FPGA学习笔记

honey ball

于 2024-08-31 12:23:59 发布

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文章标签： fpga开发学习笔记

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FLASH:

掉电程序不丢失，属于ROM.

是的，Flash 存储器属于 ROM（只读存储器）的范畴，但它与传统的 ROM（如 PROM、EPROM）有一些区别。

ROM（Read-Only Memory） 是一种非易失性存储器，这意味着在断电时数据不会丢失。传统的 ROM 是一次性可编程或不可编程的，数据一旦写入，通常就无法再更改。
Flash 存储器是 ROM 的一种类型，它同样是非易失性的，但它具有可擦写的特点，可以多次编程和擦除数据。Flash 存储器分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两种类型，广泛用于存储固件、操作系统、应用程序等。

可擦写性：
- 传统的 ROM（如 PROM）是一次性编程，无法擦除和重写。
- Flash 存储器可以多次擦除和重写数据。
用途：
- 传统的 ROM 常用于需要永久保存数据的场合，如 BIOS 固件。
- Flash 存储器广泛应用于需要频繁更新数据的场合，如固态硬盘、手机存储器、U盘等。
速度：
- Flash 存储器的读写速度通常比传统的 ROM 快，并且支持随机访问。
- 传统的 ROM 访问速度较慢，尤其是在编程（写入）数据时。

虽然 Flash 属于 ROM，但由于其可擦写的特点和广泛的应用，通常在讨论存储器时，会将其单独分类出来，以区别于不可擦写的传统 ROM。

**NOR Flash** 和 **NAND Flash** 是两种主要的 Flash 存储器类型，它们在架构、性能、用途和成本等方面存在显著区别。

### 1. 架构与工作原理
- **NOR Flash**：
- 采用的是 **字节访问架构**，每个存储单元都有一个独立的字线和位线，类似于传统的 ROM。
- 数据可以按字节进行随机访问，读操作类似于读取内存，因此读取速度较快，特别适合需要随机读取的应用。

- **NAND Flash**：
- 采用的是 **页访问架构**，多个存储单元被串联在一起，形成一个存储块，数据按页或块进行访问。
- 随机访问速度较慢，主要用于大规模顺序读写操作，如文件存储。

### 2. 读写速度
- **NOR Flash**：
- 读取速度快，可以直接从 Flash 中执行代码（XIP，Execute In Place），这使其非常适合用作固件存储器，如 BIOS、嵌入式系统固件等。
- 写入速度较慢，并且写入操作的复杂性较高，需要逐位擦除和编程。

- **NAND Flash**：
- 读取速度较快，但随机读取性能不如 NOR Flash。
- 写入和擦除速度较快，适合大量数据的写入和删除操作，例如在 SSD、U盘中使用。

### 3. 寿命与可靠性
- **NOR Flash**：
- 寿命较长，通常支持更多次的擦写周期（通常为 10 万次）。
- 数据可靠性高，适用于要求高可靠性的应用。

- **NAND Flash**：
- 寿命相对较短，擦写次数较少（通常为 1 万到 10 万次），并且更容易产生坏块。
- 需要更复杂的纠错码（ECC）来保证数据的完整性。

### 4. 存储密度与成本
- **NOR Flash**：
- 存储密度较低，单位成本较高，因此不适合大容量存储应用。
- 由于成本较高，主要用于存储较小的固件和代码。

- **NAND Flash**：
- 存储密度高，单位成本低，非常适合大容量存储，如 SSD、存储卡、U盘等。
- 大多数大容量存储设备使用 NAND Flash 来降低成本。

### 5. 用途
- **NOR Flash**：
- 主要用于需要快速随机读取和可靠性的应用，如嵌入式设备的启动固件、BIOS、手机中的操作系统存储等。

- **NAND Flash**：
- 主要用于大容量存储设备，如固态硬盘（SSD）、U盘、存储卡、手机存储等，需要高存储密度和顺序写入的应用。

### 总结
- **NOR Flash** 适合需要快速随机访问和高可靠性的应用，但成本较高且存储密度较低。
- **NAND Flash** 适合大容量、顺序读写为主的存储需求，具有较高的存储密度和较低的成本。

是的，DDR 是一种 RAM（随机存取存储器, Random Access Memory）的类型。具体来说，DDR 代表 Double Data Rate，是一种用于计算机和其他设备的动态随机存取存储器（DRAM）技术。

DDR（Double Data Rate）：
- DDR RAM 是 DRAM 的一种变体，它能够在一个时钟周期的上升沿和下降沿同时进行数据传输，因此数据传输速率是传统 SDR（Single Data Rate）RAM 的两倍。
- DDR RAM 有多个版本，如 DDR, DDR2, DDR3, DDR4, 和 DDR5，每一代都在速度、功耗和容量方面有所改进。