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原创 6T-sram存储单元原理分析
6T指的是其由6个mosfet构成。M1-M4是存储单元,而M5-M6用于门控访问。可以看出M1-M2 和 M3-M4是一个对称的结构,这是两个反相门的循环链接,由两个反相门循环相连的存储单元存在两种稳定状态,0和1。使用WL来控制存储单元的门控访问,BL来进行存储单元的读写。读:拉高WL,从BL中读出位即可写:拉高WL,拉高或者拉低BL,由于BL的驱动能力比存储单元强
2015-08-16 22:06:09 18641 1
原创 焦耳小偷-Joule_thief原理分析
焦耳小偷电路可以榨干一节废旧干电池上的所有能量。通常1.5V的干电池用完之后还会有1V左右的电压,说明此时电池内还有能量,只不过内阻已经变的很大,输出电流很微弱,已经无法驱动一般的电路,此时就算直接接一个LED也无法将其点亮,焦耳小偷电路可以通过磁感线圈产生高频高压的脉冲电压,使LED导通。以下是原理分析:1. 电流从BJT基极流入,使BJT轻微导通,使得集电极产生电流,集电极端的线圈
2015-08-16 21:52:29 5815
原创 无稳态多谐振荡器分析
电路如上图所示当电源导通的一瞬间,C1和C2都会进行充电,C1充电方向为Vcc-LED1-R3-C1-Q2be-Gnd,C2充电方向为Vcc-LED2-R4-C2-R1be-Gnd,同时三极管Q1和Q2也必将处于导通状态,而且由于基极电流过大,两三极管都将会进入饱和状态。LED1 ON, LED2 OFF2. 由于Q1和Q2之间微小的差异,假设Q1先进入饱和状态,则Q1的Uce
2015-08-16 21:41:32 4502
原创 mosfet拾遗
1. N沟道mosfet由P型衬底和两个N型的区组成。分为栅极G,源极S,和漏极D。通常衬底B和源极S会连在一起(市面上买到的mosfet通常都是如此)。2. 工作原理1. Vgs = 0,没有导电沟道2. Vgs >= Vt时,产生导电沟道,此时源极和漏极之间若加有适当电压,电子将由源极流向漏极。3. 6T sram原理分析由两个反相门相连的存储单
2015-08-16 21:13:10 542
i400x_analyzer20091114
2017-11-21
空空如也
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