电力电子基础-PN接的形成

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视频解释:https://v.youku.com/v_show/id_XMTQ4MjgxMTY=.html

背景:P型半导体中空穴为多数载流子,自由电子为少子;N型半导体中自由电子为多子,空穴为少子

第一步:将P型半导体和N型半导体制作在同一个硅片上,由于浓度差的原因,P型中空穴就会流向N型,N型中的电子就会流向,这种扩散运动就会形成内电场(电场方向为N型指向P型),

第二步:由于内电场的存在,会阻止扩散运动,并且产生漂移运动(N型中的空穴 流向P型;P型中的自由电子 流向N型)

第三步;在无外电场和其他激发作用的情况下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结。

PN结具有电容效应:  结电容 = 势垒电容+扩散电容 由于结电容一般都很小(1pF~几百pF之之间),对低频型号信号呈现出很大的容抗,其作用可忽略不计,因而只有在高频信号才考虑结电容的作用。

    势垒电容 与 PN结截面积成正比,与阻挡层厚度成反比

    扩散电容 仅在正向偏置时起作用

    正向电压较高低时,势垒电容为主,正向电压较高时,扩散电容为结电容主成分

平面二极管几种常见结构:

   点触型:结电容1pF左右 可工作在100MHz以上   适用于高频电路和 小功率整流电路

   面接触型:接触面积大 结电容大 只能工作在较低频  一般作为整流管

   平面型:面积大的作为大功率整流 面积小的作为 脉冲数字电路中的开关管

电力二极管动态特性

电力二极管的主要类型

  普通二极管    快恢复二极管    肖特基二极管

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