深度分析NandFlash—物理结构及地址传送（以TQ2440开发板上的K9F2G08U0A为例）

        K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash，常用于手持设备等消费电子产品。还是那句话，搞底层就得会看datasheet，我们就从它的datasheet看起。

    

 

        这就是 K9F2G08U0A的内部结构，具体的各个部件的介绍，就不详细介绍了，想了解的话可以参考伟东山的《嵌入式linux应用开发完全手册》。

      现在就看一下重点的，NandFlash的存储单元的组织结构，K9F2G08U0A的存储单元的组织结构如下：

结合上面的图，我们现在来分析一下：

      NandFlash的存储单元是由Block组成的，Block又是由Page组成的，数据就是存储在Page上。

   K9F2G08U0A的总容量是256M，由图可以看出，它一共有2048块，每一块有64页，每一页有（2K+64）Bytes。每一页又分为main区和spare区，2K就是指main区，64就是指spare区。

2K是指每一页上存放数据的有效空间，64是指每一页附加的空间，它不能用来存放我们写入的数据，它主要是用来存放ECC校验和坏块标记的信息数据。

      还有一个比较重要的知识就是对NandFlash的访问，你不会访问它，那你肯定不会用它!

    首先要明白NandFlash是以页（Page）为最小单位进行读写的，以块（Block）为最小单位进行擦除的，也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该位置开始，连续读取到本Page的最后一个 Byte为止（可以包括Spare Field）。

    在弄清楚怎么读写NandFlash之前，还有一个准备工作要做，那就是我们要告诉NandFlash，我要读写哪个地方的数据，如果我们不告诉它地址，那它就不知道我们到读哪些数据。那如何计算我们要传入的地址呢？以一个例子来说明

     以K9F2G08U0A为例，此nand flash，一共有2048个块，每个块内有64页，每个页是