onenand小结 及 与nor 和nand 的区别

原创 2012年03月22日 09:44:22


OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的,一种高可靠性嵌入式存储设备。
随着过去几十年的Nand技术的发展,一些公司,基于原先的NAND的架构,
设计出一种理想的单存储芯片,其集成了SRAM的缓存和逻辑接口。
OneNand既实现NOR Flash的高速读取速度,又保留了Nand Flash的大容量数据存储的优点

与OneNand对应的是之前早就出现的Nand Flash和Nor Flash。

 

OneNand Nand Nor 三种Flash的区别:

应用需求

NAND

OneNAND

NOR

快速随机读取

 

 

快速顺序读取

快速 /编程

 

同时擦除多个块

 

 (最大64个块)

擦除的挂起/恢复

 

写回

(错误检测)

 (错误检测与纠正)

 

/解锁/紧锁

 

错误纠正

外部 (硬件/软件)

内置

不需要

扩展性

 

OneNAND闪存,由Samsung开发,支持更快速数据吞吐和更高的密度,这两点是满足高分辨率摄影、视频和其他媒体应用的两个主要要求。

OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲,一个单独的OneNAND芯片集成了一个NOR闪存接口,NAND闪存控制器逻辑、一个NAND闪存阵列,以及高达5 KB的缓冲RAM。至于速度,它能以高达108 MB/s的持续读数据率传输。

OneNAND器件有两种类型:muxed和demuxed。对于muxed型,地址引脚和数据引脚结合在一起,而demuxed型芯片这两个引脚是分开的。当关注的是减少引脚数时,选择muxed OneNAND可能好一些。另外,muxed OneNAND只工作在1.8V,demuxed的密度较低,不到1 Gbit,demuxed有1.8V 和3.3V两种选择。如果muxed或demuxed器件的密度超过1 Gbit,则只能选择1.8V的工作电压。

基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外,OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前,采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb的存储容量,并且在今年晚些时候,将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。

总之,NOR闪存适合代码存储,就是说,固件、器件应用等,而NAND闪存处理存储量大的类似于硬盘驱动的例行工作。OneNAND闪存两个优点都具备,它能胜任代码和海量数据存储,同时效率更高。

 ================

NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。

NOR Flash的传输效率很高,但写入和擦除速度较低;

与NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。

结构:NOR Flash为并行,NAND Flash为串行。

总线:NOR Flash为分离的地址线和数据线,而NANDFlash为复用的。

尺寸:典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1/8。

坏块:NAND器件中的坏块是随机分布的,需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。

位交换:NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多,建议使用NAND闪存时,同时使用EDC/ECC算法。

使用方法:NOR Flash是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在FIash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中;而NAND Flash则需I/O接口,因此使用时需要写入驱动程序。



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