NAND FLASH 产品介绍（K9F2G08UA）

K9F2G08X0A是一个2112Mbit(2214592512 bit)大小的存储器，按131072行（页）和2118 * 8列的形式组织起来。备用的64 * 8列位于列地址2048-2111（8MB），一个2112字节的数据寄存器连接到存储单元阵列用于使数据在I/O缓冲区和存储器中进行页操作时传输数据更方便。由32个连续的单元格（64KB）组成一个NAND结构，每个NAND结构属于不同的页（32页），一个块由两个连续的NAND结构构成（64页，128K）。读写操作以页为单位进行，但是擦除只能以块为单位进行。存储阵列由2048个独立可擦除的块构成（256MB）。这表明在K8F2G08X0A上不能以位为单位进行擦除。

 

K9F2G08X0A的地址复用到8个I/O端口，在减少引脚数量同时在系统板卡设计中能提升系统的集成度和兼容性，可谓一箭双雕。命令、地址和数据传输都是在CE引脚拉低并且WE拉低之后通过IO端口进行。它们将在WE拉低之后的上升沿中锁住。命令锁存使能（CLE）和地址锁存使能（ALE）是用于命令和地址的独占使用。通过I/O引脚，一些命令需要一个总线周期。例如重置命令，状态读取命令只需要一个总线周期。一些其他的命令比如页读写和块擦除需要两个总线周期，一个周期用来设置，一个周期用来执行。264M物理空间需要29个地址位，因此在寻址时需要5个总线周期，列地址2个周期，行地址3个周期。在所有命令中，页读和写操作同样需要5个周期在后续给出的地址中。在块擦除操作中，无论如何，只有3个行地址周期被使用。设备操作是选择将特殊的命令写入命令寄存器来完成。表1定义了K9F2G08X0A的特殊命令。