51单片机控制K9K8G08U0C NAND Flash读写程序

最新推荐文章于 2024-04-21 18:12:33 发布
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分类专栏： arm 文章标签： flash 单片机

网上看到这个源代码，虽然感觉51用到nandflash的情况不多，但是可以借鉴理解nandflash的读写流程

#include< STC12C5A60S2.H>
#include< intrins.h>
#include < SMG.h>
/********************************************/
sbit NF_CLE=P0^3;               //命令锁存使能（输出）      CLE    D3
sbit NF_ALE=P3^4;               //地址锁存使能（输出）      ALE    RS
sbit NF_WE=P1^3;                //NAND Flash写使能（输出）  /WE      DB4
sbit NF_RE=P1^2;                //NAND Flash读使能（输出）  /RE      DB3
sbit NF_CE=P3^7;                //NAND Flash片选使能（输出）/CE      RD
sbit NF_R_B=P3^5;               //NAND Flash就绪/忙（输入） r/b      R/D_LCDEN
sbit NF_WP=P3^6;                //不用(已接到VCC)   /WP
#define NF_DATA  P2
/****************************************************/
sbit DIOLA=P2^5;
/**********************************************/
//unsigned int  DataArray[10];
/*************************************************/
//      12c5A60S2单片机初始化
/*********************************************************/
void MCU_Init()
{
   P0M0=0x00;
   P0M1=0x00;
   P1M0=0x00;
   P1M1=0x00;
   P2M0=0x00;
   P2M1=0x00;
   P3M0=0x00;
   P3M1=0x00;
   AUXR=0x00;
   //TMOD=0x21; 

}
/************************************************/
void TimerInit()
{

   TMOD=0x20;    //设置定时器1为工作方式2   (0x22;)
    TH1=0xfd;    //装入初值       (0xef;)
    TL1=0xfd;    //装入初值        (0xef;)
    TR1=1;       //启动定时器
    REN=1;  //允许串口接收位
    SM0=1;SM1=0; //方式1
   SCON=0x50;
    ///
    EA=1;
    ES=1;
  // PCON=0x80; 
   //PS=1;
   //PT0=0;
    
} //晶振:22.1184M  波特率:19200
/**********************************************/
//延时
/*************************************************/
void delay(unsigned int z)//延时参数（z）无反回值的子程序（void表示无反值）
{
  unsigned int x,y;
for(x=z;x>0;x--)
for(y=100;y>0;y--);
 
}





/***************************************************
//模 块 名：51单片机控制K9K8G08U0C的读写程序

//功能描述：NANDFLASH读写程序

//兼容性 :适合大部分的NANDFLASH，如需要根据手册做简单修改即可

//芯片型号:    STC89C516RD STC12C5A60S2等。   

****************************************************/
//     NANDFLASH使能信号初始化

void NF_Initial()
{
   NF_CLE=0;NF_ALE=0;NF_CE=1;
   NF_WE=1;NF_RE=1;NF_WP=1;
}
/********************************************************/
/*****************************************************/
//命令函数       NAND Flash  Command    
//Read1          00h/01h
//Read2          50h
//读取芯片ID  90h
//RESET        FFh
//写页          80h   10h
//块擦除      60h   D0h
//读取状态      70h/7ah  
//******************************************
void NF_Command(unsigned char command)
{
  //P2=0xff;
 
   NF_ALE=0;
   //NF_CE=0;
   NF_CLE=1;
   NF_WE=0;
   NF_ALE=0;
   NF_DATA=command;
   NF_WE=1;
   NF_CLE=0;
  
  // NF_ALE=1;

   //P2=0xff;
}
/**************************************************/
/**********************************************************/
//读取芯片ID函数    NAND Flash  Read_ID    

//读取芯片ID  90h

//******************************************
unsigned char NF_ReadID()
{
   unsigned char a,b,c,d;

   NF_Initial();
   NF_CE=0;

   NF_Command(0x90);   //输入命令

   NF_ALE=1;
   NF_WE=0;
   NF_DATA=0x00;      //address,1cycle
   NF_WE=1;
   NF_ALE=0;
 

   NF_DATA=0xff;

   NF_RE=0;    
   a=0xff&NF_DATA;    //ECH
   NF_RE=1;

   NF_DATA=0xff;
   NF_RE=0;
   b=0xff&NF_DATA;    //76H
 
   NF_RE=1;

   NF_DATA=0xff;

   NF_RE=0;
   c=0xff&NF_DATA;    //3fH
  
   NF_RE=1;

   NF_DATA=0xff;

   NF_RE=0;   
   c=0xff&NF_DATA;    //00H
   NF_RE=1;

   NF_CE=1;

   /*NF_RE=0;
   a=0x00ff&P2;
   NF_RE=1;

   P2=0xff;

   NF_RE=0;
   a=(P2*256)|a;
   NF_RE=1;
   NF_CE=1;
     */

   return a;
}
/************************************************/
/***********************************************/
//命令函数    NAND Flash  status    

//读取状态  70h/7ah

//******************************************
unsigned char NF_ReadStatus()
{
   unsigned char s;

   NF_Initial();
   NF_CE=0;
   NF_Command(0x70);
   NF_DATA=0xff;
   NF_RE=0;_nop_();
   s=NF_DATA&0x01;
   NF_RE=1;
   NF_CE=1;

   if(s==0x00) return (0xff);     //正确
   else return (0x00);       //错误
}
/**************************************************/
/************************************************/
//块擦除芯片    NAND Flash  EraseBlock    

//块擦除      60h   D0h

//******************************************
unsigned char NF_EraseBlock(unsigned char Pageadd)
{
unsigned char s=0;    //用来取状态，其实可以不要
 
     NF_Initial();
     NF_CE=0;
 
  NF_Command(0x60);
  NF_ALE=1;

  NF_WE=0;
     NF_DATA=Pageadd&0xff;  //NF_DATA=((Pageadd%256)%256)&0xff;
     NF_WE=1;

  NF_WE=0;
     NF_DATA=(Pageadd>>8)&0xff;   //NF_DATA=((Pageadd%256)/256)&0xff;
     NF_WE=1;

  NF_WE=0;
     NF_DATA=(Pageadd>>16)&0xff; // NF_DATA=(Pageadd/256)&0xff;
     NF_WE=1;

  NF_ALE=0;
  NF_Command(0xd0);

  NF_R_B=1;while(!NF_R_B);  //检查是否忙碌
  s=NF_ReadStatus();    //读取状态：(0xff)正确  0x00)错误

     NF_CE=1;
  
    return (s);
}
/********************************************************/
/**********************************************/
//发送地址    NAND Flash  Send Addre   

//******************************************
unsigned char NF_SendAddre(unsigned char Pageadd,unsigned char Columnadd)
{
  
     NF_ALE=1;

  NF_WE=0;
     NF_DATA=Columnadd;
     NF_WE=1;
  //送地址第一个字节，列地址(其实就是那512个字节地地址)
  NF_WE=0;
  NF_DATA=Pageadd&0xff;  //NF_DATA=((Pageadd%256)%256)&0xff;
     NF_WE=1;
  //送地址第二个字节，低五位是页地址，高三位是块地址的低三位(1block = 32page)
  NF_WE=0;
  NF_DATA=(Pageadd>>8)&0xff;   //NF_DATA=((Pageadd%256)/256)&0xff;
     NF_WE=1;
  //送地址第三个字节，块地址
  NF_WE=0;
  NF_DATA=(Pageadd>>16)&0xff; // NF_DATA=(Pageadd/256)&0xff;
     NF_WE=1;
  //送地址第四个字节，块地址

  NF_ALE=0;
  P2=0xff; 

}
/********************************************************/
/********************************************************/
//写入一个字节的数据    NAND Flash  WirteByte  
//写入命令      80h   10h
//******************************************
unsigned char NF_WirteByte(unsigned char Pageadd,unsigned char Columnadd,unsigned char NF_dat)
{
   unsigned char s=0;

  NF_Initial();
     NF_CE=0;

// NF_Command(0x50);

   NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌

   NF_Command(0x80);

   NF_SendAddre(Pageadd,Columnadd);

   NF_WE=0;
      NF_DATA=NF_dat;
      NF_WE=1;

   NF_Command(0x10);

      NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌

   s=NF_ReadStatus();    //读取状态：(0xff)正确  0x00)错误

    NF_CE=1;

}
/****************************************************/
/******************************************************/
//读取一个字节    NAND Flash  ReadByte  
//读取命令   00h/01h  (half)
//******************************************
unsigned char NF_ReadByte(unsigned char Pageadd,unsigned char Columnadd,unsigned char half)
{
   unsigned char  NF_dat,s=0;

   NF_Initial();
      NF_CE=0;

   NF_Command(half); 

   NF_SendAddre(Pageadd,Columnadd);
   NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌

   NF_DATA=0xff;

   NF_RE=0;
      NF_dat=NF_DATA;
      NF_RE=1;

      NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌
   s=NF_ReadStatus();    //读取状态：(0xff)正确  0x00)错误

    NF_CE=1;

    return (NF_dat);
}
/***********************************************/
/**********************************************/
//写入多个字节的数据    NAND Flash  WirteByte  
//写入命令      80h   10h  (PCS最大取512) 
//************************************************
unsigned char NF_WirteNByte(unsigned char Pageadd,unsigned char Columnadd,unsigned char *P_NF,unsigned char pcs)
{
   unsigned char s,i;

  NF_Initial();
     NF_CE=0;

  NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌

  NF_Command(0x00);
  NF_Command(0x80);

   NF_SendAddre(Pageadd,Columnadd);

  for(i=0;i< pcs;i++)
  {
     NF_WE=0;
       NF_DATA=*P_NF;
       NF_WE=1;
    P_NF++;
  } 

   NF_Command(0x10);

      while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌

   s=NF_ReadStatus();    //读取状态：(0xff)正确  0x00)错误

    NF_CE=1;

}
/**************************************************/
/*************************************/
//读取多个字节    NAND Flash  ReadByte  
//读取命令       00h/01h  (half)(PCS最大取512)
//******************************************
unsigned char NF_ReadNByte(unsigned char Pageadd,unsigned char Columnadd,unsigned char half,unsigned char *P_NF,unsigned char pcs)
{
   unsigned char  i,s=0;

   NF_Initial();
      NF_CE=0;

   NF_Command(half); 

   NF_SendAddre(Pageadd,Columnadd);
   NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌

   NF_DATA=0xff;

   for(i=0;i< pcs;i++)
   {
    NF_RE=0;
      *P_NF=NF_DATA;
      NF_RE=1;
   P_NF++;
   }
 

      NF_R_B=1;while(!NF_R_B);     //检查是否忙碌
   s=NF_ReadStatus();    //读取状态：(0xff)正确  0x00)错误

    NF_CE=1;

   // return (NF_dat);
}
/****************************************************

机无任
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基于51单片机实现W25Q64-FLASH读写
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在C51系统上实现YAFFS文件系统
12-13
随着NAND Flash存储器作为大容量数据存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到各种嵌入式系统中。本文将详细阐述YAFFS文件系统在C51系统上的实现过程。 1  NAND Flash的特点 　　非易失性闪速存储器Flash具有速度快、成本低、密度大的特点，被广泛应用于嵌入式系统中。Flash存储器主要有NOR和NAND两种类型。NOR型比较适合存储程序代码;NAND型则可用作大容量数据存储。NAND闪存的存储单元为块和页。本文使用的Samsung公司的K9F5608包括2 048块，每一块又包括3
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09-19
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51单片机控制Nand_Flash读写的两种方法
08-19
51单片机控制Nand_Flash读写的两种方法
51单片机读写flash
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单片机采用Microchip 八位单片机 flash k9f1208u0m
第1372篇:如何让单片机轻松读写U盘
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2006-04-30 18:48:25 第1372篇:如何让单片机轻松读写U盘发布时间:2006年3月27日 点击次数:436 详细内容:如何让单片机轻松读写U盘　 如何让单片机轻松读写U盘 单片机系统大容量数据存储已经是大家非常迫切的需求.其中U盘的发展非常迅速,随着FLASH存储技术的发展,单片机海量存储
SPI-读写串行FLASH
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一下这个NAND_DEVICE的定义，因为我们现在选的是bank2，而bank2是从0x70000000UL开始的，而不是0x80000000UL。不知道stm32cubeide的这个库怎么处理的，在使用FSMC来读写nand flash时，无论你选的是bank2还是bank3，默认他都是用的0x80000000UL。而且更加恶心的是，每次在IOC界面修改一些数据后，系统重新生成代码，他又会把这个stm32f4xx_hal_nand.h改回原来的0x80000000UL，也就意味着，你需要再改一次。
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【代码】Proteus8仿真:51单片机使用串口进行双机通讯。 **STC89C51单片机设有两个定时器/计数器，因定时器1有4种工作方式,而常选用定时器1的工作方式2（8位自动重装）作为波特率的溢出率。** **串口寄存器主要配置SCON寄存器。****本次采用8为可变，所以`SM0=1;SM1=0;REN=1;`然后通过波特率的计算，可以计算出波特率和定时器初值的关系，然后编写定时器初始化和串口初始化。**本次实验由双机进行串口通讯，来核对双方的数据是否是一样的，如果一样的就显示在数码管。
使用STM32F103ZET6驱动NAND FLASH（K9F1G08U0E）
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经过2天的学习从不了解NAND FLASH，到驱动NAND FLASH完成一些简单的写，擦除，读取状态，复位等操作。 方法：使用正点原子的ST32F103ZET6和NAND FLASH（K9F1G08U0E）相连接 先看此图： 1.此芯片位宽位8，I/O口从0-7分别连接到FSMC_D0-FSMC_D7（PD14,PD15,PD0,PD1,PE7,PE8,PE9,PE10） 2.CLE是命令锁存使能-就是引脚在搞电平传输的是命令，ALE地址锁存使能-高电平，传输的是地址。CLE连接PD12，AL
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Offered in 1G x 8bit, the K9K8G08U0A is a 8G-bit NAND Flash Memory with spare 256M-bit. Its NAND cell provides the most costeffective solution for the solid state application market.
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友善mini2440 nandflash代码，芯片型号k9f2g08u0c，包含读ID、擦除块、读块的操作，具体对哪个块进行操作需要自己改一下函数，我为了调试只对第0block进行了操作。
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正如你所说，掌握更高级别的PLC技术和相关软件，如西门子的400级别、模块化编程等，可以为你提供更广泛的发展空间，包括参与大型项目、国际项目等。学习单片机的优势：广泛应用： 单片机在各种嵌入式系统和电子产品中得到广泛应用，学习单片机可以为你提供深入的嵌入式系统开发经验。如果你渴望学习单片机，不妨点个关注，给个评论222，私信22，我在后台发给你。学习PLC的优势：工业应用： PLC广泛用于工业自动化和控制系统中，学习PLC可以使你更好地理解和参与工业控制项目。
2024蓝桥杯嵌入式模板代码详解
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打开工程后，首先点击【System Core】，准备配置RCC和SYS。keil文件里，点击项目名Demo_dzj，添加一个新的组，并改名为bsp。打开项目文件夹，创建名为bsp的文件夹，以后自己编写的代码都存放于此。
基于STM32实现流水灯【Proteus仿真】
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1.两个32位 端口配置寄存器-- CRL和CRH。2.两个32位 数据寄存器-- IDR和ODR。3.一个32位 置位/复位寄存器-- BSRR。5.一个32位 锁存寄存器-- LCKR。4.一个16位 复位寄存器-- BRR。
fpga nand flash读写
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### 回答1： FPGA（现场可编程门阵列）是一种基于可编程逻辑块（PLBs）的半定制集成电路，可以编程实现各种电路逻辑和功能。NAND Flash是一种非易失性存储芯片，广泛应用于移动设备、数字相机、USB存储器等电子产品中。FPGA和NAND Flash都是重要的电子元器件，可以实现高效的数据读写操作。 在FPGA中使用NAND Flash进行读写操作时，需要首先进行芯片编程和初始化设置。在编程时需要选取正确的接口和协议，并针对具体的NAND Flash芯片进行相应的设置和配置。在初始化时需要设置好相关的时序和地址映射关系，以便实现正确的数据传输和读取。 在实际的数据读写操作中，FPGA可以通过使用DMA（Direct Memory Access）模块实现高效的数据传输。DMA模块可以直接从NAND Flash读取或写入数据，并将结果传输到FPGA内部的存储器或外部设备中。为了实现更高的读写速度，还可以使用缓存和预取技术，提高数据传输的效率和带宽利用率。 总的来说，FPGA和NAND Flash都是重要的电子元器件，可以实现高效的数据读写操作。在进行NAND Flash读写时，需要进行正确的编程和初始化设置，并使用DMA模块和缓存技术实现高效的数据传输，以便实现更快的读写速度和更高的带宽利用率。 ### 回答2： FPGA可以通过内置的硬件控制器来读写NAND Flash，实现高效的数据存取。在进行FPGA与NAND Flash连接时，需要使用FPGA的IO口对NAND Flash进行时序控制，以确保数据能够正确地读写。具体来说，FPGA可以使用SPI、SDIO、MMC等接口协议，通过控制NAND Flash的命令、地址、数据线来进行读写操作。在读取数据时，FPGA需要先发送读命令、片选信号和地址信息，然后从数据线上读取数据。当FPGA需要向NAND Flash写入数据时，同样需要先发送写命令、片选信号、地址和数据信息，以确保数据能够被正确存储。 在使用FPGA读写NAND Flash时，需要注意以下几点： 1. FPGA应该与NAND Flash之间连接正确，且连接线路应该按照NAND Flash数据手册的要求进行设置。 2. FPGA应该正确配置时序控制信号，以确保数据能够准确读写。 3. 在进行写操作时，需要确保数据已经被正确地缓存，否则可能会导致数据丢失或者损坏。 4. 在进行读写时，需要确保FPGA与NAND Flash的电源相一致，以避免不必要的电压峰值导致损坏。 总的来说，FPGA与NAND Flash的读写操作需要进行正确的时序控制，并且需要遵循NAND Flash数据手册的指导，以确保数据能够准确地存取。通过FPGA与NAND Flash的读写操作，可以实现高速、可靠的数据存取，适用于各种工业控制、计算机、通讯等领域的应用。

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