U-boot-2014.04移植到MINI2440（7） nand flash datasheet及arm9控制寄存器分析

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我的MINI2440上有一个256M的nand flash，后面我们需要从nand启动u-boot，然后引导加载内核，再挂载根文件系统，这里先对其做一个较为细致的认识。主要是硬件管脚定义，控制方式，处理器的控制寄存器对其做一个了解，因为现在市面上nand的用途比较广泛，数码相机，mp3都要使用，进入正题。

一.nand flash datasheeet

在移植好的u-boot下输入nand info会出现下面的信息:

Device 0: NAND 256MiB 3,3V 8-bit, sector size 128 KiB

这说明nand大小为256M，工作电压3.3v，数据总线为8位，扇区大小为128K。首先我们要明确，nand flash的读写原理。我们找找mini2440的原理图，以及nand flash的datasheet来简略分析下。这里我推荐一个datasheet的网站，叫easydatasheet，一般我需要看一个芯片手册都在里面下载。我们板子上的nand型号为：K9F2G08UOC-SCB0。

这里我们有两个地方是要看的，首先是features，也就是第四页，翻译过来如下：

电压：

3.3v的设备，工作范围在2.7~3.6之间

组织（Organization）：

存储单元阵列：(256M + 8M) x 8bit

数据寄存器：(2K + 64) x 8bit

自动编程和擦除：

页面编程：(2K + 64)Byte

块擦除：(128K + 4K)Byte

页面读取操作：

页大小：(2K + 64)Byte

随机读：40μs(Max.)

串行读：25ns(Min.)

快速写周期时间：

页编程时间：250μs(Typ.)

块擦除时间：2ms(Typ.)

I/O口命令/地址/数据复用

硬件数据保护：

在电源转换时锁住编程/擦除操作

ECC校验要求：

1bit / 528bytes，命令驱动操作

总结一下上面部分，nand大小为256M，一页大小为2k，一块大小为128k，也就是一块包含64个页，一共256M，也就是有2048个块，256M需要多少28位来传送，但是只有8个I/O，所以要分多次传送，分几次呢？按照datasheet，要分五次。下面是网上找的存储结构图，我下载的datasheet里面没有这个图，但是交代了要分五次，每次怎么传，传的什么东西，都有介绍：

接着datasheet给出了各个引脚描述，在第8页的pin description，结合mini2440开发板的pcb 原理图，可以整理如下。

这里的引脚定义做了个表格如下：

信号编号	信号名称	信号功能描述
29-44	I/O0-I/O7	数据输入输出口，地址和数据总线（复用）
7	R/B	Read/busy output忙或者已准备
9	CE	片选信号
16	CLE	命令锁存，用在写操作时锁存写命令
17	ALE	地址/数据锁存，在写时用来锁存地址或者数据
18	WE	写有效使能，表示当前在写操作
8	RE	读有效使能，表示当前正在读操作
6	SE	悬空未知
13,16	VSS	公共接地端
19	WP	写保护，这里连接VDD表示允许正常读写
12,37	VCC	器件工作电压输入端

再下面，第9页，一开始给出了一段描述，叫production introduction，也就是产品介绍，主要讲了使用了8位复用I/O是为了降低引脚，方便升级，然后各个指令需要几个周期，引脚的电平在读写时高低有何要求，写地址、数据、命令时，CE、WE信号必须为低电平，它们在 WE信号的上升沿被锁存。命令锁存使能信号CLE和地址锁存使能信号ALE用来区别IO引脚上传输的是命令还是地址，这个都可以自己去阅读。

下面给出了各个控制命令写入命令寄存器的格式：

所以我们会看到这些宏定义：

#defineCMD_READ1 0x00 //页读命令周期1

#defineCMD_READ2 0x30 //页读命令周期2

#defineCMD_READID 0x90 //读ID命令

#defineCMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1

#defineCMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2

#defineCMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1

#defineCMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2

#defineCMD_STATUS 0x70 //读状态命令

#defineCMD_RESET 0xff //复位

#defineCMD_RANDOMREAD1 0x05 //随机读命令周期1

#defineCMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随机读命令周期2

#defineCMD_RANDOMWRITE 0x85 //随机写命令

再下面，在第11页，给出了各个模式的时候，控制引脚的电平状态：

在后面给出了时序图，读写校验等的流程图，这里不多做赘述了。

二．S3C2440 and flash控制寄存器

S3c2440的nand flash控制器主要有以下6个，下表列出了其名称，作用，地址。

寄存器名称	地址	作用
NFCONF：配置寄存器	0x4E000000	设置NAND Flash的时序参数，设置数据位宽，设置是否支持其他大小的页等
NFCONT：控制寄存器	0x4E000004	使能NAND Flash控制器、使能控制引脚信号nCE、初始化ECC，锁定NAND Flash等功能
NFCMD：命令寄存器	0x4E000008	发送Flash操作命令
NFADDR：地址寄存器	0x4E00000C	向Flash发送地址信号
NFDATA：数据寄存器	0x4E000010	读写此寄存器启动对NAND Flash的读写数据操作
NFSTAT：状态寄存器	0x4E000020	0：busy，1：ready