面对国产闪存疯狂追击，三星扩大中国NAND产能

为了打破韩国在闪存上的垄断，国内公司都在努力，之前长江存储曾宣布，2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，而今年他们还将出样32层NAND闪存。

这消息足以让人振奋，但就算一切进展顺利，三星等厂商是在今年内全面开始量产64层堆栈闪存，所以国产与其差距也要在2年以上，而真正达到相抗衡的条件，恐怕还要等的更久。

面对国产闪存疯狂追击，三星自然不敢懈怠，其今天宣布将扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能，未来三年投资70亿美元。

其实在这之前，三星已经在韩国投资186.3亿美元，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。除了三星，东芝和SK海力士也已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产，不过随着高端存储产品的普及，NAND芯片的短缺问题更为严重。

三星现在也在通过更大规模的投资来扩大闪存、内存的产能，毕竟智能手机制造商越来越倾向选择更大存储。