本文详细介绍了EZ-USB的内存结构，包括内部数据区域、外部数据区域和外部程序区域。内部数据区域分为Lower 128、Upper 128和SFR空间，其中Lower 128用于频繁访问的数据，Upper 128常用于堆，SFR空间包含EZ-USB的控制和状态寄存器。外部程序和数据存储区采用了改进的哈弗结构，使得EZ-USB可以从外部加载并执行程序。128-pin芯片提供了扩展总线接口，支持挂载片外存储器。
一、概述
EZ-USB C51内核用内部RAM存储运行的程序和数据。而不是基于FLASH。
EZ-USB的内存分为独立的三个部分：内部数据区域，外部数据区域和外部程序区域。注意，这里的“外部”是相对于CPU访问来说，而并不一定要做在芯片的外部。即内部存储区指增强的51核内部的存储区，外部指51核外部。
二、内部数据存储区
内部数据存储区为0x00~0xFF，共512*8bit。内部数据存储区被分为三个区域：lower 128，upper 128和SFR空间（特殊功能寄存器空间）。Lower 128和Upper 128是通用RAM，SFR空间安排的是EZ-USB的控制和状态寄存器。
2.1 Lower 128
Lower 128地址空间为0x00~0x7F。CPU可以通过直接或间接寻址访问lower 128的空间。
两段特殊的地址空间可以通过其他方式访问：
0x00~0x1F包括4个bank，每个bank包括R0到R7，8个寄存器。通过PSW寄存器的register-select bits（RS1：
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