叠、布局、摆件等,后期考虑散热材料等方式,所以
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原理图和PCB设计

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焊接测试

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通过不同档位,调整输出电压:3.3V、5V、9V、12V、16V

发现上电瞬间会亮灯,之后电压就会掉到1.5V,开始以为还芯片没有焊好,头一次焊接这种异形焊盘的贴片,所以风枪吹了好几次,板子也吹黄了,之后发现还是这个问题,反馈电压不是0.9V,是一个0.2V左右,芯片的VCC也有5V

后面就猜测很可能是限流设置不对,OLIM设置的15K,电流5A左右,不知为何不起作用,看到手册说可以不限流,拉到GND即可,立刻拆除R3和C10,并且焊盘短路起来,再次测试发现输出正常了。

应该是没设置对,芯片认为过流把输出电压降下来了。不知道内部是什么逻辑。

还有这里有些偷懒,没有放大电容,只放了22uf的,后面测试一下纹波

### 开关管 Buck-Boost 升降电路原理图 开关管Buck-Boost升降电路是一种能够实现电高和降低功能的直流变换器。该拓扑结构通过个功率开关器件来控制能量传递的方向,从而可以在输入电高于或低于输出电的情况下工作。 #### 电路组成 此类型的转换器主要由以下几个部分构成: - **个MOSFET晶体管(S1, S2, S3 和S4)**:用于切换电流路径并决定是处于还是降模式。 - **储能元件(电感L)**:存储来自输入端的能量,在不同的阶段释放给负载。 - **滤波电容器(Cin 和Cout)**:平滑输入和输出电波动。 当两个上侧开关(S1&S3)闭合而下侧开关闭合时,电路表现为一个型配置;反之,则呈现为降形式[^3]。 下面是简化版的开关管Buck-Boost升降电路示意图: ```mermaid graph TB; V_in[V_in]; Cin[Cin]; L[L]; Cout[Cout]; V_out[V_out]; subgraph Switches direction LR; Q1((Q1)); Q2((Q2)); Q3((Q3)); Q4((Q4)); end V_in -->|串联| Cin; Cin -->|串联| Q1; Q1 ---|并联| Q2; Q2 --|连接到节点A|-- L; L --|连接到节点B|-- Q3; Q3 ---|并联| Q4; Q4 -->|串联| Cout; Cout -->|串联| V_out; ``` 在这个模型中,`V_in`代表输入电源,`Cin`作为输入端的去耦电容,`L`表示电感能量储存组件,`Cout`则是用来稳定输出电的电容,最后得到的是经过调节后的输出电`V_out`. 为了更精确地理解其运作机制以及如何设计具体参数如占空比、电感值等,请参照相关的设计流程指南[^2].
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