STM8S存储器的读写操作

最新推荐文章于 2023-04-14 17:02:50 发布

clint_wang

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分类专栏： STM8S单片机

本文链接：https://blog.csdn.net/snail_turbo/article/details/17751367

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本文详细探讨了STM8S微控制器如何进行Flash存储器的读写操作，通过解析Stm8s_flash.c文件中的关键代码，阐述了初始化过程、地址选择、数据写入及验证等步骤，为理解STM8S的内存管理提供了实用指导。

摘要由CSDN通过智能技术生成

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**********************************************************************************************************************************
* Name    : STM8S存储器的读写操作
* Author : MingMing
* Release : 2014/1/2
* Update : 2014/1/2
* E-mail : clint.wang@foxmail.com
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*/
    在芯片中存储器一般分为两种：一种是EEPROM（数据存储器），另一种是FLASH ROM（程序存储器）。它们都是非易失性存储器，但是在特性上有一些差别。EEPROM读写最小单元为字节，在同一个地址重复写入数据时允许不进行擦除操作。FLASH ROM是按照扇区读写的，在同一个地址重复写入数据时需要擦除该地址才能再次写入。
    STM8S的芯片集成了EEPROM和FLASH ROM两种存储器，前者负责存储数据和Option Byte（选项字节），后者负责存储代码。
Stm8s_flash.h文件中代码如下所示：

/*
  ***************************************************************************
  * @file stm8s_flash.h
  * @brief This file is used to configure the Library.
  * @author clint.wang
  * @platform IAR For STM8S 1.31 + STM8S105C6
  * @date 12/27/2013
 ******************************************************************************
*/
#ifndef __STM8S_FLASH_H__
#define __STM8S_FLASH_H__
//
#include <iostm8s105c6.h>
#include "stm8s_type.h"
//
#define STM8S105
#ifdef STM8S105
  #define FLASH_PROG_PHYSICAL_ADDR_START   0x8000       /* 程序存储区首端地址 */
  #define FLASH_PROG_PHYSICAL_ADDR_END     0xFFFF       /* 程序存储区末端地址 */
  #define FLASH_PROG_BLOCKS_NUMBER         256          /* 程序存储区的块数 */
  #define FLASH_DATA_PHYSICAL_ADDR_START   0x4000       /* 数据存储区首端地址 */
  #define FLASH_DATA_PHYSICAL_ADDR_END     0x43FF       /* 数据存储区末端地址 */
  #define FLASH_DATA_BLOCKS_NUMBER         8            /* 数据存储区的块数 */
  #define OPTION_BYTE_PHYSICAL_ADDR_START  0x4800       /* 选项字节首端地址 */
  #define OPTION_BYTE_PHYSICAL_ADDR_END    0x487F       /* 选项字节末端地址 */
  #define OPTION_BYTE_NUMBER               15           /* 选项字节的长度 */
  #define FLASH_BLOCK_SIZE                 128          /* 每