牛客面经学习笔记（四）

这种拨码开关在PLC里面很是常用：

这种弧型线就很漂亮：

这个白色按键很漂亮：

快恢复保险丝：

继电器电路：

这里的续流二极管很重要，因为继电器是感性元件：

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反激式：反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源。“反激”指的是在开关管接通的情况下，当输入为高电平时输出线路中串联的电感为放电状态；相反，在开关管断开的情况下，当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为充电状态。

设计过程中如何减少开关电源的损耗：

针对于自行搭建开关电源的情况：

MOS管的功耗通常由两部分组成：导通损耗和开关损耗。此外，还可以考虑MOS管的栅极驱动损耗。每一部分的功耗计算方式不同，下面逐一说明。

1. 导通损耗（Conduction Loss）

导通损耗发生在MOS管处于导通状态时，电流通过MOS管的漏极与源极之间的导通电阻（Rds(on)）时产生的功耗。

公式：

Pcon=ID2×Rds(on)P_{con} = I_{D}^2 \times R_{ds(on)}Pcon​=ID2​×Rds(on)​

• PconP_{con}Pcon​：导通损耗功率。
• IDI_{D}ID​：通过MOS管的漏极电流。
• Rds(on)R_{ds(on)}Rds(on)​：MOS管在导通状态下的导通电阻。

导通损耗与通过MOS管的电流的平方成正比，因此如果电流较大，导通损耗将显著增加。

2. 开关损耗（Switching Loss）

开关损耗发生在MOS管从导通切换到关断或从关断切换到导通的过程中。在开关瞬间，MOS管的电压和电流会同时存在，从而产生瞬时功耗。

公式：

Psw=12×VDS×ID×(ton+toff)×fswP_{sw} = \frac{1}{2} \times V_{DS} \times I_{D} \times (t_{on} + t_{off}) \times f_{sw}Psw​=21​×VDS​×ID​×(ton​+toff​)×fsw​

• PswP_{sw}Psw​：开关损耗功率。
• VDSV_{DS}VDS​：漏极与源极之间的电压。
• IDI_{D}ID​：通过MOS管的漏极电流。
• tont_{on}ton​：MOS管从关断到导通的转换时间。
• tofft_{off}toff​：MOS管从导通到关断的转换时间。
• fswf_{sw}fsw​：开关频率。

由于开关过程中的电压和电流同时存在，较高的开关频率会显著增加开关损耗。

3. 栅极驱动损耗（Gate Drive Loss）

栅极驱动损耗是由于在每次开关过程中，驱动电路需要充电和放电MOS管的栅极电容所产生的功耗。这个损耗与开关频率成正比。

公式：

Pgate=Qg×VGS×fswP_{gate} = Q_g \times V_{GS} \times f_{sw}Pgate​=Qg​×VGS​×fsw​

• PgateP_{gate}Pgate​：栅极驱动损耗功率。
• QgQ_gQg​：栅极总电荷。
• VGSV_{GS}VGS​：栅极与源极之间的驱动电压。
• fswf_{sw}fsw​：开关频率。

栅极驱动损耗主要与MOS管的栅极总电荷和开关频率相关，栅极电荷较大时，驱动损耗会显著增加。

4. MOS管的总功耗（Total Power Loss）

MOS管的总功耗是以上各部分功耗的总和：

Ptotal=Pcon+Psw+PgateP_{total} = P_{con} + P_{sw} + P_{gate}Ptotal​=Pcon​+Psw​+Pgate​

• PtotalP_{total}Ptotal​：MOS管的总功耗。

5. 实际功耗的考虑

在实际应用中，除了上述的理论计算，还需考虑以下因素：

• 寄生电感和电容：实际电路中的寄生参数会导致额外的振铃和EMI问题，增加功耗。
• 温度影响：MOS管的导通电阻 Rds(on)R_{ds(on)}Rds(on)​ 会随温度升高而增加，因此在高温环境下，导通损耗会增大。
• 散热设计：实际功耗的计算结果还需结合散热设计，确保MOS管在合理的温度范围内工作，避免因过热导致的效率降低或失效。

总结

MOS管的功耗计算涉及多个方面，包括导通损耗、开关损耗和栅极驱动损耗。根据应用场景，优化开关频率、选择合适的MOS管参数，以及设计有效的散热方案，都能帮助降低MOS管的总功耗，提高电路的效率和可靠性。