2015年08月_wu5795175

08月 02月

原创 6T-sram存储单元原理分析

6T指的是其由6个mosfet构成。M1-M4是存储单元，而M5-M6用于门控访问。可以看出M1-M2 和 M3-M4是一个对称的结构，这是两个反相门的循环链接，由两个反相门循环相连的存储单元存在两种稳定状态，0和1。使用WL来控制存储单元的门控访问，BL来进行存储单元的读写。读：拉高WL，从BL中读出位即可写：拉高WL，拉高或者拉低BL，由于BL的驱动能力比存储单元强

2015-08-16 22:06:09 18634 1

原创焦耳小偷-Joule_thief原理分析

焦耳小偷电路可以榨干一节废旧干电池上的所有能量。通常1.5V的干电池用完之后还会有1V左右的电压，说明此时电池内还有能量，只不过内阻已经变的很大，输出电流很微弱，已经无法驱动一般的电路，此时就算直接接一个LED也无法将其点亮，焦耳小偷电路可以通过磁感线圈产生高频高压的脉冲电压，使LED导通。以下是原理分析：1. 电流从BJT基极流入，使BJT轻微导通，使得集电极产生电流，集电极端的线圈

2015-08-16 21:52:29 5814

原创无稳态多谐振荡器分析

电路如上图所示当电源导通的一瞬间，C1和C2都会进行充电，C1充电方向为Vcc-LED1-R3-C1-Q2be-Gnd，C2充电方向为Vcc-LED2-R4-C2-R1be-Gnd，同时三极管Q1和Q2也必将处于导通状态，而且由于基极电流过大，两三极管都将会进入饱和状态。LED1 ON, LED2 OFF2. 由于Q1和Q2之间微小的差异，假设Q1先进入饱和状态，则Q1的Uce

2015-08-16 21:41:32 4502

原创 mosfet拾遗

1. N沟道mosfet由P型衬底和两个N型的区组成。分为栅极G，源极S，和漏极D。通常衬底B和源极S会连在一起（市面上买到的mosfet通常都是如此）。2. 工作原理1. Vgs = 0，没有导电沟道2. Vgs >= Vt时，产生导电沟道，此时源极和漏极之间若加有适当电压，电子将由源极流向漏极。3. 6T sram原理分析由两个反相门相连的存储单

2015-08-16 21:13:10 542